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1. 发明专利

JP6424573B2 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP6424573B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014226241
申请日：2014-11-06
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文
IPC分类号： H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/36
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181 , H01L2924/00012

2. 发明专利

JP2016134601A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016134601A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015010501
申请日：2015-01-22
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文 , 青木慎介
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/36
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】絶縁板が放熱板から受ける熱応力を低減させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子と、この半導体素子の一方主面に接合された放熱ブロックとが、樹脂部材で封止された構成である。放熱ブロックは、半導体素子側から順に、放熱板、第1の金属板、絶縁板、および第2の金属板が接合された構成を有しており、第1の金属板の線膨張係数は、放熱板の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低从施加到绝缘板的散热片的热应力的半导体器件。解决方案：本实施例的半导体器件具有将半导体元件和散热块结合到一个的组成半导体元件的主表面被树脂构件封装。散热块具有从半导体元件侧接合散热器，第一金属板，绝缘板和第二金属板的结构，第一金属板的线膨胀系数小于线膨胀散热片系数。图1

3. 发明专利

JP2015220253A 半導体モジュールの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体模块制造方法
公开(公告)号：JP2015220253A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014100558
申请日：2014-05-14
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/34 , H01L2924/13055 , H01L2924/181
摘要：【課題】放熱経路を形成する樹脂シートの厚さの均一化を図り、放熱性のバラツキを抑制することができる半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】加圧接合工程で、負側電極の第7面と正側電極の第2領域との間に高熱伝導絶縁樹脂シートが挟まれ、第7面と第2領域との対向方向に、高熱伝導絶縁樹脂シートが加熱されつつ加圧されることにより、第7面と高熱伝導絶縁樹脂シートの第8面とが接合され、高熱伝導絶縁樹脂シートの第9面と第2領域とが接合される。ハンダリフロー工程では、ハンダリフローにより、各部材及び各素子の接続が行われる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现用于形成散热路径的树脂片的均匀厚度以抑制散热性能的变化的半导体模块制造方法。解决方案：半导体模块制造方法包括：夹持的压接工艺在第七表面和第二区域的相反方向上，在负极的第七表面和正极的第二区域之间施加高的导热绝缘树脂片，同时向高导热性绝缘树脂片施加热量，高导热绝缘树脂片的第七表面和第八表面，并将高导热绝缘树脂片的第九表面结合到第二区域; 以及通过焊料回流连接每个部件和每个元件的焊料回流工艺。

4. 发明专利

JP2015208115A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015208115A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014087209
申请日：2014-04-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文 , 井手勇輝
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/34 , H01L23/40 , H01L23/48 , H02M7/48
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181
摘要：【課題】端子におけるインダクタンスを低減することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、冷却器90と、第1半導体モジュール10と、第2半導体モジュール20と、を備えている。また、半導体装置1は、第1半導体モジュール10に接続され、第1正極端子15と、第2半導体モジュール20に接続され、第2負極端子25を備えている。第1正極端子15は、第2負極端子25に近づくように延びる第1接近部32と、第1接近部32から延びる第1延在部33とを備えている。第2負極端子25は、第1正極端子15に近づくように延びる第2接近部42と、第2接近部42から延び、第1延在部43と並行して延びている第2延在部43とを備えている。冷却器90は、第1接近部32と並行して延びている金属の第1対向部73と、第2接近部42と並行して延びている金属の第2対向部83とを備えている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够降低端子电感的技术。解决方案：半导体器件1包括冷却器90，第一半导体模块10和第二半导体模块20.半导体器件1还包括第一正极连接到第一半导体模块10的端子15和连接到第二半导体模块20的第二负极端子25.第一正极端子15包括延伸以接近第二负极端子25的第一存取部分32和第一延伸部分从第一存取部分32延伸的第三部分33.第二负极端子25包括延伸以接近第一正电极端子15的第二存取部分42和从第二存取部分42延伸并延伸的第二延伸部分43 与第一延伸部分43平行。冷却器90包括以平行延伸的金属第一相对部分73 具有第一进入部分32和与第二进入部分42平行延伸的金属第二相对部分83。

5. 发明专利

JP2019137127A 操舵支援装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019137127A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018020192
申请日：2018-02-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文
IPC分类号： B60R21/00 , B62D6/00
摘要：【課題】操舵支援制御によるドライバビリティの低下を抑制する。【解決手段】操舵支援装置(200)は、走路上における自車両(10)の位置を推定する推定手段(210)と、推定された位置と、走路に関する情報を含む地図データ又は自車両の周辺認識結果の少なくとも一方とに基づいて、自車両が走行すべき経路を決定する決定手段(240)と、決定された経路を、自車両の運転者が目視可能な表示装置(140)に重畳表示する表示手段(240)と、運転者の視線が、重畳表示された経路に応じて動いたことを検出する検出手段(250)と、運転者の視線が、重畳表示された経路に応じて動いたことを条件に、決定された経路に沿って走行するように、自車両の操舵制御を行う制御手段(260)とを備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018032879A 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2018032879A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2017230537
申请日：2017-11-30
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：門口卓矢 , 中島清文 , 田中悠人 , 井手勇輝
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L23/29
摘要：【課題】半導体素子を封止している樹脂成形品の外部に絶縁シートを配置し、その絶縁シートに損傷が生じることを抑制する。【解決手段】半導体モジュール10は、半導体装置5と絶縁シート46と冷却器13が積層された構造を有する。半導体装置5は、半導体素子56と、半導体素子56に接続されている伝熱板46と、半導体素子56と伝熱板46を封止している樹脂成形品48で構成されている。樹脂成形品48の側面48bは、樹脂成形品48の絶縁シート46に接触する接触面48aと直交する直交方向に対して、樹脂成形品48の中心から離れるように傾斜している。直交方向に対する側面48bの傾斜角は、3°以上17°以下である。【選択図】図3

