专利检索_.....对多个存储单元共同进行电荷再生的即外部刷新专利检索_.....对多个存储单元共同进行电荷再生的即外部刷新专利检索查询

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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	位反转电路	CN201110257387.5	2011-09-01	CN102385910B	2016-12-14	杨光军
本发明公开一种位反转电路，至少包括：产生补偿电流的数据模式补偿电路，根据当前的数据模式来补偿源极线的编程电压；将该补偿电流镜像至第二镜像电路的第一镜像电路；用于将镜像至该第二镜像电路的补偿电流进一步镜像的第二镜像电路，并将该补偿电流与一参考电流进行比较，输出一比较结果；对该比较结果进行整形后产生一反向数字信号的整形电路；以将镜像至该第二镜像电路的补偿电流转化成控制信号的控制信号产生电路；用于产生初始编程电压的电荷泵电路；以及以在该控制信号的控制下输出相应的编程电压的稳压电路，本发明通过对写入数据进行反向后再写入存储单元，使得需要充电的存储单元较少，降低了功耗。
2	防止便携式终端中的异常只读存储器更新的装置和方法	CN201110128519.4	2011-05-10	CN102354524B	2016-03-23	李容在
一种防止便携式终端中的异常只读存储器更新的装置和方法。一种用于确定便携式终端中的异常ROM更新的装置和方法。所述装置包括：ROM更新单元，当执行ROM更新处理时增加ROM更新开始计数器的值，当结束ROM更新处理时增加更新结束计数器的值。ROM更新单元加载更新开始计数器的值和更新结束计数器的值，并比较两个计数器的值，以确定ROM更新处理在便携式终端异常操作之前是否被正常执行。
3	用于使刷新操作对易失性存储器性能的影响最小化的方法及系统	CN201210402904.8	2005-11-22	CN102969017B	2016-01-06	罗伯特·迈克尔·沃克
本发明涉及用于使刷新操作对易失性存储器性能的影响最小化的方法及系统。本发明提供一种存储器系统。所述系统包括：易失性存储器；刷新计数器，其经配置以监测在所述易失性存储器内执行的提前刷新的次数；及控制器，其经配置以响应于检测到对定期安排的刷新的请求而检查所述刷新计数器，以确定是否可跳过所述定期安排的刷新。
4	存储器存取方法、存储器存取控制方法及存储器控制器	CN201310220521.3	2013-06-05	CN104064213A	2014-09-24	薛时彦
本发明提供至少一种存储器存取方法、存储器存取控制方法及存储器控制器，其中一种存储器存取方法适用于耦接至地址与数据复用总线及地址总线且包括存储器阵列的存储器装置，该存储器存取方法包括：通过地址与数据复用总线接收地址信息的低位地址信号并通过地址总线接收地址信息的高位地址信号；通过地址总线接收高阶存取信号；以及根据地址信息以及高阶存取信号，对存储器阵列进行存取操作以存取数据，并通过地址与数据复用总线接收或传送数据。本发明可使存储器装置连续存取数据，提升数据存取速率，并具有更多元的存取模式。
5	用于使刷新操作对易失性存储器性能的影响最小化的方法及系统	CN201210402904.8	2005-11-22	CN102969017A	2013-03-13	罗伯特·迈克尔·沃克
本发明涉及用于使刷新操作对易失性存储器性能的影响最小化的方法及系统。本发明提供一种存储器系统。所述系统包括：易失性存储器；刷新计数器，其经配置以监测在所述易失性存储器内执行的提前刷新的次数；及控制器，其经配置以响应于检测到对定期安排的刷新的请求而检查所述刷新计数器，以确定是否可跳过所述定期安排的刷新。
6	交错自刷新的方法	CN201110122860.9	2011-04-11	CN102324247A	2012-01-18	K·S·贝恩斯; G·韦吉斯
一种系统、设备和方法用于：将存储器模块的多个存储器列中的第一列指定为主列并将一个或多个第二列指定为辅助列；经由在所述存储器模块内部与所述多个存储器列耦合的硬件逻辑，在第一时间(例如Time1)触发所述主列的刷新；以及在一个或多个第二时间(例如Time2到Timen)触发每一个所述辅助列的非重叠交错刷新，所述一个或多个第二时间对应于被指定为所述辅助列的各个存储器列中的每一个列。
7	半导体存储器、存储系统及其控制方法	CN201010000947.4	2010-01-21	CN102054525A	2011-05-11	尹相植
