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首页 / 专利分类库 / 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 基板处理方法 CN202280050464.6 2022-07-14 CN117751428A 2024-03-22 深泽笃毅; 前原大树
一种基板处理方法,包括工序a)、工序b)、工序c)、工序d)、工序e)和工序f)。工序a)是提供具有图案且保护对象膜位于图案的底部的基板的工序。工序b)是在位于图案的底部的保护对象膜上层叠催化剂膜的工序。工序c)是通过VLS生长法,在图案内形成从下方支撑催化剂膜且覆盖保护对象膜的保护膜的工序。工序d)是除去由保护膜从下方支撑的催化剂膜的工序。工序e)是在保护对象膜被保护膜覆盖的状态下,对基板的与图案不同的部分实施规定的处理的工序。工序f)是除去图案内的保护膜的工序。
2 金刚石成膜方法、金刚石成膜装置、程序和金刚石材料 CN202280047714.0 2022-06-30 CN117751208A 2024-03-22 泽边厚仁; 木村丰; 会田英雄; 大岛龙司
金刚石成膜方法包括:基底层形成工序,通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层(22);以及金刚石层形成工序,通过利用了包含气体的第二原料气体的CVD法在基底层(22)上形成单晶的金刚石层(23)。
3 具有亲钠界面的复合集流体及其制备和在无负极钠电池中的应用 CN202311782514.2 2023-12-22 CN117747847A 2024-03-22 王海燕; 谢春霖; 吴浩; 戴嘉文; 张旗; 唐有根; 孙旦
发明属于电池电极技术领域,具体涉及一种具有亲钠界面的复合集流体,包括集流体以及复合在其表面的亲钠界面层,所述的亲钠界面层包括金属M基质,以及均匀弥散分布在其中的金属M‑金属N的合金相;所述的金属M包括Cu、Fe、Ni和Ti中的至少一种;所述的金属N包括Sb、Bi、In、Ag、Pb和Sn中的至少一种;所述的亲钠界面层中,所述的金属N的含量为8‑25wt%。本发明还包括所述的复合集流体的制备方法和在无负极钠电池中的应用。本发明所述的复合集流体,能够显著改善无负极钠电池的长循环稳定性
4 一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液及方法 CN202311772660.7 2023-12-21 CN117747704A 2024-03-22 张国锋; 段鹏; 谭必松; 陈殊璇; 宋鲁霞; 龚汉红; 毛剑宏
申请公开一种快速改变红外器件表面CdTe薄膜形貌的反应液,包括:作为溶剂、以及H2O2,H2O2的浓度为:10%‑80%,本发明,可以得到CdTe薄膜表面形貌高度均匀,易控制,并且所需反应液易配置,简单易得;所用方法简便,易于操作。
5 一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化结构及其生成方法 CN202311751072.5 2023-12-19 CN117747677A 2024-03-22 盛泉; 吴宇; 徐明靖
发明公开一种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化结构及其生成方法,包括底层氮化硅层、中间氮化硅层以及顶层氮化硅层,底层氮化硅层位于层远离太阳能电池基底的一侧,中间氮化硅层位于所述底层氮化硅层远离氧化铝层的一侧,顶层氮化硅层位于所述中间氮化硅层远离所述底层氮化硅层的一侧,该种用于太阳能电池的复合三明治背膜氮化硅结构以及生成方法,替代传统的太阳能电池背膜氮化硅层的方式,避免了氮化硅镀层之间缺乏多样性,钝化效果一般,影响太阳能电池转化效率的问题。
