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发光装置

阅读：655发布：2021-02-21

IPRDB可以提供发光装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提高蓝绿色的光与黄色或者黄绿色的光的颜色纯度。发光装置(100)至少发出蓝绿色的光以及黄绿色的光，其具备：基板(51)；LED芯片群；和将LED芯片群一起密封的密封树脂部(50)，LED芯片群至少包含：绿色LED芯片(GB)以及绿色LED芯片(GY)、蓝色LED芯片(B)、和红色LED芯片(R)，绿色LED芯片(GB)的主波长比绿色LED芯片(GY)的主波长短。，下面是发光装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种发光装置，其至少发出蓝绿色的光和黄色或者黄绿色的光，其特征在于，具备：基板；

LED芯片群，其被配置于上述基板的主表面侧且由多个LED芯片构成；和密封部，其将上述LED芯片群一起密封，

上述LED芯片群包括：

包含第1绿色LED芯片以及第2绿色LED芯片的至少2个绿色LED芯片；

至少1个蓝色LED芯片；和

至少1个红色LED芯片，

上述第1绿色LED芯片的主波长比上述第2绿色LED芯片的主波长短，上述第1绿色LED芯片与上述至少1个蓝色LED芯片之中的至少1个相邻配置，上述第2绿色LED芯片与上述至少1个红色LED芯片之中的至少1个相邻配置，在上述发光装置的俯视下规定了相互正交的垂直方向以及水平方向的情况下，(A)在上述垂直方向观察时，上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述红色LED芯片的指向特性基本一致，且上述蓝色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致，并且，(B)在上述水平方向观察时，上述红色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致，且上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述蓝色LED芯片的指向特性基本一致，或者，(C)在上述垂直方向观察时，上述第2绿色LED芯片以及上述第1绿色LED芯片的混色指向特性与上述红色LED芯片的指向特性和上述蓝色LED芯片的指向特性基本一致，并且，(D)在上述水平方向观察时，上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，上述第1绿色LED芯片的主波长是480nm以上且520nm以下，上述第2绿色LED芯片的主波长是520nm以上且560nm以下。

3.根据权利要求1或者2所述的发光装置，其特征在于，主波长最长的绿色LED芯片的主波长比其他的各绿色LED芯片的主波长长20nm以上。

4.根据权利要求1或者2所述的发光装置，其特征在于，在CIE色度图中的xy色度坐标上，

主波长最长的绿色LED芯片的x的值与其他的各绿色LED芯片的x的值的差是0.06以上。

说明书全文

发光装置

技术领域

[0001] 本发明涉及使用了LED(Light Emitting Diode：发光二极管)芯片的发光装置。

背景技术

[0002] 专利文献1中公开了一种发出R(红)G(绿)B(蓝)的基本色的图像显示装置用的发光单位块，即公开了一种具备红色系发光二极管元件、蓝色系发光二极管元件、至少1个黄绿色系发光二极管元件、至少1个蓝绿色系发光二极管元件，且所述各发光二极管元件被相互接近地配置的发光单位块。

[0003] 对此，以往，相当于专利文献1所涉及的1个发光二极管元件的部件并且进行各种颜色的发光的、使用了LED芯片的多色发光装置的开发正在进行。特别地，能够较大地扩大颜色的再现范围的装饰用或者照明器具用的发光装置的开发正在进行。

[0004] 作为这样的发光装置的一个例子，专利文献2中记载了提高显示装置的颜色再现性，公开了将蓝色发光元件、绿色发光元件和红色发光荧光体组合的发光模块。

[0005] 在先技术文献

[0006] 专利文献

[0007] 专利文献1：日本公开专利公报“特开平10-161567号公报(1998年6月19日公开)”[0008] 专利文献2：日本公开专利公报“特开2012-69572号公报(2012年4月5日公开)”发明内容

[0009] -发明要解决的课题-

[0010] 发光装置的绿色LED芯片一般为了兼得单色发光时的绿色发色和基于红色以及绿色发光的黄色发色，主波长范围被设为520nm～530nm。但是，该绿色LED芯片发出的光的颜色纯度不佳，由此，产生基于蓝色以及绿色发光(混色)的蓝绿色的光、以及基于红色以及绿色发光(混色)的黄色或者黄绿色的光的颜色纯度不太好的问题。