本发明公开了半导体系统、半导体存储器及其控制方法的各个实施例。在一个示例性实施例中，半导体存储器可以包括：第一电路区，配置为执行对应于一般操作命令的操作；和第二电路区，配置为将一般操作命令提供给第一电路区。所述第二电路可以被配置为基于分配给所述半导体存储器的目标识别信息和唯一识别信息，确定是否选择所述半导体存储器以执行所述操作。
8	具有双晶体管垂直存储器单元及共板的存储器装置	CN202080060550.6	2020-08-26	CN114365221A	2022-04-15	K·M·考尔道; K·萨尔帕特瓦里; 刘海涛; D·V·N·拉马斯瓦米
一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含：衬底；导电板，其位于所述衬底上方以耦合接地连接；数据线，其位于所述衬底与所述导电板之间；存储器单元；及导线。所述存储器单元包含第一晶体管及第二晶体管。所述第一晶体管包含电耦合于所述数据线与所述导电板之间的第一区域及与所述第一区域电分开的电荷存储结构。所述第二晶体管包含电耦合到所述电荷存储结构及所述数据线的第二区域。所述导线与所述第一区域及所述第二区域电分开且横跨所述第一晶体管的所述第一区域的部分及所述第二晶体管的所述第二区域的部分，且形成所述第一晶体管及所述第二晶体管的栅极。
9	DRAM 存储器	CN201910904496.8	2019-09-24	CN112634955A	2021-04-09	冀康灵; 尚为兵; 李红文
一种DRAM 存储器，包括：衬底；位于所述衬底上呈行列排布的若干存储库，每一个存储库在列方向上被分为三个存储块，所述每一个存储块中均具有呈行列排布的若干存储单元。通过将每一个存储库列方向上分为三个存储块，一方面，在每一个存储库容量一定的情况下，在列方向上将每一个存储库分为三个存储块，每一个存储块在行方向上的长度会变短，使得控制线路和数据传输线路到每一个存储块中的存储阵列中相应的存储单元的距离会变短，因而可以不需要很大的驱动，并且使得数据传输线路产生的寄生电阻和寄生电容减小，使得数据传输速率和数据传输准确性提升，降低功耗。
10	半导体装置	CN201710082286.6	2011-01-07	CN106847816A	2017-06-13	斋藤利彦
本发明涉及半导体装置，目的是即便针对包括耗尽模式晶体管的存储器元件也仍然提供能够精确地保持数据的半导体装置。预先对用于控制信号到信号保持部分的输入的晶体管的栅极端子带负电。物理上断开到电源的连接，从而在栅极端子处保持负电荷。此外，提供具有端子的电容器，端子中的一个与晶体管的栅极端子电连接，从而通过电容器控制晶体管的开关操作。
11	存储器件及半导体器件	CN201610883736.7	2011-08-18	CN106298794A	2017-01-04	山崎舜平; 小山润
存储器件及半导体器件。提供一种能够长时间保持数据的存储器件。存储器件包括存储元件及晶体管，晶体管用作为开关元件，用以控制存储元件中的电荷的供应、存储及释出。晶体管包括用以控制阈值电压的第二栅电极以及普通栅电极。此外，由于晶体管的活性层包含氧化物半导体，因此晶体管的截止状态电流极低。在存储器件中，不通过在高电压下将电荷注入至绝缘膜围绕的浮动栅极，而是通过经由截止状态电流极低的晶体管来控制存储元件的电荷量，来存储数据。
12	具有完全独立的部分阵列刷新功能的动态随机存取存储器	CN200780015485.X	2007-03-28	CN101432818B	2012-06-06	金镇祺; 吴学俊
一种动态随机存取存储器设备包括多个存储器子块。每一子块具有多个字线，每一字线连接多个数据存储单元。独立进行部分阵列自刷新(PASR)配置设置。根据所述PASR设置，寻址存储器子块用于刷新。PASR设置由存储器控制器做出。可以选择子块地址的任意一种组合。因此，完全独立刷新存储器子块。用于数据保持的用户可选择的阵列提供有效的存储器控制编程，特别适于低功率移动应用。
13	一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM	CN201010153437.0	2010-04-22	CN102237128A	2011-11-09	林殷茵; 孟超; 董存霖; 程宽