6 MIM型波段选择性红外调控兼辐射冷却薄膜及制备方法 CN202311709601.5 2023-12-12 CN117741846A 2024-03-22 周涵; 张梦琦; 肖诚禹
发明提供了一种MIM型波段选择性红外调控兼辐射冷却薄膜及制备方法,该薄膜自下而上依次包括基底、金属反射层无机介质层和金属结构层。通过磁控溅射法在硅基底上依次沉积金属反射层、无机介质层和金属结构层;经紫外光刻、干法刻蚀、去胶后制得MIM型波段选择性红外调控兼辐射冷却薄膜。本发明的MIM型薄膜通过简单的周期结构实现了兼具可见近红外高反射和红外的选择性热调控的性能,材料来源广泛,所采用的制备工艺成熟,图案精准可控、重复性好,在智能热管理、热伪装等领域具有巨大的应用价值。
7 一种制氢系统氢气排空优化方法 CN202311671356.3 2023-12-07 CN117738895A 2024-03-22 杨树军; 程路朝; 刘新宇
发明涉及一种制氢系统氢气排空优化方法,属于冷轧锌生产方法技术领域。本发明的技术方案是:当冷轧镀锌非正常停机停止使用氢气的时候,降低压缩机变频电机频率,维持压缩机低负荷运行;修改PV114初始值低限设定值,同时停止变压吸附工序的运行;维持压缩机三级出口压稳定,调整PV114初始值低限设定值;暂停吸附剂还原用的蒸汽系统,防止设备超温损伤。本发明的有益效果是:彻底杜绝放散过剩氢气,对原料气没有损耗,变压吸附工序和脱干燥工序吸附剂没有气体流动同样没有损耗,镀锌恢复生产使用氢气时能够及时恢复制氢系统,安全有效、简洁方便、操作简易、降低劳动强度。
8 分子束外延衬底处理装置及分子束外延衬底处理方法 CN202211110985.4 2022-09-13 CN117737837A 2024-03-22 顾溢; 刘大福; 李雪
发明公开了一种分子束外延衬底处理装置及分子束外延衬底处理方法,分子束外延衬底处理装置包括通过管道连接的进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室;进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室与管道之间分别设置有第一;进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室分别设置有对应的真空;管道内设置有送料装置,送料装置用于将衬底运送至进样室、等离子处理腔、湿法处理腔以及生长室中的任意一个。可以对衬底进行湿法处理以及等离子处理,并使衬底生长目标材料。
9 一种体积无极变化的亚硫酸金滚方法 CN202311756148.3 2023-12-20 CN117737804A 2024-03-22 李进军; 吴世豪; 刘水军
发明提供一种体积无极变化的亚硫酸金滚方法,包括以下步骤:S2,根据滚筒型号选用标准表选择符合需要的滚筒型号;S3,滚镀电流密度0.5A/dm2~1.2A/dm2,滚筒转动速度:10‑20转/分钟;S4,滚镀亚硫酸金:电流密度0.1A/dm2~0.3A/dm2,滚筒转动速度:10‑20转/分钟。本发明的目的在于使得不同批量不同比重的小型首饰配件产品均可实现滚镀加工。
10 一种高效低泡防锈型黑色金属清洗剂及其制备方法 CN202311851291.0 2023-12-29 CN117737743A 2024-03-22 刘兴菲; 马千; 鲁斐; 李小磊; 伍德民
申请涉及金属清洗剂技术领域,主要涉及一种高效低泡防锈型黑色金属基清洗剂及其制备方法。其中的高效低泡防锈型黑色金属水基清洗剂,按质量百分比计,包括以下组分:有机10‑25%、防锈剂6‑12%、分散剂2‑5%、渗透剂1‑3%、螯合剂2‑6%、去离子水余量。本申请在不采用非离子表面活性剂、消泡剂等成分,采用水、有机碱、防锈剂、分散剂进行复配得到一种高效、低泡、防锈的黑色金属水基清洗剂。该黑色金属水基清洗剂稳定性、清洗性和消泡性好,可有效去除金属表面残留的油污和固体颗粒,在常温下即有良好的清洗效果,并能为金属提供防锈保护,也无需另外添加消泡剂影响体系稳定。
