专利检索_.溶剂专利检索_.溶剂专利检索查询

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	含有高安全性酰胺化合物的组合物	CN202380023664.7	2023-03-07	CN118765309A	2024-10-11	平田明理; 清贞俊次; 増田英树
[技术问题]本发明提供一种组合物及含有上述组合物的各种制剂、制品，上述组合物对于水、各种有机物、无机物的溶解力高，不具有刺激性或毒性等有害性，作为化学反应或树脂合成用溶剂、分析用溶剂、树脂或涂料、油墨等的溶解用溶剂、稀释用稀释剂、分散用分散剂等、制造设备或金属零件、电子零件等的清洗用清洗剂、阻剂或树脂的剥离用剥离剂、液晶分子的取向处理用液晶取向处理剂、电池制造用非水电解液等而容易地用于各种工业用途。[解决方案]本发明的组合物含有具有N‑取代及/N，N‑二取代酰胺基的化合物(A)、及酸性化合物与碱性化合物的中和盐(B)。
2	一种含氟硅烷晶圆表面处理液	CN202310341405.0	2023-03-31	CN118726005A	2024-10-01	王溯; 郭杰; 张怡; 邢乃观; 程鑫
本发明公开了一种含氟硅烷晶圆表面处理液。本发明的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟硅烷、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量。本发明的晶圆表面处理液处理晶圆之后，IPA接触角明显增大，在干燥过程中栅极间不会发生黏连，从而避免了栅极倒塌的发生。
3	一种免拆治理烧机油药剂及其制备方法和应用	CN202410840237.4	2024-06-27	CN118421407B	2024-10-01	赵勇; 陈纯杰; 邹尚宏
本发明涉及一种免拆治理烧机油药剂及其制备方法和应用，所述药剂由主洗剂和辅助洗剂组成，所述主洗剂组成包括溶剂、溶碳剂、分散剂、润湿剂和抗磨剂，溶剂选自甲苯类、醇类、醚类和/或基础油；溶碳剂选自脂肪胺、或脂肪胺与N‑甲基吡咯烷酮和吗啉、多乙烯多胺中的任一种或多种进行复配；润湿剂为脂肪醇聚氧乙烯醚；分散剂为质量比0.5~5:1的双烯基丁二酰亚胺、聚醚胺混合物；辅助洗剂包括油封止漏剂、活塞环还原液和/或活塞环释放剂；本发明的药剂可全面快速清除烧机油车辆系发动机中的胶质及积碳，防止堵塞各部件，提升动力，恢复缸压，减少烧机油，节省燃油，延长发动机使用寿命。
4	光刻胶剥离组合物	CN202380016826.4	2023-01-20	CN118613769A	2024-09-06	伊藤翼; 佐佐木辽; 清水寿和
本发明的课题在于，提供一种对于固化后的抗蚀剂也显示高的剥离性，即使是含有少量水的组成，水蒸发时剥离性降低也较少，且能够抑制Cu或Al及Si等与液体接触的基板构成金属的腐蚀的光刻胶剥离组合物。一种光刻胶剥离组合物，组合物包含(A)氢氧化季铵、(B)糖醇、(C)胺、(D)水、(E)DMSO和(F)乙二醇，(D)水的含量相对于组合物的总质量为1.0～10质量％，通过该组合物实现上述课题。
5	氟化的清洁流体混合物	CN202280086584.1	2022-12-14	CN118489002A	2024-08-13	木村珠美; L·C·恩格; 安藤伸明
清洁流体包含至少两种流体组分。第一流体组分是氢氟硫醚或氯化氯氟烯烃、或者氢氯氟烯烃的异构体中的至少一种，并且第二流体组分是具有1至5个碳原子的醇。当与包含氟化流体的清洁流体相比时，该清洁流体提供了增强的颗粒污染物去除、改善的颗粒再附着减少或其组合。
