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C23C：对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(在表面上使用液体或其他流体材料的一般涂覆入B05;挤压法制造包覆金属的产品入B21C 23/22;通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置, 例如B21D 39/00,B23K;采用电极并通过作用于工件的高度集中电流加工金属入 B23H;玻璃的金属化入C03C;砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B 41/00;涂料、合成漆、天然漆入C09D;金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入 C23D;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制入 C23F;单晶膜生长入C30B;半导体器件的制造入H01L ;印刷线路的制造入H05K)
C23D：金属的搪瓷或涂玻璃层(瓷釉的化学成分入C03C)
C23F：非机械方法去除表面上的金属材料(用激光束加工金属入B23K 26/00;火焰法清除表层金属材料入 B23K 7/00;电侵蚀加工金属入 B23H;除去表面材料产生装饰效果,例如镂空法、蚀刻法入 B44C1/22; 电解蚀刻或抛光入C25F);金属材料的缓蚀或一般防积垢;至少一种在 C23大类中所列的方法及至少一种在 C21D、C22F 小类或 C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理
C23G：电解法除外的化学法金属材料清洗及除油(抛光组合物入C09G;一般洗涤剂入C11D)

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	Mn-Zn-O类溅射靶材及其制造方法	CN201680004806.5	2016-11-02	CN107109636B	2019-08-16	菅原淳一; 加守雄一
提供可供DC溅射的Mn‑Zn‑O类溅射靶材及其制造方法。本发明的Mn‑Zn‑O类溅射靶材的特征在于，在成分组成中含有Mn、Zn、O和元素X(其中，元素X是选自W和Mo的单独1种或2种的元素)，相对密度为90%以上，并且，比电阻为1×10‑3Ω・cm以下。
2	借助过程气体循环以多重等离子体进行等离子体处理的设备	CN201580012469.X	2015-03-03	CN106062247B	2019-08-16	赫尔曼·施莱姆; 米尔科·科尔; 埃里克·安索奇; 丹尼尔·德克尔
根据本发明的用于等离子体处理的设备包括处理室以及具有循环线路和循环泵的循环单元，处理室具有至少两个被过程气体穿流的等离子体处理区、气体输入部和气体输出部，气体输入部适用于将过程气体输送给至少两个等离子体处理区，气体输出部适用于将废气从处理室排除，其中，循环单元适用于将废气中至少一部分供应到气体输入部中，并且其中，供应到气体输入部中的废气是从等离子体处理区中的至少两个中逸出的气体的混合物。通过混合来自等离子体处理区中的至少两个中的废气并且将废气重新供应到气体输入部中，使来自等离子体处理区中的至少两个中的过程气体的已经转化的组成部分、但也有未转化的组成部分混合，并且因此实现了输送给等离子体处理区的过程气体的均匀化。这减少了由于等离子过程在不同的等离子体处理区中的差异而产生的各个基底之间的等离子体处理的非均匀性。
3	表面被覆部件及其制造方法	CN201380068373.6	2013-11-01	CN104884200B	2019-08-16	阿侬萨克·帕索斯; 山县一夫; 奥野晋; 金冈秀明; 森本浩之; 伊藤实