7. 发明专利

JP2017194772A 覚醒度判定装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017194772A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016083467
申请日：2016-04-19
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文
IPC分类号： A61B5/18 , G08G1/16
摘要：【課題】運転者の覚醒度を好適に判定する。【解決手段】覚醒度判定装置は、第1期間において閉眼率を算出する算出手段(130)と、第1期間における所定の動作の回数を検出する第1検出手段(140)と、第2期間における所定の動作の回数を単位時間毎に検出する第2検出手段(140)と、閉眼率が所定の閾値以上である場合に、所定の動作を覚醒度低下に関連する動作であると判定する第1判定手段(150)と、閉眼率が所定の閾値未満である場合に、第1期間における単位時間あたりの動作回数が、第2期間における単位時間あたりの動作回数よりも多いと所定の動作を覚醒度低下に関連する動作でないと判定し、第1期間における単位時間あたりの動作回数が、第2期間における単位時間あたりの動作回数よりも多くないと所定の動作を覚醒度低下に関連する動作であると判定する第2判定手段(150)とを備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2016127208A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016127208A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2015001661
申请日：2015-01-07
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：門口卓矢 , 中島清文 , 青木慎介
IPC分类号： H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】絶縁基板の両面に金属層が設けられた放熱板を備えながら、封止樹脂の十分な充填を達し得る半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体素子Dと、半導体素子1からの熱を放熱する放熱板12,22と、半導体素子1および放熱板12,22の周囲を封止する封止樹脂41とを備える。放熱板12,22は、絶縁基板12b、22bと、絶縁基板12b、22bの半導体素子1側の面上に積層された第1の金属層12a、22aと、絶縁基板12b、22bの半導体素子1側と反対側の面上に積層された第2の金属層12c、22cとを有する。第2の金属層12c、22cの絶縁基板12b、22b側と反対側の面は、封止樹脂41の外側に露出しており、第2の金属層12c、22cの外周縁の全体が絶縁基板12b、22bの外周縁よりも外側にある。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供即使在具有在绝缘基板的两个表面上设置有金属层的散热器的情况下也能够实现密封树脂的充分充电的半导体器件。解决方案：半导体器件1包括：半导体元件D; 用于从半导体元件D辐射热量的散热器12,22; 以及用于密封半导体元件D和散热片12,22的密封树脂41。散热片12,22具有：绝缘基板12b，22b; 层叠在半导体元件D侧的绝缘基板12b，22b上的第一金属层12a，22a; 以及层叠在与半导体元件D相反的一侧的绝缘基板12b，22b上的第二金属层12c，22c。与绝缘基板12b，22b相反一侧的第二金属层12c，22c的表面从外部暴露于密封树脂41和第二金属层12c，22c的外周边缘的整个区域位于绝缘基板12b，22b的外周边缘的外侧。图1

9. 发明专利

JP2016115806A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016115806A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014253272
申请日：2014-12-15
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：門口卓矢 , 中島清文 , 青木慎介
IPC分类号： H01L23/29
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】放熱板に備えられた絶縁基板から封止樹脂が剥離することを抑制することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】本半導体装置は、半導体素子と、半導体素子からの熱を放熱する放熱板と、半導体素子および放熱板の周囲を封止する封止樹脂とを備え、放熱板は、セラミックスよりなる絶縁基板と、絶縁基板の両面に積層された金属層とを有し、絶縁基板の側面に金属被膜が設けられている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制从设置在散热板上的绝缘基板剥离密封树脂的半导体器件。解决方案：半导体器件包括半导体元件，散热板半导体元件和用于封装半导体元件和散热板的周边的封装树脂。散热板具有由陶瓷形成的绝缘基板和层压在绝缘基板两侧的金属层。在绝缘基板的侧面上设置金属涂层。图1：

10. 发明专利

JP2015191902A 半導体モジュール审中-公开
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2015191902A
公开(公告)日：2015-11-02
申请号：JP2014065677
申请日：2014-03-27
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：中島清文 , 井手勇輝
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/29 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/40137
摘要：【課題】半導体モジュールの寄生インダクタンスを低減する。【解決手段】半導体モジュール1は、板状のモールド部90の上面90uに露出した上面51uを有する上相ブロック51と、モールド部90の上面90uに露出した上面71auを有する下相第一ブロック71aと、モールド部90内に配置され、上相放熱板50を介して上相ブロック51に接続された上相第一素子部11と、下相第一ブロック71aに接続された下相第一素子部21と、モールド部90の上面90u側に配置され、上相ブロック51及び下相第一ブロック71aに接続されたコンデンサ30とを備える。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：减少半导体模块的寄生电感。解决方案：半导体模块1包括：具有暴露在平板状模具部分90的上表面90u上的上表面51u的上相块51; 具有在模具部件90的上表面90u上露出的上表面71au的下相位第一块71a; 设置在模具部件90中并通过上部相位散热器50连接到上部相位块51的上部相位第一元件部分11; 连接到下相第一块71a的下相位第一元件部21; 以及电容器30，其配置在上表面90u侧的模具部90上，并连接到上相块51和下相第一块71a。

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