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首页 / 专利分类库 / 晶体生长
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 一种降低外延翘曲方法及系统 CN202311813470.5 2023-12-26 CN117747466A 2024-03-22 胡任浩
发明提出了一种降低外延翘曲方法及系统,在外延托盘上设置不同圈次,根据所述不同圈次将所述外延托盘加工获得不同部件,形成完整托盘;对石墨盘不同圈层进行初步设置,根据所述初步设置对石墨盘的不同圈层进行旋转控制,在旋转过程中计算外延片翘曲度,根据所述翘曲度计算旋转速度调节值;根据所述旋转速度调节值对石墨盘的旋转速度进行调节,直至翘曲度满足预设范围,获取外延片信息计算良品率,根据良品率判断是否进行二次加工,进而统一不同圈次之间的翘曲,用以降低外延片的翘曲,提高了外延片的边缘良率,提高整体的均匀性和良率,同时由于外圈的旋转速率降低,外圈的外延片的翘曲降低,可以明显改善外圈的外延片的均匀性和良率。
2 一种合成炉、碲锌镉或碲化镉的制备方法 CN202311662941.7 2023-12-06 CN117737860A 2024-03-22 介万奇; 王苗; 贺琪; 高孟; 杨梅; 席守智
一种合成炉、碲锌镉或碲化镉的制备方法,属于化合物半导体制备领域。合成炉包括炉体以及平设置于炉体内的炉管。炉管具有相对设置的封闭端和呈楔形的开口端。炉管的内壁设置有氮化陶瓷涂层,炉管内设置有具有第一通孔的分隔件,将氮化硼陶瓷涂层的内底壁隔成沿轴向分布的第一壁段和第二壁段,以分隔分别放置于第一壁段和第二壁段处的非气态的物料。加热组件对炉管进行加热,使第一壁段蒸发的物料可以穿过第一通孔进入第二壁段内。密封组件的炉堵设置于开口端的内部,推杆法兰连接,法兰与炉体连接时,推杆推动炉堵与开口端的内壁契合,以封闭炉管。利用上述合成炉,能够降低炉管的爆管几率,提高碲化镉或碲锌镉的合成质量
3 用于承载外延片的复合式载盘及C/C-SiC复合材料的制备方法 CN202311756261.1 2023-12-19 CN117737840A 2024-03-22 刘昱岐; 胡洪雨; 李义; 杜伟华; 李毕庆
本披露公开了一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C‑SiC复合材料的制备方法。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起;所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第一环形凸起的外侧;所述内遮挡环设置于所述石墨底座上的所述第一环形凸起处;其中,所述外遮挡环和所述内遮挡环配合以包覆所述第一环形凸起,所述外延片设置于所述石墨底座上的所述内遮挡环之间。如此解决了化学气相沉积形成的遮挡环开裂的问题以及薄片石墨变形的问题。
4 一种单晶生长装置 CN202311836993.1 2023-12-28 CN117737836A 2024-03-22 左雷杰; 庞宇; 黄义; 梁赫; 霍翱翔; 赵银龙; 李少卿
发明涉及晶体制备技术领域,公开了一种碳化硅单晶生长装置,包括坩埚、加热坩埚的炉体、管体、驱动组件、至少两个倾斜度不同的透孔、反射体、遮挡过滤组件、测温仪;管体支撑坩埚;驱动组件驱动管体升降和旋转;透孔输导炉体不同高度的红外辐射;反射体将透孔输导的红外辐射反射;遮挡过滤组件依次使各处红外辐射单独穿过;测温仪安接收红外辐射、并输出温度信号;本发明通过反射件反射多个炉体高度的红外辐射,通过遮挡过滤组件和测温仪依次单独检测炉体不同高度的温度,检测相互干扰小,检测准确性高,并通过控制器对检测温度进行对比处理,继而使驱动组件及时动作带动坩埚智能升降,保证坩埚及碳化硅受热均匀充分,促进单晶生长。
5 一种四英寸锑化镓单晶生长炉 CN202311839311.2 2023-12-29 CN117737825A 2024-03-22 袁韶阳; 于会永; 冯佳峰; 赵春锋; 赵中阳
