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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	一种高压传感器	CN202311502117.5	2023-11-10	CN117906800A	2024-04-19	李凡亮; 王小平; 曹万; 吴登峰; 赵鹍; 李兵
一种高压传感器，其包括：由第一金属制得的压力接头，底端具有一压力引入通道，压力引入通道的顶端一侧形成一配合孔，压力接头的外缘朝顶端一侧延伸形成壳部；密封地盖合至壳部并与压力接头合围形成安装腔的插接头；位于安装腔内的压力敏感元件，包括由第二金属制得的本体及气密地连接于本体顶端的金属弹性膜片，本体底端形成有与配合孔过盈配合的插接部，本体的一孔道向底端一侧贯穿插接部并与压力引入通道连通，孔道向顶端一侧连通至金属弹性膜片的底端一侧，金属弹性膜片的顶端一侧表面绝缘地设置有压力测量电路；及电子模块组件，固定于安装腔内并与压力测量电路和固定于插接头上的多个插针电连接；第二金属的硬度高于第一金属的硬度。
2	基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法	CN202410075350.8	2024-01-18	CN117902550A	2024-04-19	裴为华; 袁苗; 孙瑀阳
本发明提供一种基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法，可以应用于神经科学领域。其特征在于以PEDOT：PSS(聚(3，4‑乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸)作为记录和传输神经电信号的功能材料，使用薄层绝缘聚合物作为PEDOT：PSS干法刻蚀的掩膜层，实现大面积PEDOT：PSS的图形化，使用面向硅片的反向工艺，实现无损化PEDOT:PSS柔性透明神经电极的大批量制备。本发明提供的制备方法具有工艺简单、易操作、可大批量实现等优点。同时，该基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极分为主要界面区、中间导线区和电极焊接区，主要界面区均使用柔性透明材料，可应用于需要与光成像集成的电生理系统中，具有较好的记录性能和机械性能，便于长期在生物体内进行神经电信号记录。
3	一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构	CN202311760358.X	2023-12-19	CN117902546A	2024-04-19	吴铁林; 陈伟鹏; 吴章辉; 吉天然; 马明; 郑泉水
综上所述，本申请提供了一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。该控制方法包括提供超滑结构，再对超滑结构施加一扭矩，其中，超滑结构包括超滑滑块和超滑基底。通过直接对超滑滑块施加扭矩的方式，使超滑滑块能够在扭矩的驱动下相对于超滑基底进行转动，不仅实现了滑移面自公度接触状态到非公度接触状态的快速切换，还能够使滑移面以大失配角度远离公度接触状态，提高了滑移面在非公度接触状态下的稳定性。
4	一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺	CN202310240136.9	2023-03-14	CN117902545A	2024-04-19	王丹丹; 陈迎迎; 刘彤
本发明涉及半导体芯片加工技术领域，且公开了一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺。所述硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺，是在传统的大面积刻蚀技术的基础上，通过光刻技术将待刻蚀区域进行分割，形成分割图案，然后按照分割图案进行网格式分割刻蚀。通过采用网格式分割的刻蚀方法，有效地分割了大面积刻蚀过程中因为负载效应的产生而出现的钻刻现象；也解决了刻蚀的底部平整性差、存在严重的弧度的问题，形成了底部平整、深度均匀的深槽结构；利用干法刻蚀的侧向刻蚀能力，实现网格式的去除；有效提升了芯片的品质和性能。
5	一种MEMS封装结构及其制作方法	CN202110808952.6	2021-07-16	CN113526454B	2024-04-19	蔺光磊

6	一种MEMS封装结构及其制作方法	CN202110807607.0	2021-07-16	CN113526453B	2024-04-19	蔺光磊

7	一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用	CN202011592356.0	2020-12-29	CN112694062B	2024-04-19	段国韬; 张征

8	一种基于刚度补偿的MEMS闭环加速度计	CN201910261787.X	2019-04-02	CN109946481B	2024-04-19	雷龙海; 周骏; 王龙峰; 王志; 山永启