[0011] 本发明鉴于上述的课题而作出，其目的在于，提供一种能够提高蓝绿色的光与黄色或者黄绿色的光的颜色纯度的发光装置。

[0012] -解决课题的手段-

[0013] 为了解决上述的课题，本发明的一方式所涉及的发光装置至少发出蓝绿色的光和黄色或者黄绿色的光，其特征在于，具备：基板；被配置于上述基板的主表面侧的由多个LED芯片构成的LED芯片群；和将上述LED芯片群一起密封的密封部，上述LED芯片群包含：包含第1绿色LED芯片以及第2绿色LED芯片的至少2个绿色LED芯片；至少1个蓝色LED芯片；和至少1个红色LED芯片，上述第1绿色LED芯片的主波长比上述第2绿色LED芯片的主波长短，上述第1绿色LED芯片的主波长比上述第2绿色LED芯片的主波长短，上述第1绿色LED芯片与上述至少1个蓝色LED芯片之中的至少1个相邻配置，上述第2绿色LED芯片与上述至少1个红色LED芯片之中的至少1个相邻配置，在上述发光装置的俯视下规定了相互正交的垂直方向以及水平方向的情况下，(A)在上述垂直方向观察时，上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述红色LED芯片的指向特性基本一致，且上述蓝色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致，并且，(B)在上述水平方向观察时，上述红色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致，且上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述蓝色LED芯片的指向特性基本一致，或者，(C)在上述垂直方向观察时，上述第2绿色LED芯片以及上述第1绿色LED芯片的混色指向特性与上述红色LED芯片的指向特性和上述蓝色LED芯片的指向特性基本一致，并且，(D)在上述水平方向观察时，上述第2绿色LED芯片的指向特性与上述第1绿色LED芯片的指向特性基本一致。

[0014] -发明效果-

[0015] 根据本发明的一方式，能够提高蓝绿色的光和黄色或者黄绿色的光的颜色纯度。

附图说明

[0016] 图1是本发明的实施方式1所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0017] 图2是本发明的实施方式1所涉及的发光装置的俯视图，是图示了密封树脂部的图。

[0018] 图3是将图2所示的发光装置的俯视图与其主要部的A-A′示意剖视图进行对比的图。

[0019] 图4是表示从发光装置得到的光的颜色的再现范围的色度图。

[0020] 图5是本发明的实施方式2所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0021] 图6是本发明的实施方式3所涉及的通常例的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0022] 图7是本发明的实施方式3所涉及的变形例的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0023] 图8是本发明的实施方式4所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0024] 图9是图1所示的发光装置的背面的俯视图。

[0025] 图10是本发明的实施方式5所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0026] 图11是表示图10所示的发光装置的光强度相对于出射角度的关系的图，(a)是在垂直方向观察该发光装置时的特性，(b)是在水平方向观察该发光装置时的特性。

[0027] 图12是本发明的实施方式6所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0028] 图13是表示图12所示的发光装置的光强度相对于出射角度的关系的图，(a)是在垂直方向观察该发光装置时的特性，(b)是在水平方向观察该发光装置时的特性。

具体实施方式

[0029] 〔发明的概要〕

[0030] 提供一种多个LED芯片单独地、使混色以及颜色纯度良好并能够较大地扩发颜色的再现范围的多色发光装置。

[0031] 在具有RGB的LED芯片的多色发光装置中，将包含第1绿色LED芯片以及第2绿色LED芯片的至少2个绿色LED芯片、蓝色LED芯片和红色LED芯片搭载于1个封装件，使第1绿色LED芯片的主波长相对于第2绿色LED芯片的主波长为短波长。此外，优选将第1绿色LED芯片的主波长设为480nm以上且520nm以下，将第2绿色LED芯片的主波长设为530nm以上且560nm以下，将蓝色LED芯片的主波长设为460nm以上且480nm以下，将红色LED芯片的主波长设为610nm以上且630nm以下。但是，在并用黄色LED芯片的情况下，也考虑第2绿色LED芯片的主波长为520nm以上且560nm以下的情况。由此，由于能够提高蓝绿色的光以及黄色或者黄绿色的光的颜色纯度，因此能够实现颜色纯度良好的多色发光装置。

[0032] 进一步地，通过使蓝色LED芯片和第1绿色LED芯片相邻地搭载，能够使被混色的蓝绿色的色调良好。此外，通过使红色LED芯片和第2绿色LED芯片相邻地搭载，能够使混色的黄色或者黄绿色的色调良好。

