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G11B：基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储（以不需要通过换能器重现记录值的方式记录测量值的入G01D9/00；利用有机械标记的带子，例如，穿孔纸带或利用单元记录卡，如穿孔卡片或具有磁性标记的卡片的记录或重现设备入G06K；将数据从记录载体的一种类型转移到另一种类型上的入G06K1/18；将重放装置的输出耦合到无线电接收机上去的电路入H04B1/20；唱机拾音器之类的声音机电传感器或为此所用的电路入H04R）
G11C：静态存储器（半导体存储器件入H01L，如H01L27/108-H01L27/11597）

序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	动态随机存储器测试方法及装置	CN202211166635.X	2022-09-23	CN117809727A	2024-04-02	章恒嘉
本公开提供一种动态随机存储器测试方法及装置，涉及存储器技术领域。动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管NMOS晶体管，各个存储单元的存储电容的第一极板与对应第一晶体管的漏极电连接，各个存储单元的第一晶体管的P型硅基板与衬底电连接，该方法包括：通过在衬底上施加第一电压，并在各个存储单元的存储电容的第二极板上施加第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，第一电压高于第二电压；在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对各个存储单元进行读取操作，以对动态随机存储器进行老炼测试。该方法可避免老炼测试中写入背景采用激活、写入、预充电的指令动作而导致的相关电路的损耗。
2	动态随机存储器测试方法及装置	CN202211166055.0	2022-09-23	CN117809726A	2024-04-02	章恒嘉
本公开提供一种动态随机存储器测试方法及装置，涉及存储器技术领域。动态随机存储器包括衬底和多个存储单元，各个存储单元包括存储电容和第一晶体管，各个存储单元的存储电容通过对应的第一晶体管与衬底电连接。该方法包括：通过将向衬底施加的电压从第一电压切换为第二电压，对各个存储单元的存储电容进行充电，第二电压高于第一电压；在各个存储单元的存储电容充电预定时长后，对动态随机存储器进行测试。该方法可缩减测试项目中写入背景的时间，提高了测试效率。
3	一种闪存颗粒筛选分级方法	CN202410233585.5	2024-03-01	CN117809725A	2024-04-02	邱杰; 邹飞; 黄泽诚
本发明公开了一种闪存颗粒筛选分级方法，属于闪存领域，包括步骤：通过在第一预设温度环境下进行数据写入，并结合闪存自身的特性，叠加读干扰/数据保持模拟测试；然后，在第二预设温度环境下进行数据读取；在所述测试的过程中收集颗粒坏块信息及擦写读的时延，用于配合原始比特错误率数据及筛选算法来更精确地把控颗粒的优良分级。本发明可实现对闪存颗粒进行一次筛选测试，即能够进行多级别的颗粒分级；同时还解决了闪存颗粒分级准确性存在误差的问题。
4	电流发送器中低输出电压扩展的设备和方法	CN202311265475.9	2023-09-27	CN117809703A	2024-04-02	S·瓦希什塔; K·S·拉索尔; P·加格
本公开涉及电流发送器中低输出电压扩展的设备和方法。一种集成电路包括电流模式发送器。电流模式发送器包括第一电阻器和第二电阻器。通过测量电阻、基于测得的电阻生成电阻修整代码并将第一电阻修整代码写入第一寄存器来调整第一电阻器的电阻。通过基于第一电阻修整代码生成第二电阻修整代码并将第二电阻修整代码写入第二寄存器来调整第二电阻器的电阻。
5	用于存算一体的操作原语生成方法和存算一体逻辑电路	CN202311872857.8	2023-12-31	CN117807020A	2024-04-02	李祎; 杨岭; 缪向水
