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    • 114. 发明公开
    • 电压倍增器
    • CN104335468A
    • 2015-02-04
    • CN201380027545.5
    • 2013-05-31
    • 皇家飞利浦有限公司
    • P·吕尔肯斯
    • H02M3/07H05G1/10
    • H02M7/103G01N23/04H02M3/07H05G1/10
    • 一种电压倍增器10包括一系列倍增器级12a、12b、12c、12d。每个倍增器级,例如12b,包括第一输入端16b、第二输入端14b、第一输出端16c以及第二输出端14c。前面的倍增器级的所述第一输出端和所述第二输出端与随后的倍增器级的第一输入端和第二输入端互相连接。另外,每个倍增器级,例如12b,包括具有相同的电流导电方向的两个串联连接的二极管元件D5、D6。两个串联连接的二极管元件D5、D6将第一输入端16b与第一输出端16c互相连接。第二输出端14c被耦合在两个串联连接的二极管元件D5、D6之间。每个倍增器级,例如12b,包括缓冲电容器C6,缓冲电容器C6将各自的第一输入端16b与各自的第一输出端16c互相连接。至少一些倍增器级,例如12b,包括推挽式电容器C4,推挽式电容器C4将各自的第二输入端14b与各自的第二输出端14c互相连接。第一倍增器级12a的第一输入端16a和最末倍增器级12d的第一输出端16e为负载42提供输出。第一倍增器级12a的第二输入端14a为AC电压源提供输入。第一倍增器级12a的缓冲电容器C3包括两个串联连接的缓冲电容器部分C3a、C3b。用于AC电压源34的输入端20被提供在两个缓冲电容器部分C3a、C3b之间。
    • 115. 发明公开
    • 数字X射线传感器
    • CN104285164A
    • 2015-01-14
    • CN201380025271.6
    • 2013-05-15
    • R·贝拉兹尼
    • R·贝拉兹尼
    • G01T1/24
    • G01T1/247G01N23/04G01T1/17
    • 一种X射线数字传感器(100),其中,经配置用于接收光子(2)并将光子(2)转换成电荷(14)的半导体转换层(10)与半导体收集层(20)集成,所述半导体收集层(20)优选是CMOS ASIC,并由优选布置为六边形蜂窝图案的像素(22)形成,所述像素经配置以接收来自转换层(10)的电子(16),并且其中每个收集像素(22)包括N个鉴别器(24i),每个鉴别器经配置用于执行输入电荷(14)和自身阈值(25i)之间的比较,并用于在输入电荷(14)超过阈值时,执行0和1之间的瞬时转换,并且如果收集的电荷高于相应鉴别器(24i)中的阈值并低于紧接上部的鉴别器(24i+1)的阈值(25i+1),则与每个鉴别器(24i)关联的计数器(26i)分别保持不变或其自身计数增加1,而其他计数器经配置用于保持它们自身的计数不变,以使计数器在邻近阈值限定的N个相应的能量带中测量光子(2)。提供一种校准装置,其包括用于针对所有像素(22)同时致动的装置并在每个像素(22)中包括用于每个鉴别器(24i)的数模转换器(DAC,28i),所述数模转换器经配置用于接收预定数量的位的组合并生成对应于位的组合的电流;供应装置(206),其用于将电流供应到每个像素(22)的放大装置(203);逻辑装置(34),其驻留在每个像素中并经配置用于执行迭代过程(80)以识别偏移校正过程,其中位的组合被生成并被转移到DAC(28i),其生成对应的试验电流,所述电流通过供应装置(206)供应到放大装置(203),逻辑装置读取计数器(26i)的计数,并在计数因试验电流增加时,使得该过程重复,或者在计数未因试验电流增加时,将后者作为校正电流存储在像素(22)的存储器单元(35)中。