[0033] 优选绿色区域的最长波长绿色LED芯片的主波长与除此以外的绿色LED芯片的主波长的差为20nm以上。

[0034] 在CIE色度图中的xy色度坐标上，优选绿色区域的最长波长绿色LED芯片的x的值与除此以外的绿色LED芯片的x的值的差为0.06以上。

[0035] 〔实施方式1〕

[0036] 图1是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0037] 图2是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是图示了密封树脂部的图。

[0038] 图3是将图2所示的发光装置的俯视图与其主要部的A-A′示意剖视图进行对比的图。

[0039] 图1～图3所示的发光装置100是至少发出蓝绿色的光和黄色或者黄绿色的光的多色发光装置。

[0040] 发光装置100具备树脂制反射器70。树脂制反射器70反射光。

[0041] 此外，发光装置100具备：包含阴极用外部引线以及阳极用外部引线的6个外部引线部90、内部引线部60、共用内部引线部62、开口部80、阳极标记95。

[0042] 进一步地，发光装置100具备：绿色LED芯片(第1绿色LED芯片)GB、绿色LED芯片(第2绿色LED芯片)GY、蓝色LED芯片B、红色LED芯片R、基板51、以及密封树脂部(密封部)50。

[0043] 绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R是被树脂制反射器70包围的LED芯片群。此外，基板51例如图3所示，是树脂制反射器70的一部分，在其一面侧(基板51的主表面侧)，配置有绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R。绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R被配置为四角形状(这里是矩形)，在发光装置100中，右旋地按照绿色LED芯片GY、红色LED芯片R、蓝色LED芯片B、绿色LED芯片GB的顺序而配置。并且，绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R如图2所示，被1个密封树脂部50一起密封。

[0044] 具体来讲，在开口部80的内侧，配置有绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R。此外，在开口部80的内侧形成内部引线部60以及共用内部引线部62。

[0045] 内部引线部60具有LED芯片的总数以上(图1中为5个，图8中为4个)的芯片搭载区域。此外，绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R分别与同一共用内部引线部62和内部引线部60所分别对应的(不同的)芯片搭载区域连接。这些各连接通过键合线40来进行。内部引线部60的各芯片搭载区域以及共用内部引线部62与对应的1个外部引线部90连接。

[0046] 在发光装置100的俯视下，发光装置100的尺寸为3.2mm×3.5mm。

[0047] 这里，绿色LED芯片GB的主波长比绿色LED芯片GY的主波长短。所谓主波长，是指将人眼观察以LED为首的发光元件的光而得到的色调数值化的波长。

[0048] 更具体来讲，优选绿色LED芯片GB的主波长为480nm以上且520nm以下，绿色LED芯片GY的主波长为530nm以上且560nm以下。例如，能够设为绿色LED芯片GB的主波长是504nm，绿色LED芯片GY的主波长是538nm或者540nm。在这些情况下，进一步地，主波长最长的绿色LED芯片GY的主波长比其他各绿色LED芯片(这里仅绿色LED芯片GB)的主波长长20nm以上。此外，例如，能够设为蓝色LED芯片B的主波长为465nm。此外，例如，能够设为红色LED芯片R的主波长为626nm。

[0049] 优选绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R集中于基板51的主表面的尽量中央。特别地，在发光装置100中，绿色LED芯片GB被与蓝色LED芯片B相邻地配置，绿色LED芯片GY被与红色LED芯片R相邻地配置。另一方面，也可以绿色LED芯片GB以及蓝色LED芯片B的任意一个与绿色LED芯片GY以及红色LED芯片R的任意一个的分离距离比绿色LED芯片GB与蓝色LED芯片B的分离距离以及绿色LED芯片GY与红色LED芯片R的分离距离这两者大。

[0050] 通过将绿色LED芯片GB与蓝色LED芯片B相邻地配置，在发光装置100中，绿色的光与蓝色的光更良好地混色，能够进一步实现颜色纯度高的蓝绿色的光。此外，通过将绿色LED芯片GY与红色LED芯片R相邻地配置，在发光装置100中，绿色的光与红色的光更良好地混色，能够进一步实现颜色纯度高的黄色或者黄绿色的光。

