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1. 发明专利

JP6404739B2 半導体モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP6404739B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2015025543
申请日：2015-02-12
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：西部祐司 , 長田裕司 , 臼井正則 , 桑原誠 , 三浦進一 , 吉田忠史
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

2. 发明专利

JP2018129388A 半導体装置とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018129388A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021323
申请日：2017-02-08
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：神谷真行
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/18 , H01L23/3107 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/522 , H01L24/32 , H01L29/1608 , H01L2224/33 , H01L2224/92247
摘要：【課題】金属ブロックの下部のはんだ層が薄くなることを抑制する。【解決手段】半導体装置であって、配線部材と、配線部材の上部に配置されている半導体チップと、半導体基板の上部に配置されている金属ブロックを有する。半導体チップが、半導体基板と、下部電極と、上部大電極と、上部小電極を有する。半導体チップが、その重心に対して上部小電極側に位置する第1部分と、反対側に位置する第2部分を有している。金属ブロックの重心が第2部分の上部に配置されている。下部電極が、下部はんだ層によって配線部材に接続されている。下部はんだ層が、はんだ母材と金属粒子を有する。第2部分の下部に位置する下部はんだ層中に占める金属粒子の体積比率が、第1部分の下部に位置する下部はんだ層中に占める金属粒子の体積比率よりも高い。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018116994A パワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2018116994A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017005684
申请日：2017-01-17
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：大開智哉 , 大井宗太郎
IPC分类号： H01L23/40 , H01L23/36 , H01L23/12 , H01L23/34 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/52 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】銀焼結接合層により接合信頼性を高めつつ半導体素子への損傷も防止することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワーモジュール用基板に搭載された半導体素子は、その一方の面が第1銅系低線膨張材に銀焼結接合層を介して接合され、他方の面が銅又は銅合金と低線膨張率材とを含む第2銅系低線膨張材からなるリードフレームに銀焼結接合層を介して接合されており、これら第1銅系低線膨張材と第2銅系低線膨張材とは、線膨張係数の差が5ppm/℃以下である。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2018517302A クリップシフトを低減させつつ半導体ダイを取り付けるための導電性クリップを具備するリードフレーム审中-公开
公开(公告)号：JP2018517302A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2017563996
申请日：2016-05-11
申请人：ヴィシェイジェネラルセミコンダクター,エルエルシー , VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR,LLC
发明人：フイ−イン・ディン , ペンニアン・ワン , タオ・ユ , ジュン−フェン・リュウ , ジュン−カイ・バイ , チー−ピン・ペン
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49513 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L2021/6027 , H01L2021/60277 , H01L2224/04026 , H01L2224/05644 , H01L2224/291 , H01L2224/32145 , H01L2224/33 , H01L2224/33181 , H01L2224/37012 , H01L2224/37013 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/37166 , H01L2224/40105 , H01L2224/40245 , H01L2224/40499 , H01L2224/73263 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83466 , H01L2224/83815 , H01L2224/84345 , H01L2224/84385 , H01L2224/92246 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要：半導体アセンブリは、下側電気接点及び上側電気接点を備えている半導体ダイを含んでいる。リードフレームは、半導体ダイの下側電気接点に電気的に且つ機械的に接続されている下側ダイパッドを有している。上側導電性部材は、半導体ダイの上側電気接点に電気的に且つ機械的に接続されている第1の部分を有している。リード端子は、上側導電性部材の第2の部分に電気的に且つ機械的に接続されている表面部分を有している。リード端子の表面部分及び/又は上側導電性部材の第2の部分が、一連の溝を有している。パッケージング材料は、半導体ダイとリードフレームの少なくとも一部分と上側導電性部材の少なくとも一部分とリード端子の少なくとも一部分とをカプセル化している。