本发明公开用于存算一体的操作原语生成方法和存算一体逻辑电路，属于微电子器件领域。包括：地址译码器，用于接收主控制器发送的地址信号，译码为开关信号，输出控制信号至存算一体运算阵列，以激活对应区域；数据‑指令译码器，用于接收主控制器发送的运算对象和操作指令，将数据编码为不同的格式，输出至存算一体运算阵列；存算一体运算阵列，用于由激活区域执行计算，输出计算结果对应的工作电压/电流给输出感知电路；输出感知电路，用于将工作电压/电流转换为数字信号，发送给主控制器。本发明抽象出基础的操作原语和操作指令，指导存算一体电路设计，降低电路设计复杂度；提高存算一体电路的灵活性和可配置性，以适配各类复杂的计算需求。
6	LPDDR芯片的降容测试方法、系统、设备以及存储介质	CN202310433004.8	2023-04-17	CN116597887B	2024-04-02	刘孜
本申请实施例提供了一种LPDDR芯片的降容测试方法、系统、设备以及存储介质，属于存储器技术领域。方法包括：从LPDDR芯片的两个通道中选择一个通道作为降容通道，确定降容通道的原输入端为LPDDR芯片的目标输入端，确定LPDDR芯片的原输出端为LPDDR芯片的目标输出端；通过终端向降容通道发送测试指令；通过预先获取的测试数据和读取的LPDDR芯片的存储数据进行对比，确定与测试数据不一致的存储数据的第一物理地址；对各第一物理地址进行解析得到通道信息值，并根据通道信息值对LPDDR芯片进行读、写以及比较操作，得到LPDDR芯片的测试结果，其中，测试结果用于表征LPDDR芯片为良品或为不良品。本申请能够对LPDDR芯片进行降容测试，提高了LPDDR芯片的利用率。
7	通过监测金丝雀单元检测存储器单元干扰的系统和方法	CN202111195728.0	2021-10-14	CN114999542B	2024-04-02	M·K·本尼迪克特; E·L·蒲柏
一个实施例提供了一种存储器模块。所述存储器模块包括：多行存储器单元，各个行包括比非金丝雀存储器单元更容易受到干扰的一个或多个金丝雀存储器单元；以及干扰检测电路，所述干扰检测电路耦接到对应行的至少一个金丝雀存储器单元并且被配置为响应于对所述金丝雀存储器单元的干扰超过预定阈值而输出控制信号。
8	具有HDD组件的磁带嵌入式驱动器	CN202080079766.7	2020-06-20	CN114730575B	2024-04-02	D·W·丘
一种磁带嵌入式驱动器可包含：磁带介质，其用于存储数据；第一磁带卷盘和第二磁带卷盘，其各自耦合到所述磁带介质的一个末端；以及磁头臂组合件(HSA)。所述HSA可包含具有至少一个读头和一个写头的第一磁头组合件和具有不能进行读取或写入的不可操作磁头的第二磁头组合件。在实施例中，所述第一磁头组合件配置成沿着所述磁带介质的第一侧放置，且所述第二磁头组合件配置成沿着所述磁带介质的与所述磁带介质的所述第一侧相对的第二侧放置。
9	存储器电路以及控制存储器阵列的唤醒操作的方法	CN202110920274.2	2021-08-11	CN113808632B	2024-04-02	桑吉夫·库马尔·甄恩; 赛赫尔·普列特·辛格; 阿图尔·卡多奇
提供存储器电路以及控制存储器阵列的唤醒操作的方法。存储器电路可以包括具有多个存储器单元的存储器阵列、第一逻辑电路、第一开关电路、第一锁存器电路和第二开关电路。第一逻辑电路为多个存储器单元中的第一存储器单元生成第一位线预充电信号，响应于睡眠信号生成第一位线预充电信号。第一开关电路响应于第一位线预充电信号向第一存储器单元的一个或多个位线供电。第一锁存器电路接收睡眠信号和第一位线预充电信号并生成延迟的睡眠信号。第二逻辑电路为多个存储器单元中的第二存储器单元生成第二位线预充电信号，响应于延迟的睡眠信号元生成第二位线预充电信号。第二开关电路响应于第二位线预充电信号向第二存储器单元的一个或多个位线供电。
10	计算经优化读取电压	CN202110490244.2	2021-05-06	CN113628663B	2024-04-02	P·R·哈亚特; J·菲兹帕特里克; A·S·埃侯赛因; S·帕塔萨拉蒂