本发明提供了一种具有更高稳定性和更长使用寿命的表面被覆部件。该表面被覆部件包括基体以及在其表面上形成的硬质覆膜。该硬质覆膜由至少一层形成，并且所述层中至少一层包含由CVD法形成的多层结构，在该多层结构中，第一单元层和第二单元层交替层叠。第一单元层包含第一化合物，该第一化合物包含Ti以及选自由B、C、N和O构成的组中的至少一种元素。第二单元层包含第二化合物，该第二化合物包含Al以及选自由B、C、N和O构成的组中的至少一种元素。
4	表面包覆切削工具	CN201680034356.4	2016-06-23	CN107635702B	2019-08-13	奥出正树; 山口健志
本发明提供一种在有高负载作用于切削刃的高速高切深量/高进给量的重切削条件下发挥优异的耐剥离性、耐崩刀性的表面包覆切削工具。本发明的表面包覆切削工具，其在由碳化钨基硬质合金或碳氮化钛基金属陶瓷构成的工具基体的表面形成有由下部层和上部层构成的硬质包覆层，其中，所述下部层由至少包括TiCN层的Ti化合物层构成，所述上部层由具有α型的晶体结构的Al2O3层构成，并且，关于上部层的Al2O3晶粒，测定重位晶界分布图表时，在Σ31以上的晶界有硫偏析，其晶界长相对于作为Σ3以上的构成原子共有晶格点形态的晶界总长占20～50％，此外，上部层的至少包括切削刃棱线部的后刀面及前刀面的残余应力值的绝对值为100MPa以下。
5	一种蒸发源	CN201710706267.6	2017-08-17	CN107400859B	2019-08-13	邹新
本发明提供一种蒸发源，包括由导电材料制成的蒸发源本体；所述蒸发源本体包括：主体，所述主体内部开设有材料腔室；其中，所述主体外侧的任意位置设置有第一电极连接端，以及与所述第一电极连接端极性相反的第二电极连接端，所述第一电极连接端与所述第二电极连接端通电后，所述主体自身导电产生热量以加热所述材料腔室内的材料；相较于现有的蒸发源，本发明所提供的蒸发源，自身采用导电材料制成，通过在蒸发源的相应位置设置正、负电极即可实现蒸发源的自发热，进而得到均匀的加热效果，蒸镀制得高品质的膜层。
6	产生薄无机膜的方法	CN201580040271.2	2015-07-22	CN107278235B	2019-08-13	J·斯特劳特曼; R·帕切洛; T·绍布; F·艾克迈尔; D·勒夫勒; H·威尔默; U·雷迪厄斯; J·伯塞尔; F·赫琳
本发明属于产生基材上的薄无机膜的方法，特别是原子层沉积方法的领域。本发明详细涉及如下方法，包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态并将通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中R1和R4彼此独立地为烷基、芳基或三烷基甲硅烷基，R2、R3、R5和R6彼此独立地为氢、烷基、芳基或三烷基甲硅烷基，n为1至3的整数，M为Ni或Co，X为与M配位的配体，且m为0至4的整数。
7	铬-钛合金溅射靶材及其制造方法	CN201680009216.1	2016-02-02	CN107208259B	2019-08-13	坂巻功一; 福冈淳; 斉藤和也
本发明提供一种能够抑制在溅射时产生的微细颗粒产生的铬‑钛合金溅射靶材及其制造方法。铬‑钛合金溅射靶材的原子比的组成式是以Cr100‑X‑TiX、40≤X≤60表示，剩余部分包含不可避免的杂质，所述杂质中含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn。以及铬‑钛合金溅射靶材的制造方法是将含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn作为杂质的Ti粉末，与含有合计为1质量ppm以上且50质量ppm以下的Mg、Al、Si、Mn、Ni、Cu及Sn作为杂质的Cr粉末混合，并进行加压烧结。
8	倾斜的激光诱导前向转换喷射	CN201680006659.5	2016-01-05	CN107206548B	2019-08-13	Z.科特勒; M.泽努
一种用于受体表面上的材料沉积的设备，包括：透明供体基板，具有相对的第一和第二表面，使得第二表面的至少一部分不平行于受体表面，所述透明供体基板还包括第二表面上的供体膜。该设备还光学组件，其配置成将辐射束引导成穿过供体基板的第一表面，并在第二表面的不平行于受体表面的那部分的位置处照射在供体膜上，以诱导熔融材料的小滴从供体膜喷射到受体表面。