5. 发明专利

JP2018098251A 半導体モジュールとその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018098251A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016238568
申请日：2016-12-08
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：山田由香 , 伊関崇
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/28 , H01L23/50
CPC分类号： H01L2224/33 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要：【課題】リードフレームと樹脂体の接合強度を向上させることで高い信頼性を有する半導体モジュールを提供する。【解決手段】リードフレームと、リードフレームに搭載されている半導体素子と、リードフレームの表面のうち少なくとも半導体素子が搭載される搭載面を被覆している非晶質膜と、半導体素子を封止するとともに、非晶質膜を介してリードフレームに接合している樹脂体と、を備えており、非晶質膜は、OまたはNを含み、樹脂体は、官能基中または主鎖中にOまたはNを含む、半導体モジュール。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018046049A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018046049A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016177591
申请日：2016-09-12
申请人：本田技研工業株式会社
发明人：山田友子 , 萩本隆寛 , 采女貴寛
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/50
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】半導体素子に形成されたパッドと信号線とをワイヤボンディングによらず電気的に接続できる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置1は、板状の半導体素子3と、半導体素子3の上面31に形成されたパッド36と、パッド36とはんだによって接続された信号ピン4と、を備える。信号ピン4は、半導体素子3と略平行に延びる棒状の信号線41と、信号線41の先端側に設けられかつ半導体素子3に対し略垂直に延びる台座部43と、を備える。台座部43の底面431は、パッド36と略平行でありかつその面積は信号線41の長手方向に対し略垂直な断面積よりも大きい。また信号ピン4は、その底面431においてパッド36と第4はんだ層28によって接続されている。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018032742A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018032742A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016164000
申请日：2016-08-24
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：林将司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】半導体素子の表面電極を接合するはんだ層に生じる熱応力を低減する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子10と導電板20を備えている。半導体素子10は、ほぼ矩形の表面を備えており、表面の一辺に沿った位置に信号電極18群が形成されており、信号電極18群を避けた位置に表面電極12が形成されており、裏面に裏面電極が形成されている。導電板20は、表面電極12と裏面電極の少なくとも一方に導通しており、他の部材に向けて延びるバスバー24を備えている。表面電極12は円弧上に面取りされた四隅を備えており、その四隅は、信号電極18群からも遠くてバスバー24からも遠い一隅41と、その一隅41よりも信号電極18群またはバスバー24に近い三隅42,43,44に分類可能である。一隅41の曲率半径は、三隅42,43,44の曲率半径より大きい。表面電極12を接合するはんだ層34の輪郭は、表面電極12の輪郭に対応している。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2017224751A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017224751A
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：JP2016119800
申请日：2016-06-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：出口昌孝
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】本明細書が開示する技術は、パワーカードと冷却器とが絶縁部材を挟んで積層されている半導体装置に関し、絶縁性の確保と、半導体装置の厚み維持の両立を図る。【解決手段】半導体装置2は、半導体素子Ta、Tbを収容したパワーカード10と冷却器3とが絶縁板6a、6bを挟んで積層されているとともに積層方向に加圧されている。パワーカード10の表面には、半導体素子Ta、Tbで発生する熱を放出する導電性の放熱板16a、16b、17が露出している。絶縁板6a、6bには、放熱板16a、16b、17に対向する位置に孔が形成されている。孔には、絶縁板6a、6bよりも軟らかい絶縁部材8a、8bが充填されている。【選択図】図2

9. 发明专利

JP6228490B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6228490B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2014041862
申请日：2014-03-04
申请人：ローム株式会社
发明人：林健二 , 須崎哲広
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29 , H01L21/52
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L29/7393 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/33 , H01L23/3107

10. 发明专利

JP2017168553A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168553A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016050677
申请日：2016-03-15
申请人：ローム株式会社
发明人：山▲崎▼ 克人 , 団迫誠
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/60 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/32245 , H01L2224/33
摘要：【課題】小型化を図りつつ、大電流に対応するとともに、放熱性の向上を図った半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】厚さ方向において互いに反対側を向く第1電極111および第2電極112が形成された半導体素子11と、第1電極111に導通する素子接続部21と、第1実装面221を有する端子部22と、素子接続部21と端子部22とにつながる中間連絡部23と、を含む第1リード2と、半導体素子11の厚さ方向において互いに反対側を向く素子搭載面32および第2実装面31を有し、かつ素子搭載面32が第2電極112に導通する第2リード3と、半導体素子11とを覆う封止樹脂4と、を備え、第1リード2は、一体成形された導電性基材からなり、第1実装面221および第2実装面31が、ともに封止樹脂4から露出し、かつ第2実装面31の面積が、第1実装面221の面積よりも大である。【選択図】図4

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