[0051] 接下来，对发光装置100的制造工序的概略进行说明。

[0052] 首先，分别准备1个绿色LED芯片GB(主波长504nm)、绿色LED芯片GY(主波长538nm)、蓝色LED芯片B(主波长465nm)以及红色LED芯片R(主波长626nm)，通过粘合用硅酮树脂来将这些固定于设置在基板51的主表面侧的内部引线部60的各芯片搭载区域。粘合用硅酮树脂以150℃使其固化5个小时。

[0053] 接下来，通过键合线40来将绿色LED芯片GB与共用内部引线部62以及内部引线部60所对应的芯片搭载区域连接。对于绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R也进行同样的连接。此时，共用内部引线部62作为阴极而起作用，内部引线部60的各芯片搭载区域作为阳极而起作用。

[0054] 接下来，向开口部80注入硅酮树脂，形成密封树脂部50。注入的硅酮树脂最初以100℃固化1个小时后，以150℃固化5个小时。

[0055] 图4是表示从发光装置得到的光的颜色的再现范围的色度图。在图4所示的色度图中，在一般的CIE色度图上绘制了基于发光装置的各LED芯片发出的光的色度。

[0056] 以点GB、点GY、点B、点R为顶点的四角形为发光装置100能够发出的光的色度范围，其中，点GB表示基于绿色LED芯片GB发出的光的色度、点GY表示基于绿色LED芯片GY发出的光的色度、点B表示基于蓝色LED芯片B发出的光的色度、点R表示基于红色LED芯片R发出的光的色度。另一方面，以表示基于通常的绿色LED芯片G发出的光的色度的点G、点B、点R为顶点的三角形为一般的发光装置能够发出的光的色度范围。可知发光装置100与一般的发光装置相比，能够扩大蓝绿色区域(x：0.1，y：0.5左右)以及黄色或者黄绿色区域(x：0.25，y：0.65左右)的色度范围。

[0057] 在CIE色度图中的xy色度坐标上，优选主波长最长的绿色LED芯片GY的x的值与其他的各绿色LED芯片(这里仅为绿色LED芯片GB)的x的值的差是0.06以上。

[0058] 作为发光装置100的动作的一个例子，考虑将蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R的动作电流设为20mA(毫安)，将绿色LED芯片GB以及绿色LED芯片GY的动作电流设为10mA。

[0059] 发光装置100也可以具备保护至少1个LED芯片的至少1个保护元件。作为该保护元件的一个例子，举例有印刷电阻或者齐纳二极管。

[0060] 〔实施方式2〕

[0061] 图5是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。另外，为了方便说明，在以下的各实施方式中，对于具有与上述任意的实施方式中说明的部件相同的功能的部件，付与相同的符号，省略其说明。

[0062] 图5所示的发光装置200在下述方面与图1所示的发光装置100不同，除此以外的方面与图1所示的发光装置100实质相同。

[0063] 也就是说，发光装置200不具备绿色LED芯片GB，取而代之具备绿色LED芯片(第1绿色LED芯片)BT。此外，发光装置200的绿色LED芯片GY的位置和红色LED芯片R的位置与发光装置100相反。其结果，绿色LED芯片BT与绿色LED芯片GY被对角配置，蓝色LED芯片B与红色LED芯片R被对角配置。

[0064] 绿色LED芯片BT的主波长比绿色LED芯片GY的主波长短，此外，优选为480nm以上且520nm以下。例如，绿色LED芯片BT的主波长能够设为498nm。在这些情况下，进一步地，主波长最长的绿色LED芯片GY的主波长比其他的各绿色LED芯片(这里仅指绿色LED芯片BT)的主波长长20nm以上。

[0065] 通过粘合用硅酮树脂来将绿色LED芯片BT(主波长498nm)固定于设置在基板51的主表面侧的内部引线部60所对应的芯片搭载区域。粘合用硅酮树脂以150℃固化5个小时。

[0066] 对于绿色LED芯片BT，也与绿色LED芯片GB同样地，通过键合线40，与共用内部引线部62以及内部引线部60所对应的芯片搭载区域连接。

[0067] 参照图4，以表示基于绿色LED芯片BT发出的光的色度的点BT、点GY、点B、点R为顶点的四角形为发光装置200能够发出的光的色度范围。可知发光装置200与一般的发光装置相比，能够扩大蓝绿色区域以及黄色或者黄绿色区域的色度范围。