6	碱性清洗组合物、清洗方法和半导体制造方法	CN202111551296.2	2021-12-17	CN114672378B	2024-08-13	汤慧怡; 王咨棋; 陈雨农; 陈颐承
本发明提供一种碱性清洗组合物，其包含碱性化合物、5～40重量％的丙二醇单甲醚、10～30重量％的水及极性溶剂。其中，所述极性溶剂包含缩醛类、醇醚类、吡咯烷酮类或其组合的溶剂，且所述碱性清洗组合物不包含苯磺酸。
7	用于在线清洗电解锰离子电解装置中二氧化锰的方法	CN202410406753.6	2024-04-07	CN118345441A	2024-07-16	周峰; 李力; 孙波; 李毅; 张旨博; 雷亮; 熊东; 刘国祚; 张奔; 黄正望
本发明提供了一种用于在线清洗电解锰离子电解装置中二氧化锰的方法，通过配制还原剂与有机溶剂的清洗剂至清洗剂配制槽；关闭电极电源及电解液和电极的循环管路，打开清洗剂和电极的循环管路，清洗剂与电解液一起在电极上循环冲洗，清除电极上、泵前过滤器及管道内壁上积累的二氧化锰。本发明采用具有还原性的草酸与甲醇、乙醇或乙二醇等有机溶剂复配作为清洗剂，在短时间内使二氧化锰固体重新变回二价锰离子回到电解液中，电极表面可以恢复原貌，添加的还原性清洗剂被氧化为气体和水，气体随电解气体释放出去，水作为溶剂使用，不会影响电解液组成，该方法可以在线清洗电解产生的二氧化锰等结垢物，不用拆解电解装置，也不会损坏电极。
8	溶剂组合物、清洗方法、带涂膜物品的制造方法	CN202180011443.9	2021-01-28	CN115023490B	2024-07-12	河口聪史; 镰塚达也; 竹内优
本发明提供能够抑制金属腐蚀的溶剂组合物、使用了该溶剂组合物的清洗方法、带涂膜物品的制造方法。本发明的溶剂组合物是包含1‑氯‑2,3,3‑三氟丙烯和规定的第2成分的溶剂组合物，相对于1‑氯‑2,3,3‑三氟丙烯的含量和所述第2成分的总含量的合计的所述第2成分的总含量的比例为0.0001～1.0质量％。
9	维护液、维护液的制造方法、喷墨记录装置的维护方法和喷墨记录装置	CN202280076767.5	2022-12-23	CN118302299A	2024-07-05	吉满真一; 冈良平; 新里光矢
本发明提供保湿性和清洗性优异的维护液。一种维护液，其用于喷墨记录装置，所述维护液含有有机溶剂，所述有机溶剂含有内酯系溶剂和有机溶剂A，有机溶剂A是沸点为240℃以上且310℃以下的有机溶剂，所述维护液在下述试验中的挥发量X为900g/L以下。试验方法：基于GB/T13173‑2008第15章的规定，基于下述式(A)测定挥发量X。挥发量X＝Wv×p×0.01···(A)(式中，Wv为维护液中所含的有机溶剂的质量分数(单位为质量％)，p表示维护液的比重(单位为g/L)。在直径5cm×高度1cm的皿中精确称量2g维护液，将其放入到升温至105℃的烘箱中，使其干燥4小时。然后，在干燥器内放冷30分钟后进行精确称量，算出有机溶剂的挥发量Wv(质量％))。
10	用于半导体器件的衬底的清洗剂组合物及使用其来清洗半导体器件的衬底的方法	CN202311372527.2	2023-10-23	CN117925337A	2024-04-26	金惠智; 俞珍浩; 李学星; 李明镐; 林娜婡; 许有真; 金建伶; 崔胤洵; 姜莹美