本申请涉及计算经优化读取电压。一种存储器装置，其用以通过以下操作来确定经优化以读取存储器单元群组的电压：在多个测试电压下读取所述存储器单元群组，分别在所述测试电压下计算位计数，以及计算所述测试电压中的邻近电压对的所述位计数中的计数差。当在根据电压的所述计数差的分布的一侧发现所述计数差中的最小一者时，所述存储器装置被配置成基于第一计数差与第二计数差之间的比率来确定经优化读取电压的位置，其中所述第一计数差是所述计数差中最小的，且所述第二计数差在电压上最接近于所述第一计数差。
11	自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法	CN202110544112.3	2017-10-24	CN113346009B	2024-04-02	佐佐木智生; 盐川阳平
本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述第二铁磁性金属层接合，该自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状，该制造方法具有：形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序；将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序；和将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。
12	移位寄存器电路、有源矩阵基板以及显示装置	CN202110218752.5	2021-02-26	CN113314181B	2024-04-02	高桥佳久
移位寄存器电路(50)中的各级SR的电路具备：第一晶体管(MC)，其栅极与置位端子连接，源极或漏极与内部节点电连接；第二晶体管(MD)，其源极和漏极的一方与内部节点电连接，源极和漏极的另一方与基准电压源电连接；第三晶体管(MA)，其栅极与内部节点电连接，源极和漏极的一方与时钟端子电连接，源极和漏极的另一方与第一输出端子电连接；自举电容器(C)，其一端与内部节点电连接，另一端与第一输出端子电连接；以及稳定化电路(SC)，其抑制在自举电容器的充电期间因复位信号的脉动引起的可能产生的内部节点的电位的降低。
13	低功耗EEPROM 存储器	CN202110292161.2	2021-03-18	CN113053442B	2024-04-02	王德明
本发明公开了一种低功耗EEPROM 存储器，包括存储单元、电荷泵模块、第一开关管、第二开关管和反相器。存储单元的第二端用于输出存储单元所存储的比特信号，电荷泵模块的输出端与存储单元的栅极连接，第一开关管的第一端用于连接高电平，第一开关管的控制端用于接收读使能信号，第二开关管的第一端与第一开关管的第二端连接，第二开关管的第二端与各存储单元的第二端连接，反相器的输入端与第二开关管的第二端连接。本发明中的读取电路以串行信号读取数据，可以大幅降低功耗，读取电路基于阈值电压检测机制工作，因此不需要使用基准源和运算放大器，可以有效降低读取电路的面积和功耗。本发明广泛应用于存储器技术领域。
14	闪存的数据重读方法、装置、设备及计算机可读存储介质	CN202010181145.1	2020-03-16	CN111400099B	2024-04-02	朱钦床; 叶欣; 张翔; 李振华
本发明公开一种闪存的数据重读方法，该数据重读方法包括构建重读参数库；根据发生比特翻转时的闪存温度、闪存读次数和闪存擦写次数，获取所述闪存发生比特翻转的原因；根据所述原因从所述重读参数库中调用对应的重读参数进行数据重读。本发明有利于提高闪存在发生比特翻转后进行数据重读操作的效率。此外，本发明还公开一种闪存的数据重读装置、设备及计算机可读存储介质。
15	一种DRAM全局字线驱动电路及其降低漏电的方法	CN201910508473.5	2019-06-13	CN110148433B	2024-04-02	杜艳强; 吴君; 张学渊; 朱光伟
本发明公开了一种DRAM全局字线驱动电路，包括全局字线驱动模块和电源切换模块，所述的电源切换模块的输出与多个所述的全局字线驱动模块的电源输入相连，其中，所述的全局字线驱动模块包括依次连接用于驱动全局字线的地址选择下拉电路、预充电锁存电路和全局字线输出驱动电路。通过上述方式，本发明提供的DRAM全局字线驱动电路及其降低漏电的方法，结构简单，设计合理，能够有效地降低DRAM全局字线驱动电路在待机模式下的漏电，通过降低待机模式下的全局字线驱动电路的电源电压，来减小其晶体管源漏两端跨压，增大PMOS晶体管的阈值电压的绝对值，从而达到减小其漏电电流的目的。