[0068] 在CIE色度图中的xy色度坐标上，优选主波长最长的绿色LED芯片GY的x的值与其他的各绿色LED芯片(这里仅指绿色LED芯片BT)的x的值的差是0.06以上。

[0069] 即使绿色LED芯片BT与绿色LED芯片GY被对角配置，蓝色LED芯片B与红色LED芯片R被对角配置，蓝绿色以及黄色或者黄绿色的色调也良好。

[0070] 发光装置200也可以具备保护至少1个LED芯片的至少1个保护元件。作为该保护元件的一个例子，能够举例有印刷电阻或者齐纳二极管。

[0071] 〔实施方式3〕

[0072] 图6是本实施方式所涉及的通常例的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0073] 图6所示的发光装置300在下述的方面与图1所示的发光装置100不同，除此以外的方面与图1所示的发光装置100实质相同。

[0074] 也就是说，发光装置300进一步具备绿色LED芯片G。

[0075] 绿色LED芯片G是被用于一般的发光装置的绿色LED芯片，其主波长为520nm以上且530nm以下(例如，525nm)。

[0076] 通过粘合用硅酮树脂来将绿色LED芯片G(主波长525nm)固定于设置在基板51的主表面侧的、内部引线部60所对应的芯片搭载区域。粘合用硅酮树脂以150℃固化5个小时。

[0077] 对于绿色LED芯片G，也与绿色LED芯片GB同样地，通过键合线40来与共用内部引线部62以及内部引线部60所对应的芯片搭载区域连接。

[0078] 图7是本实施方式所涉及的变形例的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0079] 图7所示的发光装置350在下述的方面与图6所示的发光装置300不同，除此以外的方面与图6所示的发光装置300实质相同。

[0080] 也就是说，发光装置350的绿色LED芯片GB的位置和蓝色LED芯片B的位置、以及绿色LED芯片GY的位置和红色LED芯片R的位置与发光装置300相反。

[0081] 参照图4，以点GB、点GY、点B、点R、表示基于绿色LED芯片G发出的光的色度的点G为顶点的五角形为发光装置300以及发光装置350能够发出的光的色度范围。可知发光装置300以及发光装置350与一般的发光装置相比，均能够扩大蓝绿色区域以及黄色或者黄绿色区域的色度范围。

[0082] 通过进一步设定绿色LED芯片G，在照明时，能够使物品的颜色看起来更自然。其中，在将绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R考虑为一个发光的组的情况下，绿色LED芯片G发出的光的颜色纯度比该组发出的光的颜色纯度稍差。因此，在将绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R配置为成四角形状的情况下，如图6以及图7所示，优选绿色LED芯片G配置于该四角形状的外侧。

[0083] 发光装置300以及发光装置350也可以均具备保护至少1个LED芯片的至少1个保护元件。作为该保护元件的一个例子，举例有印刷电阻或者齐纳二极管。

[0084] 〔各LED芯片的特性例〕

[0085] 作为表1，将绿色LED芯片GB以及绿色LED芯片GY的特性表示于表。另外，表1中，“λd”是主波长，“CIE_x”是CIE色度图中的xy色度坐标上的x的值，“CIE_y”是该坐标上的y的值。

[0086] 作为表2以及表3，将各实施方式中使用的各LED芯片的特性表示于表。另外，表2中，芯片尺寸的“t”是LED芯片的高度(单位：μm)。此外，表3中，虽然绿色LED芯片BP以及绿色LED芯片BR在上述的各实施方式中未提及，但图4中示出了表示基于绿色LED芯片BP发出的光的色度的点BP以及表示基于绿色LED芯片BR发出的光的色度的点BR。

[0087] 另外，希望注意，表1～表3所示的特性仅仅是一个例子。

[0088] [表1]

[0089]LED芯片 λd(nm) CIE_x CIE_y
绿色LED芯片GB 504 0.081 0.567
绿色LED芯片GY 540 0.245 0.71
特性差 36 0.164 0.143

[0090] [表2]

[0091]LED芯片主波长(nm) 光度(mcd) 芯片尺寸
红色LED芯片R 610-630 350-450 240μm×240μm×100t
绿色LED芯片G 520-530 530-770 296μm×321μm×90t
蓝色LED芯片B 460-480 90-125 296μm×321μm×90t

[0092] [表3]

[0093]LED芯片主波长(nm)
绿色LED芯片BP 489
绿色LED芯片BR 495
绿色LED芯片BT 498
绿色LED芯片GB 504
绿色LED芯片GY 538