本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行；该PSRAM也对应包括刷新控制电路，所述刷新控制电路可操作地用于控制增益单元存储阵列中的一行的刷新操作与所述增益单元存储阵列的其他行的外部访问操作并行进行。该刷新操作方法大大提高了增益单元存储阵列的操作速度，使用该刷新操作方法的PSRAM具有操作速度快、与外部SRAM 接口兼容的特点。
14	存储器装置及其操作方法	CN03822470.4	2003-08-26	CN100470668C	2009-03-18	R·K·贾恩
本发明涉及集成电路中多端口存储器的刷新。一种双端口存储模件，包括为了检测在外部请求存取以及刷新操作之间的冲突而进行刷新的一个竞争电路。该刷新操作被分配至未进行外部存取的端口。当通过两个端口的存取提出请求时，将插入用于其中一个存取请求的等待循环，直到该刷新被终止。
15	半导体存储装置	CN200480043578.X	2004-07-16	CN1989570A	2007-06-27	富田浩由; 山口秀策
共用端子接收地址信号和数据信号。地址有效端子接收表示供给共用端子的信号是地址信号的地址有效信号。判优器决定优先外部存取请求和内部刷新请求中的哪一个。判优器响应芯片使能信号和地址有效信号的同为有效电平(外部存取请求)来禁止接收内部刷新请求。判优器响应读出操作或者写入操作的结束来允许接收内部刷新请求。其结果是，在具有接收地址信号和数据信号的共用端子的半导体存储装置中，能够防止读出操作以及写入操作和响应内部刷新请求的刷新操作相互冲突，从而防止误操作。
16	自动刷新的易失存储器设备及相关存储器系统和操作方法	CN200510106784.7	2005-10-12	CN1779853A	2006-05-31	曹成奎
提供用于自动刷新易失存储器设备中多个存储器单元的方法，在该方法中，响应于自动刷新模式激活命令而激活易失存储器设备的自动刷新模式。其后，可以响应于自动刷新命令在多个存储器单元上执行自动刷新操作。也提供了相关的动态随机访问存储器设备、存储器系统和逻辑嵌入存储器。
17	半导体存储器装置和具有其的存储器系统	CN201910393323.4	2019-05-13	CN110890118B	2023-12-26	柳成宪; 金正烈; 金铁雄; 金铉普; 林周延
提供一种半导体存储器装置和具有其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：上电信号生成器，被配置为响应于存储器电压达到目标电压电平生成上电信号；初始化器，被配置为响应于上电信号和复位信号生成初始化信号，并响应于初始化操作的完成生成初始刷新命令；以及存储器单元阵列，包括连接在多条字线与多条位线之间的多个存储器单元，存储器单元阵列被配置为：响应于初始刷新命令对所述多个存储器单元执行初始刷新操作。
18	动态随机存取存储器及处理器模块	CN202110329706.2	2021-03-26	CN114664333A	2022-06-24	赖振楠
本发明提供了一种动态随机存取存储器及处理器模块，所述动态随机存取存储器包括第一芯片、第二芯片以及桥接晶片，所述第一芯片内封装有闪存晶片，所述第二芯片内封装有DRAM晶片；所述第一芯片、第二芯片以及桥接晶片封装于第一封装体内，且在所述第一封装体内，所述第一芯片与所述第二芯片相叠设置，所述桥接晶片分别与所述第一芯片内的闪存晶片和第二芯片内的DRAM晶片耦合。本发明通过将DRAM晶片、闪存晶片及桥接晶片封装在一起，并通过桥接晶片直接根据中央处理单元正在执行的指令集更新DRAM晶片中的内容，从而较小成本即可实现较大的存储容量。
19	存储器件及其操作方法	CN201710173311.1	2017-03-22	CN107610732B	2021-05-28	元炯植
一种存储器件可以包括：单元阵列，所述单元阵列包括主区域和相邻区域，多个主存储单元设置在主区域中，且多个相邻存储单元设置在相邻区域中；控制电路，所述控制电路适用于控制单元阵列的行操作和列操作；以及相邻区域控制器，所述相邻区域控制器适用于控制相邻存储单元，使得相邻存储单元在与主存储单元不同的条件下来操作。
20	存储控制设备、存储设备和存储设备系统	CN201110038109.0	2011-02-15	CN102163452B	2016-04-06	黑田真实
在此公开了一种存储控制设备，其包括温度传感器、温度信息选择部分、刷新命令接收部分和触发发布频率设置部分。

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