11 一种质管道阴极保护系统及方法 CN202211130368.0 2022-09-15 CN117737740A 2024-03-22 田志金; 李理; 陈燃; 程华; 王峰; 陈墨; 唐柳怡; 夏太武; 曹勇; 王飞; 牟洪陶; 杨东
发明实施例提供一种质管道阴极保护系统及方法,包括:在套管内的钢质管道的外侧和套管的内侧之间填充膨润土,以实现对钢质管道的阴极保护。本发明实施例通过在套管内的钢质管道的外侧和套管的内侧之间填充膨润土来实现对钢质管道的阴极保护,避免了现有的穿越段钢质管道或者跨越段钢质管道的阴极保护系统或者方法在后期存在安全险及运维成本较高的技术问题。
12 一种板带防锈方法 CN202211118155.6 2022-09-15 CN117737739A 2024-03-22 魏飞; 胡勇
发明公布了一种板带防锈方法,属于铜加工表面处理领域。本发明提供的铜板带防锈方法采用两段防锈工艺,具体为在第一段防锈工艺中采用反应型防锈液进行处理,在第二段防锈工艺中采用吸附型润滑液进行处理。本发明能有效解决铜板带在成品剪切和包装过程中由于摩擦使得防锈层脱落而导致的局部变色问题。
13 一种三元羧酸生物金属防锈剂及其制备方法 CN202311752738.9 2023-12-19 CN117737737A 2024-03-22 薛天祥; 熊东路; 谭鹏飞; 郭光明; 黎春梅; 刘丹
发明公开了一种三元羧酸生物金属防锈剂及其制备方法,三元羧酸衍生物金属防锈剂能够作为基防锈剂使用,综合二元酸的抗点蚀性能和三元酸的抗硬水性能,并且防锈性能和二元酸、三元酸相当,解决防锈单剂抗硬水能差、成本高、配伍性差抗点蚀性能差等缺陷
14 去除高温涂层的溶剂及其应用以及去除高温涂层的方法 CN202311703827.4 2023-12-12 CN117737734A 2024-03-22 石倩; 林松盛; 苏一凡; 唐鹏; 张程; 韦春贝; 廖甫
发明公开了一种去除高温涂层的溶剂及其应用以及去除高温涂层的方法,该溶剂包括体积分数为30%~40%的36~38wt.%浓度的盐酸、体积分数为8%~12%的83~86wt.%浓度的磷酸、体积分数为3%~5%的25~30wt.%浓度的双质量分数为0.5%~1%的缓蚀剂。其中,盐酸为主要的腐蚀溶剂,磷酸可增强其腐蚀能,通过晶界优先腐蚀涂层的Ni3Al相形成孔隙从而使涂层剥离,且缓蚀剂的加入避免了基体被盐酸、磷酸腐蚀,从而既可以去除致密高温防护涂层,还可缓解酸洗对基体表面组织和形貌的影响。此外,对酸洗后的合金进行喷砂处理,利用机械力切削作用,去除腐蚀坑及互扩散区,确保基体的力学性能不受影响。
15 一种具有高耐磨性能的涂层、制备方法和制得的离心 CN202311765634.1 2023-12-21 CN117737728A 2024-03-22 周伍喜; 徐召平; 雷勇; 余伟; 魏佳宁
发明公开了一种具有高耐磨性能的涂层、制备方法和制得的离心,属于涂层制备技术领域。该涂层包括以下重量百分比的组分:Ni基自熔合金粉40~50%、铸造化钨粉40~50%、WC13Co合金粉5~15%,余量为YG合金。本发明制备的涂层,能够使离心泵泵体和泵盖冲蚀部位的硬度、耐磨性都得到了显著提升,即使在粉末冶金、矿山等传送介质中颗粒冲蚀磨损较为严重的工况下,离心泵使用寿命也可以提高到常规高铬制备离心泵使用寿命的4‑6倍。
16 薄膜沉积装置 CN202311681267.7 2022-03-29 CN117737704A 2024-03-22 朱双双; 刘强; 吴兴华; 黎微明