16	一种基于数据清洗服务的外存储设备	CN201910190822.3	2019-03-13	CN109903788B	2024-04-02	刘芳芳
本发明公开了一种基于数据清洗服务的外存储设备，其结构包括机体、支撑块、外接电源线、电源开关、硬盘、传输接口、风机、处理器、防尘装置和防滑装置，本发明公开了一种基于数据清洗服务的外存储设备，本设计提出防滑装置设计，解决了设备易发生位移，从高出掉落造成损坏的问题，抓耳将防尘主体从机体中抽出，然后对防尘网进行清洗，然后将防尘主体插入插孔中，且防尘主体左右两侧在机体内两侧的滑道内滑动，并由卡块卡住插孔进行固定，达到便于将设备进行固定，防止设备随意移动的有益效果。
17	存储器装置及存储器模块	CN201810620354.4	2018-06-15	CN109390015B	2024-04-02	张牧天; 牛迪民; 郑宏忠
本发明提供一种存储器装置及存储器模块。存储器装置包括双晶体管单电容器动态随机存取存储器的阵列以及存储器控制器。动态随机存取存储器单元被排列成多行动态随机存取存储器单元及多列动态随机存取存储器单元。存储器控制器处于存储器装置的内部且耦合到动态随机存取存储器单元的阵列。存储器控制器能够接收被输入到存储器装置的命令且能够响应于所接收的命令来控制对动态随机存取存储器单元的阵列的行主序存取及列主序存取。本发明提供支持行“主序”存取及列“主序”存取二者的动态随机存取存储器架构，以使得可利用实质上相等的速度及效率来对行与列二者进行存取。
18	长筒式光盘存取装置	CN201810252374.0	2018-03-26	CN108231096B	2024-04-02	赵伟东; 赵卫明; 林劲楠; 苏镇涛; 何坤
本发明公开了一种长筒式光盘存取装置，属于存储装置技术领域。该装置包括第一光盘存置筒、第二光盘存置筒和光盘移动匣，第一、第二光盘存置筒相互平行间隔地设置，其上设置多个光盘槽，增加了光盘存储量；光盘移动匣设置在第一、第二光盘存置筒之间，并能够沿筒的延伸方向移动，用于运输光盘；光盘移动匣的相对的两侧面均设置有开口，光盘移动匣内具有存储槽，其上设置有光盘驱动机构，用于将光盘从存储槽内移动到光盘槽内，以及从光盘槽内移动到存储槽内。本发明结构简单、体积小、容量大、可靠性高、噪音小且价格低，适于中小型企业及家庭存储光盘。
19	低泄漏漏极编程ROM	CN202280044952.6	2022-06-17	CN117795603A	2024-03-29	陈潇; C-J·谢; S·松; 郑春明
一种漏极编程只读存储器包括扩散区，该扩散区跨越位单元的宽度，并且形成第一晶体管和第二晶体管的漏极。邻近该扩散区的金属层中的位线引线跨该位单元的宽度延伸。第一通孔从该位线引线的上半部延伸，并且耦合到该第一晶体管的漏极。类似地，第二通孔从该位线的下半部延伸，并且耦合到该第二晶体管的漏极。
20	存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法	CN202211153886.4	2022-09-21	CN117794247A	2024-03-29	景蔚亮; 孙莹; 黄凯亮; 王正波; 廖恒
本申请实施例属于存储设备技术领域，具体涉及一种存储阵列及其制作方法、存储器、电子设备及读写方法。本申请实施例旨在解决存储阵列数据读取较慢的问题。本实施例提供的存储阵列、存储阵列制作方法及读写方法，器件层包括层叠设置的第一电极层、第一隔离层以及电极板，各第一电极层之间电连接。在数据读取时，可以向第一电极层和栅极柱供电，即可使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于可读取数据的状态，此时通过电极板即可读取该电极板对应的存储晶体管内的数据，无需使栅极柱与各器件层形成的各存储晶体管均处于开启状态，提高了数据的读取速度。

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