[0094] 〔实施方式4〕

[0095] 图8是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0096] 图8所示的发光装置400的下述方面与图1所示的发光装置100不同，除此以外的方面与图1所示的发光装置100实质相同。

[0097] 也就是说，发光装置400不具备内部引线部60以及共用内部引线部62，取而代之地具备内部引线部65以及共用内部引线部67。此外，发光装置400的外部引线部90的数量比发光装置100的外部引线部90的数量少2个、为4个。另一方面，发光装置400在图8的纸面右上具备尺寸比外部引线部90大的外部引线部96。此外，在发光装置400中，右旋地按照蓝色LED芯片B、绿色LED芯片GY、红色LED芯片R、绿色LED芯片GB的顺序而被配置。

[0098] 共用内部引线部67具有T字的形状。内部引线部60的芯片搭载区域的数量是5个，但内部引线部65的芯片搭载区域的数量是4个。图8的纸面右上的芯片搭载区域与外部引线部96连接。

[0099] 在发光装置400中，考虑蓝色LED芯片B的散热性，成为蓝色LED芯片B与外部引线部96连接的结构。绿色LED芯片GY与绿色LED芯片GB被对角配置。由此，在发光装置400中，能够实现高散热性。

[0100] 如发光装置400所示，内部引线部、共用内部引线部以及外部引线的结构并不限定于发光装置100所示的部件。

[0101] 发光装置400也可以具备保护至少1个LED芯片的至少1个保护元件。作为该保护元件的一个例子，能够举例有印刷电阻或者齐纳二极管。

[0102] 另外，构成LED芯片群的LED芯片的数量可以如发光装置100等那样是4个，也可以如发光装置300等那样是5个，还可以是6个以上。换言之，也可以增加绿色LED芯片、蓝色LED芯片以及红色LED芯片的至少一个的数量。其中，需要注意的是，若构成LED芯片群的LED芯片的数量过高，则导致高成本化。

[0103] 〔发光装置的背面〕

[0104] 图9是图1所示的发光装置100的背面100′的俯视图。另外，为了容易说明，通过虚线来表示了本来图9中不能看到的、图1所示的基板51的主表面上的各部件。

[0105] 为了提高基于从相邻的各LED芯片发出的光的混色的颜色纯度，进一步为了扩大颜色的再现范围，需要通过在发光装置100的背面100′设置贯通孔75来抑制内部引线部60的高度的偏离。

[0106] 贯通孔75与内部引线部60的每个芯片搭载区域对应设置，贯通树脂性反射器70，到达对应的芯片搭载区域的背面。贯通孔75是为了使内部引线部60的上表面的高度对齐、防止内部引线部60的高度的偏离而被设置的。

[0107] 由于在发光装置100设置了多个LED芯片，因此若内部引线部60的上表面的高度对齐，则容易减少接合不良。此外，尽管绿色LED芯片GB、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及红色LED芯片R被共同地与共用内部引线部62引线键合，但由此也容易减少键合不良。该结构适合内部引线部60具有多个芯片搭载区域(引线键合位置变多)的情况。通过该结构，在发光装置100中，能够提高基于从相邻的各LED芯片发出的光的混色的颜色纯度，能够进一步扩大颜色的再现范围。

[0108] 当然，也可以在发光装置200、300、350、400、500(后述)、600(后述)的背面设置贯通孔75。

[0109] 〔实施方式5〕

[0110] 图10是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0111] 图10所示的发光装置500的下述方面与图1所示的发光装置100不同，除此以外的方面与图1所示的发光装置100实质相同。

[0112] 也就是说，发光装置500不具备共用内部引线部62，取而代之地具备内部引线部62a以及62b。内部引线部62a以及62b分别与共用内部引线部62同样地，作为阴极而起作用。
此外，在发光装置500中，右旋地按照红色LED芯片R、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B、绿色LED芯片GB的顺序而配置。并且，红色LED芯片R以及绿色LED芯片GB通过键合线40而连接于内部引线部62a，绿色LED芯片GY以及蓝色LED芯片B通过键合线40而连接于内部引线部62b。

[0113] 红色LED芯片R、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及绿色LED芯片GB在基板51的主表面侧的中央附近，尽量相互接近地配置。由此，在发光装置500中，使在图10中定义的垂直方向以及水平方向观察时的红色LED芯片R的指向特性、绿色LED芯片GY的指向特性、蓝色LED芯片B的指向特性以及绿色LED芯片GB的指向特性尽量一致。所谓指向特性，是指光强度相对于发光装置的出射角度的关系。