本发明涉及一种用于半导体器件的衬底的清洗剂组合物以及使用该组合物来清洗半导体器件的方法。该清洗剂组合物包含由化学式1表示的硅基化合物和介电常数小于等于10的非质子有机溶剂，即使在具有高的长宽比的精细图案的湿洗工艺中也能形成能够防止图案的坍塌的表面保护膜，从而提供了具有提高的半导体制造产量的一种用于制造半导体器件的方法。
11	药液、药液收容体	CN201980046121.0	2019-07-08	CN112400139B	2024-04-23	上村哲也; 高桥智美; 大松祯; 清水哲也
本发明提供一种缺陷抑制性优异的药液。并且，提供一种含有上述药液的药液收容体。本发明的药液含有选自由除了烷烃及烯烃以外的化合物、以及癸烷及十一烷组成的组中的1种以上的有机溶剂，该药液还含有选自由碳原子数12～50的烷烃及碳原子数12～50的烯烃组成的组中的1种以上的有机成分，相对于药液的总质量，有机成分的含量为0.10～1,000,000质量ppt。
12	1,5-二甲基-2-吡咯烷酮的制备方法及其应用	CN202311866879.3	2023-12-28	CN117886731A	2024-04-16	柯卓; 高瑛; 李友
本发明公开了1,5‑二甲基‑2‑吡咯烷酮的制备方法及其应用，该方法包括S1：将糠醛、醇溶剂与固体酸催化剂混合，并在第一预定压力和第一预定温度进行反应，然后固液分离，得到母液；S2：将所述母液进行第一减压精馏，得到γ‑戊内酯；S3：将甲胺水溶液与所述γ‑戊内酯混合，在第二预定压力和第二预定温度下反应，然后固液分离，得到1,5‑二甲基‑2‑吡咯烷酮粗品；S4：将所述1,5‑二甲基‑2‑吡咯烷酮粗品进行第二减压蒸馏，得到1,5‑二甲基‑2‑吡咯烷酮成品。由此，该方法的制备成本相对较低，制备过程对人体和环境友好。将其应用在光刻胶清洗剂领域，可以降低成本，同时也有良好的去胶效果。
13	含有含氟油的组合物	CN202180031688.8	2021-08-24	CN115461426B	2024-03-12	仲上翼; 加留部大辅; 吉山麻子
本发明提供一种含有(A)1,1,1,3,3,3－六氟异丙基甲醚(HFE－356mmz)和/或1,1,2,3,3,3－六氟丙基甲醚(HFE－356mec)和(B)含氟油的组合物。
14	抑制钴、氧化铝、层间绝缘膜、氮化硅的损伤的组成液及使用其的清洗方法	CN201880048233.5	2018-07-24	CN110945631B	2024-03-08	尾家俊行; 普林安加·柏达那·普特拉; 堀田明伸

15	一种清洗剂、无水磷酸铁生产装置的除垢方法及应用	CN202311268163.3	2023-09-27	CN117327542A	2024-01-02	周阳海; 关洪清; 张沛; 席旭; 宋荣敏
本发明提供了一种清洗剂、无水磷酸铁生产装置的除垢方法及应用，涉及磷酸铁生产技术领域。具体而言，清洗剂包括磷酸、草酸、四丁基溴化铵和溶剂的混合物；同时，除垢方法包括如下步骤：向在无水磷酸铁生产装置中加入清洗剂对所述无水磷酸铁生产装置进行除垢，然后去除所述清洗剂。本发明针对于磷酸铁生产装置侧壁垢层去除困难，除垢效果差、除垢效率低、除垢成本高等缺陷，通过采用特定组成的清洗剂，通过加热和搅拌的作用，实现对垢层的高效且快速地清洁，有助于获得性能更好的无水磷酸铁产品。
16	一种螺杆式空压机油路在线清洗油	CN202211148200.2	2022-09-20	CN115572646B	2023-11-14	何佳; 张红中; 付恒宇