一种四英寸锑化镓单晶生长炉,涉及单晶生长技术领域,包括生长区和化料区,两个区域使用不同的温场、不同的坩埚,多晶料先在化料区融化,融化的多晶料及覆盖剂会缓慢的流入下部生长区的坩埚内,通过测温点能够了解物料是否全部流入生长区,待纵向温梯和生长区坩埚调整合适后,进行单晶生长。单晶生长结束以后,可以打开生长区,化料区无需打开,避免高温热损失,直接向化料区加热多晶物料和覆盖剂即可进入下一个化料进程中去。在生长区的下石墨保温套筒和多温区石墨加热器下端设置旋转装置,在多晶生长过程中,通过旋转装置驱动下石墨保温套筒和多温区石墨加热器转动,确保横向温场均匀。
6 一种钌掺杂磷化铬材料及其制备方法和应用 CN202311767824.7 2023-12-21 CN117735499A 2024-03-22 张衍敏; 秦雷; 朱世林; 孙敏娜; 仲超
发明公开了一种钌掺杂磷化铬材料及其制备方法和应用,属于传感器材料应用技术领域,该材料的化学通式为Cr1‑xRuxP,其中,0.2研磨均匀,放入石英管中,抽成高真空并密封,将石英管高温烧制,得到钌掺杂磷化铬多晶研磨成粉,放入坩埚中并加入助熔剂,将坩埚放入石英管中,抽成高真空并密封,将石英管高温烧制,淬火,得到钌掺杂磷化铬材料。本发明利用钌掺杂磷化铬材料具有宽温域全温区线性电阻、低温强磁场环境磁阻小等特性,为宽温域温度传感器的开发提供一种新型热敏响应材料,解决现有温度传感器无法兼顾极低温强磁场及室温温度测量的关键问题。
7 单晶拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉 CN202210749785.7 2022-06-28 CN115044967B 2024-03-22 毛勤虎
发明提供了一种单晶拉晶控制方法及装置、单晶硅拉晶炉,属于半导体技术领域。单晶硅拉晶控制装置包括:电源模,电源模块的一端与坩埚轴连接,另一端与籽晶提拉结构连接,用于提供电信号以在籽晶提拉结构固定的晶体与石英坩埚内的硅溶液接触时,在坩埚轴、石英坩埚、石墨坩埚、硅溶液、晶体和籽晶提拉结构之间形成电流回路;测量模块,用于实时测量电流回路中的实际电流值;控制模块,用于根据晶体尾部的目标直径确定目标电流值,将实际电流值与目标电流值比较,根据比较结果控制籽晶提拉结构的晶体提拉速度和/或加热器的功率。本发明能够对单晶硅尾部的直径进行控制。
8 一种制备粒径可调的药物或药物中间体单晶或无定型物的方法 CN201911039681.1 2019-10-29 CN110607553B 2024-03-22 王健君; 薛涵; 周昕; 吕健勇
发明提供一种制备粒径可调的药物或药物中间体的单晶或无定型物的方法,所述方法是利用药物或药物中间体溶液的冻结和熟化来控制药物或药物中间体分子的供给和聚集速率从而制备粒径可调的药物或药物中间体单晶或无定型物的方法;本发明首次通过冻结药物或药物中间体溶液的方式实现对药物或药物中间体的单晶或无定型物的可控制备,即通过控制溶液的冻结和熟化过程,实现对药物或药物中间体(即药物或药物中间体)供给速率和聚集速率的调控,从而调控药物或药物中间体是否可以成核结晶及其晶体生长情况,实现高效制备药物或药物中间体的单晶或无定型物。同时,通过控制熟化的温度实现对药物或药物中间体单晶或无定型物的粒径的调控。
9 一种厚层FRD外延片制备方法 CN202311690222.6 2023-12-11 CN117727617A 2024-03-19 李博源; 尤晓杰; 马梦杰; 王银海
发明提供一种厚层FRD外延片制备方法,在外延层生长过程中采用多次升温‑降温工艺,有效释放外延片的应,生产的厚层FRD产品(厚度>100μm)裂片率降至0.1%以下,其余参数均满足FRD器件的性能指标要求,保证了产品的质量和生产的稳定性,为厚层FRD产品(>100μm)甚至超厚层FRD产品(>150μm)的裂纹裂片问题提供了有效解决途径。
10 一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法 CN202311764239.1 2023-12-20 CN117721539A 2024-03-19 章嵩; 李宝文; 涂溶; 张联盟; 李志荣; 李迎春
发明涉及一种具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶及其制备方法,所述具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为正六边形形状的单层单晶纳米片,等效直径为5~20μm,厚度为4~25nm。本发明提供的具有超晶格结构的二维Bi4Se3单晶为厚度可控的大尺寸单晶,最低可至单层,其作为二维层面下的光电材料具有一定的应用前景。