[0114] 图11(a)是表示发光装置500的光强度相对于出射角度的关系的图，是在垂直方向观察发光装置500时的特性。图11(b)是表示发光装置500的光强度相对于出射角度的关系的图，是在水平方向观察发光装置500时的特性。

[0115] 根据图11(a)的曲线，在垂直方向观察时，绿色LED芯片GY的指向特性与红色LED芯片R的指向特性基本一致，并且蓝色LED芯片B的指向特性与绿色LED芯片GB的指向特性基本一致。

[0116] 此外，根据图11(b)的曲线，在水平方向观察时，红色LED芯片R的指向特性与绿色LED芯片GB的指向特性基本一致，并且绿色LED芯片GY的指向特性与蓝色LED芯片B的指向特性基本一致。

[0117] 此外，发光装置500在内部引线部60的各芯片搭载区域设置有齐纳二极管30来作为保护元件。各齐纳二极管30通过导电性糊膏31，被搭载于内部引线部60的对应的芯片搭载区域。此外，各齐纳二极管30通过键合线40来与内部引线部62a以及内部引线部62b之中较近的一方连接。

[0118] 优选各齐纳二极管30配置于由红色LED芯片R、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及绿色LED芯片GB的配置规定的四角形状的外侧。由此，能够抑制由于各齐纳二极管30吸收光，导致发光装置500发出的光的亮度降低。

[0119] 〔实施方式6〕

[0120] 图12是本实施方式所涉及的发光装置的俯视图，是省略了密封树脂部的图示的图。

[0121] 图12所示的发光装置600的下述方面与图1所示的发光装置100不同，除此以外的方面与图1所示的发光装置100实质相同。

[0122] 也就是说，发光装置600不具备共用内部引线部62，取而代之地具备内部引线部62a以及62b。内部引线部62a以及62b分别与共用内部引线部62同样地，作为阴极而起作用。
此外，在发光装置600中，右旋地按照红色LED芯片R、绿色LED芯片GB、蓝色LED芯片B、绿色LED芯片GY的顺序而配置。并且，红色LED芯片R以及绿色LED芯片GY通过键合线40而连接于内部引线部62a，绿色LED芯片GB以及蓝色LED芯片B通过键合线40而连接于内部引线部62b。

[0123] 红色LED芯片R、绿色LED芯片GY、蓝色LED芯片B以及绿色LED芯片GB在基板51的主表面侧的中央附近，相互尽量接近地配置。由此，在发光装置600中，使在图12中定义的垂直方向以及水平方向观察时的、红色LED芯片R的指向特性、绿色LED芯片GY的指向特性、蓝色LED芯片B的指向特性以及绿色LED芯片GB的指向特性尽量一致。

[0124] 进一步地，在发光装置100中，红色LED芯片R、绿色LED芯片GB、蓝色LED芯片B以及绿色LED芯片GY被配置为成矩形，但在发光装置600中，这些被配置为成菱形。

[0125] 图13(a)是表示发光装置600的光强度相对于出射角度的关系的图，是在垂直方向观察发光装置600时的特性。图13(b)是表示发光装置600的光强度相对于出射角度的关系的图，是在水平方向观察发光装置600时的特性。

[0126] 根据图13(a)的曲线，在垂直方向观察时，绿色LED芯片GY以及绿色LED芯片GB的混色指向特性、红色LED芯片R的指向特性和蓝色LED芯片B的指向特性基本一致。

[0127] 此外，根据图13(b)的曲线，在水平方向观察时，绿色LED芯片GY的指向特性与绿色LED芯片GB的指向特性基本一致。此外，关于蓝色LED芯片B的指向特性以及红色LED芯片R的指向特性，也与绿色LED芯片GY的指向特性以及绿色LED芯片GB的指向特性没有较大差别。

[0128] 〔备注事项〕

[0129] 也考虑将第2绿色LED芯片与黄色LED芯片组合使用的情况。在该情况下，也考虑第2绿色LED芯片的主波长为520nm以上且560nm以下的情况。也就是说，在并用黄色LED芯片的情况下，也能够使用以往使用的一般的绿色LED芯片来作为第2绿色LED芯片。