9	用于真空处理设备的基板延展装置、具有基板延展装置的真空处理设备和它们的操作方法	CN201480066960.6	2014-12-09	CN105980598B	2019-08-09	F·里斯; A·索尔; S·海恩
本发明描述了一种用于处理柔性基板的处理设备，具体地是一种用于处理柔性基板的真空处理设备。所述处理设备包括真空腔室；处理滚筒，所述处理滚筒在所述真空腔室内，其中所述处理滚筒被配置成围绕沿第一方向延伸的轴线旋转；以及加热装置，所述加热装置邻近所述处理滚筒，其中所述加热装置被配置成使所述基板沿所述第一方向延展或者维持所述基板沿所述第一方向的延展，并且其中所述加热装置在与基板传输方向平行的方向上具有至少20mm的尺寸。
10	碳化硅外延晶片及其制造方法	CN201580020267.X	2015-04-16	CN106233430B	2019-08-06	升本恵子
本发明的课题在于提供一种碳化硅外延晶片，其对于低偏离角的碳化硅外延晶片，即使在高C/Si比下的生长中也会抑制异质多型的混入，并且能够形成可靠性高的高耐压碳化硅半导体元件。本发明的外延晶片，其特征在于，其是在具有α型的晶体结构且使(0001)Si面或(000－1)C面倾斜大于0°且不足4°的碳化硅基板上配设有外延生长层的碳化硅外延晶片，在碳化硅基板表面，5个以上且10个以下的高度1nm的台阶统合成的台阶聚束所占的比例为90％以上。
11	阻隔膜和采用所述阻隔膜的真空隔热板	CN201480068692.1	2014-12-16	CN105829622B	2019-08-06	克里斯托弗·S·莱昂斯; 唐娜·W·班格; 赛德利克·贝多亚; 保莱·T·恩根; 彼得·B·赫格顿; 约瑟夫·M·皮珀; 艾米·普雷斯勒普林斯; 余大华; 聂其红; 唐纳德·J·穆克卢尔
本发明提供了一种真空隔热板包层，所述真空隔热板包层具有基材、低热导率有机层和低热导率无机叠层。所述低热导率无机叠层包括低热导率非金属无机材料和/或低热导率金属材料。
12	用于进行气相氮碳共渗处理的方法	CN201410769150.9	2014-12-15	CN104711509B	2019-08-06	B.格特纳
本发明公开了一种用于构造机器构件的磨损保护层的方法，所述机器构件与另一机器构件一起形成滑动摩擦副。对所述机器构件中的至少一个机器构件进行了气相氮碳共渗，用于将磨损降低到最低限度，其中相对较薄的、均匀的连接层和相对较厚的、处于其下面的扩散层通过以下方式来产生：所述气相氮碳共渗处理首先在温度较低时并且以较长的持续时间来进行。
13	掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法	CN201710908524.4	2017-09-29	CN107435131B	2019-08-02	徐健; 刘耀阳
本发明实施例提供一种掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法，涉及蒸镀技术领域，用于改善掩膜版与待蒸镀基板之间的贴合不良，提高蒸镀效果。所述掩膜装置包括铁磁性材料的掩膜版，所述掩膜版包括：至少一个蒸镀区域以及至少一个非蒸镀区域；所述蒸镀区域设置有沉积通孔；所述非蒸镀区域包括与所述蒸镀区域相邻的过渡区域，所述过渡区域设置有过渡孔，所述过渡孔的体积小于所述沉积通孔的体积，且从所述蒸镀区域至所述非蒸镀区域的方向上，所述过渡孔的体积逐渐减小。上述掩膜装置适用于蒸镀设备中。
14	粉体涂敷装置	CN201580031961.1	2015-06-03	CN106460189B	2019-08-02	丹尼尔·波波维奇; 峯启太; 柴田周作; 中村年孝
本发明是用于使粉体附着于膜的粉体涂敷装置。该粉体涂敷装置包括：送出辊，其用于送出膜；卷取辊，其相对于送出辊配置于膜的输送方向下游侧，用于卷取膜；成膜喷嘴，其在送出辊和卷取辊之间的输送方向中途以与膜相对的方式配置，用于喷出粉体；第1壳体或第2壳体，其用于收容送出辊以及卷取辊；装置用壳体，其用于收容成膜喷嘴、第1壳体以及第2壳体；压力调整单元，其构成为将第1壳体的内压以及第2壳体的内压设定得高于装置用壳体的内压。