11 一种溶液法生长单晶的热场及生长方法 CN202311677998.4 2023-12-08 CN117721521A 2024-03-19 赵鹏; 张明昆; 江长福
发明涉及一种溶液法生长单晶的热场及生长方法,所述设备包括保温硬毡、石英筒保温层、籽晶吊杆、保温软毡、坩埚、线圈移动装置、感应线圈、石墨籽晶托、牵动台、不锈托盘、坩埚旋转装置、石墨环、籽晶升降旋转装置。本发明的生长方法将硅和助溶剂置于坩埚中加热形成高温下具有一定碳溶解度的助溶液,将籽晶下降至溶液表面处提拉碳化硅晶体,液面位于线圈中心以提高籽晶下方温度和碳饱和度,生长过程中通过调整线圈高度控制液面位始终位于线圈中心处。本发明可使碳化硅晶体生长过程中籽晶下方液面碳饱和度保持较高平,提高热场稳定性,从而提高大尺寸碳化硅单晶质量,增加晶体生长速度,解决现有的技术问题。
12 一种晶须及其制备方法 CN202311784163.9 2023-12-22 CN117721514A 2024-03-19 李阳; 应龙林; 张迪; 管世玉; 郭浩; 孙权; 李林锋; 罗嗣明
发明涉及一种晶须及其制备方法,其特征在于,包括如下步骤:取2‑4份电石渣、8‑16份拌合用、0.1‑0.3份助磨剂进行湿法研磨2‑3h,得到电石渣浆料A,取2‑4份废玻璃粉、6‑10份拌合用水进行湿法研磨1‑2h得到废玻璃浆料B;分别在浆料A、B中加入0.05‑0.2份的三乙醇胺,充分混合后放置5‑15分钟,过滤后得到电石渣浆料C和废玻璃浆料D;按照设定的钙硅摩尔比称取浆料C和D,置于水热反应釜中,加入0.05‑0.15份的分散剂,升温至80‑280℃后保温5‑10h;将升温后得到的反应产物冷却,水洗抽滤,干燥,即可得到形貌可控的高纯度硅酸钙晶须。本发明工艺简便,成本低廉,且实现了废物利用、变废为宝,具有较高的实用价值。
13 一种大尺寸、高性能三元稀土复合单晶材料及制备方法 CN202210632542.5 2022-06-07 CN115058775B 2024-03-19 杨新宇; 董存超; 王可; 张久兴; 邓陈辉; 王衍; 罗时峰
发明提供了一种三元稀土六化物(LaxPr1‑x)B6[100]单晶体,其制备方法和包含该单晶体的电子束焊机的阴极器件。在所述单晶体中,0硼化物(LaxPr1‑x)B6单晶体相较于六硼化物单晶拥有更优异的热发射性能,相较于四元掺杂拥有更高的均匀性、稳定性和实用性。由所得样品的伏安特性曲线可知,样品具有比六硼化镧单晶更优的热发射性能。
14 一种加热器和单晶炉 CN202210588892.6 2022-05-26 CN114875478B 2024-03-19 杨文武
发明提供一种加热器和单晶炉。所述加热器包括加热本体;所述加热本体呈碗状且底部具有开口;所述加热本体在周向上划分为第一加热区和第二加热区,第一加热区包括第一主加热区,第二加热区包括第二主加热区,第一主加热区和第二主加热区位于加热本体的轴向的不同高度。本发明实施例中,通过将加热本体的形状设置为与坩埚外形相适配的碗状,并且第一加热区包括的第一主加热区和第二加热区包括的第二主加热区位于加热本体的轴向的不同高度,即呈现出不对称性,从而有利于晶棒中心的轴向温度差与晶棒边缘的轴向温度差的差值变小,有利于无缺陷晶棒的生长,同时控制含量的有效析出,提高晶棒轴向和径向的氧含量均一性。
15 一种三方晶系的RhO2晶体及其制备方法和应用 CN202110753154.8 2021-07-02 CN113564706B 2024-03-19 吕洋洋; 卢浩敏; 姚淑华; 陈延彬; 周健; 陈延峰
发明公开了一种RhO2晶体,所述RhO2晶体属于三方晶系,空间群为#imgabs0#其晶格常数为#imgabs1#该晶体显示新颖的输运性质,即在高温下表现为金属行为,在100‑150K出现金属绝缘体转变,低于该温度表现绝缘体行为。分析表明,该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变,即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
16 多晶棒和单晶硅的制造方法 CN201810915033.7 2018-08-13 CN109694076B 2024-03-19 宫尾秀一; 石田昌彦; 星野成大; 祢津茂义