申请公开了一种薄膜沉积装置,包括:喷淋背板;腔盖,腔盖和喷淋背板固定相连;第二进气管,用于输送惰性气体;第二盖板,盖设于腔盖朝向喷淋背板的一面,第二盖板与腔盖形成吹扫腔,第二进气管的出口与吹扫腔相连。本申请薄膜沉积装置不易在部件表面沉积形成粉尘颗粒污染。
17 一种原子层沉积技术生长Cu2O薄膜的方法及制备的Cu2O薄膜 CN202311751965.X 2023-12-19 CN117737699A 2024-03-22 王浙加; 明帅强; 李明; 李国庆; 张亦哲; 戴昕童; 闻梦瑶
发明公开了一种原子层沉积技术生长Cu2O薄膜的方法及制备的Cu2O薄膜,涉及Cu2O薄膜技术领域;本发明向反应腔中通入气相Cu前驱体沉积在衬底上,得到沉积有Cu前驱体的衬底;将前驱体通入反应腔,与沉积在衬底上的Cu前驱体进行单原子反应,得到含有单原子层Cu2O薄膜的衬底;完成一个ALD循环。重复上述步骤,得到生长有不同厚度的Cu2O薄膜的衬底。本发明采用ALD的生长方式,不会由于氧分压过高使得Cu前驱体氧化成CuO薄膜;所采用的前驱体反应具有自限制性,1次循环只能生长1个Cu2O层,膜厚精确可控;反应温度低,能够降低能源消耗及减少合成成本;衬底具有兼容性。
18 一种大尺寸高质量三维六方氮化网络的制备方法 CN202311506011.2 2023-11-13 CN117737689A 2024-03-22 任文才; 马超群; 高意雯; 陈晨; 徐川; 成会明
发明涉及新材料及其应用领域,具体涉及一种大尺寸高质量三维六方氮化(h‑BN)网络的制备方法。以多孔金属为模板,通过预处理将硼源均匀固定在模板孔壁表面,然后利用化学气相沉积(CVD)工艺,在适宜的温度和气氛条件下,以含氮气体为氮源,在多孔金属骨架表面催化生长h‑BN,去除金属基底后即可得到高质量三维h‑BN网络,通过调控基底模板及其他反应参数,可对所述三维h‑BN网络的孔径、形态、层数等进行精准调控。相比于现有三维h‑BN网络制备工艺,本发明可避免CVD工艺制备h‑BN网络因硼源难以在体相扩散而导致的生长不均匀,同时h‑BN层数、网络形态、孔隙可调,工艺简单,生产成本低廉,容易放大量产。所制备的h‑BN具有很高的结晶质量,可在诸多领域获得应用。
19 透明电极退火装置及方法 CN202211109889.8 2022-09-13 CN117737685A 2024-03-22 王彩霞; 墙子跃; 吴瑶; 赵晓霞; 宗军
发明公开了一种透明电极退火装置及方法,所述透明电极退火装置包括壳体、样品台、靶材、挡板和脉冲组件,壳体具有密封腔,样品台连接于壳体并位于密封腔内,样品台用于固定样品,靶材连接于壳体并位于密封腔内,靶材用于向样品溅射靶原子,挡板活动连接于壳体并位于密封腔内,挡板在遮挡位置和暴露位置之间可转换,在遮挡位置,挡板位于靶材与样品之间,在暴露位置,挡板移出靶材和样品之间,脉冲组件安装在挡板并位于挡板与样品之间,脉冲组件用于对样品进行加热。本发明通过脉冲组件对样品特定层进行快速加热,完成特定层退火的同时避免了其它部分温度过高而变质或损毁,提高了样品的品质。
20 一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法 CN202311721706.2 2023-12-14 CN117737670A 2024-03-22 赵晓芳; 邱蓉; 郑浩然; 陈雪芳; 孟昭光; 林俊辉
发明公开了一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法,经过球磨、过筛、预烧、烧结等靶材制作步骤制得In2O3掺HfO2靶材,采用磁控溅射技术,沉积厚度为500nm的IHO透明导电薄膜。溅射所采用的靶材预烧温度为1000℃,烧结温度为1100℃‑1300℃。本发明的IHO透明导电薄膜具有高的透光率(平均透光率大于95%),同时原材料价廉,制备工艺简单。利用该发明制得的IHO透明导电薄膜制备相关薄膜材料电子元器件,可有效提升器件的光电性能,具有良好的应用前景。