本申请涉及一种螺杆式空压机油路在线清洗油，清洗油包括以下质量份的原料：醇醚溶剂55‑65份、醋酸丁酯15‑21份、抗氧剂1‑3份、重烷基苯10‑20份、邻苯二甲酸二丁酯8‑12份；醇醚溶剂包括乙二醇苯醚、乙二醇丁醚和乙二醇丙醚，乙二醇苯醚、乙二醇丁醚和乙二醇丙醚的质量比为（1.2‑1.5）：（0.8‑1.2）：（0.7‑0.9）；抗氧剂为辛丁基二苯胺、苯乙烯基二苯胺和二壬基苯胺中的一种。本申请具有减少清洗剂使用时对设备的损伤并提升清洗剂清洗效率的效果。
17	钠离子电池正极材料的酸洗洗涤剂及其应用	CN202210969270.8	2022-08-12	CN115125069B	2023-11-14	肖长喜; 詹新举; 刘应春; 王媛; 刘萌萌
本发明公开了一种钠离子电池正极材料的酸洗洗涤剂及其应用；该酸洗洗涤剂含有水、有机溶剂和有机酸。该酸洗洗涤剂高效、无负影响的降低钠离子正极材料中的表面碱含量。
18	文物表面老化保护层清洗凝胶及制备方法	CN202310663833.5	2023-06-06	CN116716146A	2023-09-08	贾一鸣; 张良帅; 叶琳; 顾来沅; 赵文华; 白九江
本发明涉及凝胶技术领域，具体涉及一种文物表面老化保护层清洗凝胶及制备方法，文物表面老化保护层清洗凝胶包括低共熔溶剂(DES)、聚乙烯醇(PVA)和清洗剂，低共熔溶剂包括氯化胆碱(ChCl)和乙二醇(EG)；由EG和ChCl制备的低共熔溶剂与PVA之间强氢键作用构筑的三维网络凝胶具有非常好的机械性能，可以任意弯折，使用后容易去除，而且可以用于对水敏感文物表面；本申请对文物表面老化有机层具有很好的去除能力，同时从根本上解决毒性存在的问题，本申请使用绿色的低共熔溶剂和环境友好的聚乙烯醇与绿色溶剂γ戊内酯(GVL)制备，制备过程中无废物产生，凝胶绿色安全。
19	一种半导体清洗剂及其制备方法	CN202211074286.9	2022-09-03	CN115418280B	2023-08-29	童晨; 吴海燕; 陈桂红; 孙元; 韩成强
本申请涉及半导体清洗技术领域，具体公开了一种半导体清洗剂及其制备方法，所述半导体清洗剂，包括A组分和B组分；所述A组分包括以下重量份原料：20‑30份有机酸、2‑8份络合剂、8‑12份表面活性剂、11‑15份助剂、80‑100份水；所述B组分包括以下重量份原料：10‑20份碱性物质、5‑8份助溶剂、100‑120份水；上述方案配方简单、配比严谨，且绿色环保；本申请还提出了一种半导体清洗剂的制备方法，按配方，制得A组分与B组分，并将A组分与B组分分别封装，即得半导体清洗剂，制备方法简单，成本低，安全环保，适合工业化生产，所获得的半导体清洗剂具有优异的清洗效果。
20	一种废弃存储器晶圆片拆分用复合溶剂及拆分方法	CN202310367363.8	2023-04-07	CN116410824A	2023-07-11	邢正; 董秀玲; 李双庆; 戚家仪; 梁佳怡; 冉家宁; 张庆国
本发明公开了一种废弃存储器晶圆片拆分用复合溶剂及拆分方法，属于晶圆片回收利用技术领域，将装在网兜内的废弃存储器带壳卡片放入装有复合溶剂的反应容器中，加热使溶剂气体经冷凝系统回流至复合溶剂体系内，保温反应后降温取出清洗并分捡；其中复合溶剂包括主要溶剂和复配溶剂，主要溶剂选自乙二胺、三乙胺或二乙烯三胺，复配溶剂选自1，4‑二氧六环、甲苯、二甲苯、丙酮、氯仿、氯苯、二甲亚砜等中两种以上的组合物。本发明中存储器卡壳及晶圆片的分离一次完成，晶圆片表面无胶体和塑料残留，分离效果显著，分离率可达99％，晶圆片损坏率低于5‰，分离过程温和，无溶剂气体外露，适合1000‑2000片以上规模化分离操作。

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式