发明涉及多晶棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压下通过化学气相法培育出的多晶硅棒,其中,在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时,在略低于熔点的温度下,未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。
17 一种室温磁性半导体、制备方法及应用 CN202311691772.X 2023-12-11 CN117715504A 2024-03-15 曹立民; 梅光强; 丰敏
申请涉及一种室温磁性半导体、制备方法及应用,其包括如下步骤:将磁性过渡族金属元素的卤化物与单质和硒单质放入反应容器中,抽真空或者充满惰性保护气体后放入加热炉中,将炉温升至第一温度,以熔融成熔体;对所述熔体进行控温,以使其两端形成预设温度梯度;保持该预设温度梯度,按照预设冷却速度,将炉温从所述第一温度降低至第二温度,之后随炉冷却至室温,取出,即得室温磁性半导体。本申请制备的室温磁性半导体,其具有典型半导体特性和室温磁性。
18 一种基于二维材料掩膜的基氮化镓外延片及其制作方法 CN202311570743.8 2023-11-21 CN117712148A 2024-03-15 应豪; 刘洋博文; 严钰婕; 熊国栋; 黄俊; 杨冰
发明涉及半导体器件技术领域,提供一种基于二维材料掩膜的基氮化镓外延片及其制作方法,上述基于二维材料掩膜的硅基氮化镓外延片包括衬底、成核层、二维材料掩膜层及氮化镓层;成核层设于衬底上;二维材料掩膜层设于成核层背离衬底的一侧;氮化镓层设于二维材料掩膜层的表面及间隙处。该外延片能够利用二维材料的优异性能实现柔性器件的制作及提高器件的散热性能,在Si基GaN外延片中,AlN作为缓冲层避免Ga与Si的直接接触,较低生长温度的AlN抑制了Al向Si衬底扩散形成p型导电沟道,降低了射频损耗;并且还作为成核层在后续外延GaN提供成核位点,决定了外延GaN薄膜的晶体质量;二维材料掩膜可起到阻挡位错的作用。
19 一种半绝缘的制备方法、晶圆片及半导体器件 CN202311705692.5 2023-12-12 CN117702282A 2024-03-15 宋立辉; 皮孝东; 杨德仁; 刘帅; 黄渊超; 熊慧凡
发明涉及半导体加工技术领域,提供了一种半绝缘的制备方法、晶圆片及半导体器件,通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲,利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征,使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子,位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子,从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷,得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片,而且,得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀,可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
20 桨的平度调节装置、水平度调节方法及控制设备 CN202311727252.X 2023-12-15 CN117702280A 2024-03-15 贺鹏; 张鹏举; 郭超超
发明提供了一种桨的平度调节装置、水平度调节方法及控制设备,属于半导体技术领域。包括:基座(1)、固件挡板(2)、测距传感器(3)和调节机构(4);紧固件用于将碳化硅桨(5)的第一端固定在基座(1)上;挡板(2)安装在碳化硅桨(5)的第二端,且挡板(2)与碳化硅桨(5)的下表面相垂直;测距传感器(3)设置在基座(1)上朝向所述挡板(2)的一侧壁上,测距传感器(3)用于测量测距传感器(3)与挡板(2)之间的距离值;调节机构(4)用于根据距离值,调节紧固件的松紧度,以调节碳化硅桨(5)的水平度。本发明的技术方案能够实时地自动调节碳化硅桨的水平度,提高了调节效率。