9	一种MEMS气体传感器及其制作方法	CN202311728439.1	2023-12-14	CN117890437A	2024-04-16	李明杰; 罗文昕
本发明公开了一种MEMS气体传感器及其制作方法，包括衬底，衬底的两侧成型有支撑膜，其中一层支撑膜远离衬底的一侧成型有绝缘层，支撑膜与绝缘层之间设置有加热器和测量电极，绝缘层对应测量电极和加热器的位置设置有气敏材料层，气敏材料层贴合测量电极，其中，衬底贴合设置有绝缘层的支撑膜的一侧设有凹槽，支撑膜和绝缘层的相同位置均设置有第一孔结构和第二孔结构，第二孔结构位于气敏材料层下方，第一孔结构和第二孔结构均连通凹槽。本发明实施例提供的MEMS气体传感器，进行了设计优化，可在不增加制造工艺步骤和加工成本、不牺牲有效接触面积尺寸的情况下，有效减少MEMS气体传感器中的热损失，进而降低MEMS气体传感器的功耗。
10	一种梁膜结构的梳齿MEMS电容压力传感器	CN202410031201.1	2024-01-09	CN117889993A	2024-04-16	庄须叶; 梁瑞梅; 李平华; 律明琛; 刘阳
一种梁膜结合的MEMS电容压力传感器，包括封装盖板、电容结构层以及背腔，其中电容结构层包含感压薄膜、移动梳齿、固定梳齿、移动梳齿连接梁、移动梳齿耦合梁、固定梳齿悬臂梁、凸台和锚点。移动梳齿连接在耦合梁两端通过连接梁和锚点与感压膜片固连，固定梳齿通过固定梳齿悬臂梁连接在膜片边缘，移动梳齿、固定梳齿、移动梳齿连接梁、移动梳齿耦合梁相对于感压薄膜均处于悬空状态，固定梳齿与移动梳齿交错配置。本发明设计的梁膜结构的梳齿MEMS电容压力传感器，通过梳齿垂直非共面移动实现压力检测，梁膜结构提高了梳齿错开的相对面积，提高了传感器电容输出，并且结合膜下凸台，降低了传感器的非线性并具有过载保护能力，具有广阔的应用前景。
11	用于具有倾斜的光学窗的微机械设备的制造方法和相应的微机械设备	CN201980031200.4	2019-03-07	CN112105580B	2024-04-16	B·施托伊尔; S·平特

12	微机械惯性传感器	CN201910992349.0	2019-10-18	CN111071982B	2024-04-16	L·切克; L·格格; S·霍瓦特

13	单晶衬底和微机械结构的加工方法	CN201710890273.1	2017-09-27	CN107867673B	2024-04-16	A·布罗克迈尔; R·拉普; F·J·桑托斯罗德里奎兹