[0130] 〔总结〕

[0131] 本发明的一方式所涉及的发光装置是一种至少发出蓝绿色的光和黄色或者黄绿色的光的发光装置，具备：基板；配置于上述基板的主表面侧的由多个LED芯片构成的LED芯片群；和将上述LED芯片群一起密封的密封部(密封树脂部50)，上述LED芯片群包括：包含第1绿色LED芯片(绿色LED芯片GB、绿色LED芯片BT)以及第2绿色LED芯片(绿色LED芯片GY)的至少2个绿色LED芯片；至少1个蓝色LED芯片；和至少1个红色LED芯片，上述第1绿色LED芯片的主波长比上述第2绿色LED芯片的主波长短。

[0132] 根据上述的结构，能够扩大蓝绿色区域以及黄色或者黄绿色区域的色度范围，能够提高蓝绿色的光与黄色或者黄绿色的光的颜色纯度。结果，能够较大地扩大发光装置发出的光的颜色的再现范围。

[0133] 本发明的另一方式所涉及的发光装置的上述第1绿色LED芯片与上述至少1个蓝色LED芯片之中的至少1个相邻配置，上述第2绿色LED芯片与上述至少1个红色LED芯片之中的至少1个相邻配置。

[0134] 根据上述的结构，绿色的光与蓝色的光更良好地混色，能够进一步实现颜色纯度高的蓝绿色的光。此外，根据上述的结构，绿色的光与红色的光更良好地混色，能够进一步实现颜色纯度高的黄色或者黄绿色的光。

[0135] 本发明的又一方式所涉及的发光装置的上述第1绿色LED芯片的主波长是480nm以上且520nm以下，上述第2绿色LED芯片的主波长是520nm以上且560nm以下。

[0136] 本发明的又一方式所涉及的发光装置的主波长最长的绿色LED芯片的主波长比其他的各绿色LED芯片的主波长长20nm以上。

[0137] 本发明的又一方式所涉及的发光装置的CIE色度图中的xy色度坐标上，主波长最长的绿色LED芯片的x的值与其他的各绿色LED芯片的x的值的差为0.06以上。

[0138] 本发明的又一方式所涉及的发光装置在至少具有RGB的LED芯片的多色发光装置中，将第1绿色LED芯片、绿色LED芯片、黄色LED芯片、蓝色LED芯片和红色LED芯片搭载于1个封装件。此外，优选将黄色LED芯片的主波长设为580nm以上且610nm以下。由此，能够提高蓝绿色的光以及黄色的光的颜色纯度，因此能够实现颜色纯度良好的多色发光装置。

[0139] 进一步地，通过将蓝色LED芯片与第1绿色LED芯片相邻地搭载，被混色的蓝绿色的色调变得良好。

[0140] 本发明的又一方式所涉及的发光装置在至少具有RGB的LED芯片的多色发光装置，将第2绿色LED芯片、绿色LED芯片、黄色LED芯片、蓝色LED芯片和红色LED芯片搭载于1个封装件。此外，优选将黄色LED芯片的主波长设为580nm以上且610nm以下。由此，能够提高黄绿色的光以及黄色的光的颜色纯度，因此能够实现颜色纯度良好的多色发光装置。

[0141] 进一步地，通过将红色LED芯片与第2绿色LED芯片相邻地搭载，被混色的黄绿色的色调变得良好。

[0142] 这里，在本发明的实施方式中，通过向密封树脂混入二氧化硅微粒等扩散剂，能够进一步提高来自多个LED芯片的发光的混色性。

[0143] 本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当地组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。进一步地，通过将各实施方式中分别公开的技术手段组合，能够形成新的技术特征。

[0144] 产业上的可利用性

[0145] 本发明能够利用于使用了LED芯片的发光装置。

[0146] -符号说明-

[0147] 50 密封树脂部(密封部)

[0148] 51 基板

[0149] 100 发光装置

[0150] 200 发光装置

[0151] 300 发光装置

[0152] 350 发光装置

[0153] 400 发光装置

[0154] 500 发光装置

[0155] 600 发光装置

[0156] B 蓝色LED芯片

[0157] BT 绿色LED芯片(第1绿色LED芯片)

[0158] GB 绿色LED芯片(第1绿色LED芯片)

[0159] GY 绿色LED芯片(第2绿色LED芯片)

[0160] R 红色LED芯片

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