15	基板处理装置及基板处理方法	CN201480070510.4	2014-12-10	CN105849864B	2019-07-30	诸成泰; 张吉淳; 尹畅焄; 金劲勋
根据本发明的一实施例，基板处理装置包括：下部腔，上部开放；上部腔，开闭上述下部腔的上部，与上述下部腔共同形成对基板实施工序的内部空间；喷头，设置在上述上部腔的下部并朝向上述内部空间供给反应气体，在与上述上部腔之间形成缓冲空间；划分部件，设置在上述缓冲空间内而将上述缓冲空间划分为多个扩散区域；及多个气体供给口，形成在上述上部腔而朝向各上述扩散区域供给上述反应气体。
16	具有老化抑制催化剂的催化转化器	CN201610864599.2	2016-09-29	CN106560595B	2019-07-26	G·齐; R·J·戴; S·H·吴; X·肖; M·杨
一种包括催化剂的催化转化器。所述催化剂包括一种载体、分散在所述载体上的铂族金属(PGM)颗粒，以及在所述载体上形成的阻挡层。所述阻挡层位于第一组PGM颗粒与第二组PGM颗粒之间，以抑制所述PGM颗粒的老化。
17	用于减少薄膜中杂质的装置和方法	CN201580004759.X	2015-01-15	CN105917748B	2019-07-26	伊恩·曼; 萨蒂亚纳拉杨·巴瑞克; 玛丽·汪德比尔特-富盖; 乔希·布朗; 保罗·邓尼根
描述了等离子体发生器，其使用部分的PBN衬里，相对于使用完全的PBN衬里不仅在膜形成的过程中使得高能气体组分的损失最小化，而且减少了引入到生长膜中的硼杂质的水平。还描述了这种等离子体发生器在成膜装置和成膜方法中的使用。
18	被覆切削工具	CN201710951921.X	2017-10-12	CN107962217B	2019-07-16	佐藤博之
本发明提供一种被覆切削工具，其具备基材和形成于该基材表面的被覆层，上述被覆层包含至少一层α型氧化铝层，在上述α型氧化铝层中，由下式(1)表示的(1，0，16)面的织构系数TC(1，0，16)为1.4以上，式(1)中，I(h，k，l)表示上述α型氧化铝层的X射线衍射中(h，k，l)面的峰强度，I0(h，k，l)表示α型氧化铝的JCPDS卡片编号10‑0173中(h，k，l)面的标准衍射强度，(h，k，l)是指(0，1，2)、(1，0，4)、(1，1，0)、(1，1，3)、(0，2，4)、(1，1，6)、(2，1，4)和(1，0，16)八个晶面。
19	UV 固化装置	CN201510798934.9	2015-11-18	CN106252255B	2019-07-16	倪学光; 陈纪任; 洪鹏程
UV固化装置包括处理室、设置在处理室上方的UV 光源、设置在处理室和UV光源之间用以允许来自UV光源的UV光穿过且进入处理室的窗、设置在处理室和窗之间用以密封处理室的密封环、和设置在UV光源和密封环之间用以防止密封环暴露给UV光的光遮蔽装备。因此，密封环没有直接暴露给UV光，并且橡胶密封环的粘合不会被损坏。本发明还提供了UV固化方法。
20	多层组件以及控制层厚度的方法	CN201480071453.1	2014-12-24	CN105849308B	2019-07-16	M·麦尔德布拉斯; D·桑希尔
描述了用于涂覆基底的预制组件和方法。该预制组件包括在堆叠体中的至少两个层，每个层包括至少一种原料。每个层中的原料可以是电介质材料。一种类型的堆叠体具有一个外层作为暴露层。一种类型的堆叠体的每个层具有暴露部分，并且所有层的一部分是暴露的。在使用中，预制组件中的堆叠体被定位在真空腔室系统中并且能量被顺序地递送到该暴露层，从而移除每个暴露层的至少一部分。每个层成为暴露层并且以顺序的方式沉积在基底上。该预组装的原料堆叠体用于制造多层涂层，例如用于光学或眼科物品的多层涂层。

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