14	基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器	CN202310203589.4	2023-03-06	CN117870847A	2024-04-12	郑铠桓; 秦飞飞; 朱刚毅
本发明公开了一种基于覆盖MoS2感光层的GaN悬臂梁发光二极管的声波传感器。包括硅衬底，硅衬底上设置有第一引脚支撑和第二引脚支撑，二者都通过硅柱固定在硅衬底上。第一引脚支撑和第二引脚支撑之间通过第一悬臂梁支撑和第二悬臂梁支撑连接，构成一个中间有长条状空腔的双桥结构。第一引脚支撑侧及中间双桥结构部分由下至上依次设置有n‑GaN层，量子阱层，p‑GaN层，第一引脚电极，构成发光二极管。第二引脚支撑上设置有第二引脚电极。双桥结构长条状空腔顶部设置有MoS2 薄膜。本发明利用MoS2薄膜随声波振动的物理特性和在发光二极管激发下的发光特性，通过光电探测器监测MoS2发出的光功率变化，并汇总到电源控制和监测模块上，实现声波传感功能。
15	一种反射型原子气室制作方法及其光路结构	CN202311260035.4	2023-09-27	CN117865057A	2024-04-12	车录锋; 李晨啸
本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构，设计的气室结构属于双腔室结构，在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室，两腔室之间由沟道连接，碱金属释放剂填充入存储腔室中，通过与玻璃片阳极键合实现密封，为提高反射率，在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后，基于该气室结构设计了一种光路结构，激光器射出的激光由第一反射镜调整，射入探测器的激光由第二反射镜调整，射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比，反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离，使其不受硅片厚度的限制，改善了原子器件的灵敏度和稳定性。
16	半导体封装及其制造方法	CN202010666748.0	2020-07-13	CN112897449B	2024-04-12	林南君; 徐宏欣; 张简上煜; 张文雄
本发明提供一种半导体封装，包括多个第一芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电路结构配置于第一芯片的第一背面上且电性连接至多个硅穿孔。第一封装体侧向包封第一芯片。一种半导体封装的制造方法亦被提出。
17	基于纳米探针的微纳三维结构制备方法	CN202410043336.X	2024-01-11	CN117842927A	2024-04-09	张一慧; 薛兆国; 吕增耀; 白柯; 王月皎; 赵建中; 兰宇; 柏韧恒; 赖禹辰; 帅雨萌
提供了一种基于纳米探针的微纳三维结构制备方法，其包括以下步骤：S1：在衬底上设置牺牲层与热塑性聚合物层。S2：在所述热塑性聚合物层上沉积金属层，通过微加工工艺刻蚀所述金属层，以形成图案化的所述金属层，刻蚀所述热塑性聚合物层，并去除所述衬底上涂布的所述牺牲层，形成二维前驱体。S3：使用一个或多个纳米探针对所述二维前驱体施加载荷并移动所述纳米探针，带动所述二维前驱体的与所述纳米探针的针尖的接触的部分移动，使所述二维前驱体的结构发生变形，形成三维微纳结构。S4：加热所述三维微纳结构使其产生热塑性，实现所述三维微纳结构的固形。
18	一种无引线封装的高温压力传感器	CN202311763661.5	2023-12-20	CN117842924A	2024-04-09	张玉琴; 王凌云; 冯铭瑜; 张宇; 白雪; 杨茜茜
本发明涉及传感器设计领域，提供一种无引线封装的高温压力传感器。包括：封装金属管壳、玻璃基座、金属插针、传感器芯片、硅基座；封装金属管壳为一端开口的筒状结构，壳体从内向外依次设置传感器芯片、封装金属管壳和玻璃基座；传感器芯片设有两处金属电极；硅基座为圆饼状，硅基座上设有两处与金属电极位置匹配的第一外引线过孔；玻璃基座为圆饼状，陶瓷基座上设有两处与金属电极位置匹配的第二外引线过孔；传感器芯片通过粘接浆料与硅基座粘接，硅基座通过粘接浆料与陶瓷基座粘接；两处金属电极分别连接两根外引线并从两处外引线过孔穿出输出压力数据。
19	一种基于微流控芯片的多孔介质材料及其制备方法	CN202410043515.3	2024-01-11	CN117839784A	2024-04-09	王成法; 徐林; 周维泽; 宋永欣
一种基于微流控芯片的多孔介质材料及其制备方法，多孔介质材料通过在微流控芯片上控制纳米尺度球形颗粒聚集制备得到；微流控芯片由PDMS芯片与载玻片键合而成，PDMS芯片中设置有微通道，微通道中间段为缩放通道，缩放通道从入口到出口依次由聚集区域和圆弧微通道组成，圆弧微通道位于缩放通道中间段，并且通道内设置有微尺度球形颗粒，微尺度球形颗粒和圆弧微通道间产生四个亚微米孔，亚微米孔尺寸小于纳米尺度球形颗粒尺寸，从而阻挡纳米尺度颗粒通过，只允许液体通过，进而在聚集区域内沉积堆叠形成多孔介质层。本发明多孔介质材料的制备方法简单，成本低；多孔介质材料可应用于离子二极管中，实现基于微纳流控芯片离子电路中的离子电流整流技术。
20	阀装置	CN202080016790.6	2020-02-26	CN113544085B	2024-04-09	河本阳一郎; 押谷洋; 长野阳平; 小川博史; 内田和秀
阀装置具备主体(51)、阀芯(52)以及控制阀部件(Y1)，该控制阀部件(Y1)使作用于压力室(51g、58a)的压力变化，而该压力室(51g、58a)产生用于使阀芯(52)移动的控制压力。控制阀部件(Y1)具有：基部(Y11、Y121、Y13)，该基部形成有制冷剂室(Y19)、与制冷剂室(Y19)连通并且与所述压力室(51g、58a)连通的第一制冷剂孔(Y16)、与制冷剂室(Y19)连通并且与该控制阀部件(Y1)外的制冷剂通路(51c、51k)连通的第二制冷剂孔(Y17、Y18)；驱动部(Y123、Y124、Y125)，该驱动部当自身的温度变化时进行位移；放大部(Y126、Y127)，该放大部对驱动部(Y123、Y124、Y125)的由温度的变化引起的位移进行放大；可动部(Y128)，该可动部被传递由放大部(Y126、Y127)放大后的位移而在制冷剂室(Y19)内移动，从而对第二制冷剂孔(Y17、Y18)相对于制冷剂室(Y19)的开度进行调整。

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