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一种选择性吸收太阳光热除冰涂层及其制备方法
申请号	CN202210290455.6	申请日	2022-03-23	公开(公告)号	CN114686882A	公开(公告)日	2022-07-01
申请人	陕西科技大学;			发明人	姚淑敏; 师晶; 王成兵; 柯生兰;
摘要	本发明公开了一种选择性吸收太阳光热除冰涂层及其制备方法，属于太阳光谱选择性吸收涂层领域，该涂层从基板开始依次为扩散阻挡层、吸收层、吸收层、减反射层和超疏水层；具有太阳光谱选择性吸收特征，同时具有吸收率高、反射率低、表面自清洁、光热除冰等优异性能。本涂层的制备工艺简单、成本低廉，适用于多种基板表面。经实测，涂层具有较高的吸收率和非常低的发射率，太阳光谱选择性吸收性能优异，在铝合金表面沉积之后，在一个太阳辐射光照度下仅需430s左右即可升温至76.4℃。且涂层表面接触角高达155°，具有优异的疏水性能，因此可快速融化冻结在涂层表面的冰粒，达到良好的光热除冰、疏水及自清洁效果。
权利要求	1.一种选择性吸收太阳光热除冰涂层，其特征在于，从基板依次覆盖有AlxOy扩散阻挡层，Al‑AlNOx吸收层，Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOz减反射层和SiO2超疏水层。 2.权利要求1所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，包括：步骤一：取干净基板，通入Ar和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在基板上沉积一层AlxOy扩散阻挡层；步骤二：通入N2和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤一所得的AlxOy扩散阻挡层上依次沉积Al‑AlNOx吸收层和Al‑AlNOy吸收层；步骤三：通入N2和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤三所得的Al‑AlNOy吸收层上方沉积一层Al‑AlNOz作为减反射层；步骤四：通入SiH4和O2的混合气体，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤三所得的Al‑AlNOz减反射层上方沉积一层SiO2超疏水层。 3.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤一中的基板表面光洁度Ra<1μm、表面无锈点、凹坑。 4.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤一中，Ar流量为90～100sccm，Ar/O2流量比为5～3；工作气压为5～8Pa；基板负偏压为‑ 200～‑350V，Al靶功率为10～13W，沉积时间13～15min。 5.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤二沉积Al‑AlNOx吸收层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1～1.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为20～22W，沉积时间30～35min。 6.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤二沉积Al‑AlNOy吸收层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为 1.2～1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为15～17W，沉积时间30～35min。 7.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤三中沉积减反射层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1.2～ 1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为10～12W，沉积时间10～15min。 8.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤四中制备SiO2超疏水层时，SiH4流量为15～20sccm，SiH4/O2流量比为0.8～1；工作气压为2～2.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，沉积时间15～18min。 9.根据权利要求2所述的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，其特征在于，步骤二中Al‑AlNOx吸收层和Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOx吸收层金属体积百分数为45％～ 50％，Al‑AlNOy吸收层金属体积百分数为20％～25％。
说明书全文	一种选择性吸收太阳光热除冰涂层及其制备方法技术领域 [0001] 本发明属于太阳光谱选择性吸收涂层领域，具体涉及一种选择性吸收太阳光热除冰涂层及其制备方法。背景技术 [0002] 为了改善能源结构、保护生态环境、应对气候变化并实现经济社会的可持续发展，世界各国都在积极开发和利用风能、潮汐能、生物质能及太阳能等可再生能源。其中，太阳能具有普遍性、无害、储量巨大和使用长久等优点，在可再生能源结构中占有重要地位。在太阳能利用方式中，太阳能热发电是其中应用较为普遍的一种。与光伏发电技术相比，太阳能热发电具有制造环节能耗低、能量转换效率高、清洁无污染和可实现24h连续发电等优势，应用前景广阔。根据集中器聚光反射方式的不同，可以把太阳能热发电系统分成抛物面槽式、线性菲涅尔式、碟式和塔式四类，现阶段发展最为成熟的是抛物面槽式。抛物面槽式发热系统的核心是真空集热管，真空集热管中主要由太阳光谱选择性吸收涂层负责吸收太阳光，将太阳能转换成热能，其高温热稳定性和综合性能直接决定着整个发电体系的光热转换效率。 [0003] 因此，为了提高发电系统的光热转换效率、更高效地利用太阳能，开发一种综合性能优异的太阳光谱选择性吸收涂层对于更好地利用清洁能源具有重要意义。目前，关于太阳光谱选择性吸收涂层的研究十分广泛。中国专利文献CN201410648672.3公开了一种吸收边连续可调的太阳光谱选择性吸收涂层，包括基体、红外反射层、吸收层、减反射层。基体材料为抛光金属板或玻璃板；红外反射层为金属铝；吸收层包括金属亚层、半导体锗亚层和金属氮氧化物亚层，其中金属亚层材料为Ti，半导体锗亚层材料为非晶态 Ge，金属氮氧化物亚层为TiNxOy；减反射层为TiO2。该专利中的薄膜属于“金属 ‑陶瓷”类型选择性吸收膜系，可实现94.3％的吸收率，光学性能略优。但是其加工工艺复杂，由6层结构组成，且不具备疏水和光热除冰功能，经常需要人工清洁，对使用环境的要求较高，不利于大规模推广应用。中国专利文献 CN201822088711.5公开了一种双过渡层复合吸收型太阳光谱选择性吸收涂层，包括基体、红外反射层、金属过渡层、复合吸收层、氧化物过渡层和减反射层。基体材料为玻璃、铝、铜或不锈钢；红外反射层材料为Al、Cu、Au、Ag、Ni 或Cr；金属过渡层材料为金属Cr；复合吸收层自下而上依次包括第一吸收亚层、第二吸收亚层和第三吸收亚层，其中第一吸收亚层的材料为CrNx1Oy1，第二吸收亚层的材料为CrNx2Oy2，第三吸收亚层的材料为CrNx3Oy3；金属过渡层的材料为金属Cr；氧化物过渡层的材料为Cr2O3；减反射层的材料为SiO2、Al2O3、ThO2或Sm2O3。该类技术提高了太阳光谱选择性涂层内部膜层的附着力和高低温循环稳定性，提供了解决膜层脱落问题的技术，但其技术门槛和加工成本较高，不利于工业生产应用。发明内容 [0004] 为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种选择性吸收太阳光热除冰涂层及其制备方法，以解决现有技术中太阳光谱选择性吸收涂层不具备疏水和光热除冰功能，需要人工清洁，对使用环境的要求较高，加工工艺复杂、技术门槛高、加工成本高且不利于工业生产的问题。 [0005] 为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现： [0006] 本发明公开的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层，从基板依次覆盖有AlxOy扩散阻挡层，Al‑AlNOx吸收层，Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOz减反射层和SiO2超疏水层。 [0007] 本发明公开的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，包括： [0008] 步骤一：取干净基板，通入Ar和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在基板上沉积一层AlxOy扩散阻挡层； [0009] 步骤二：通入N2和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤一所得的AlxOy扩散阻挡层上依次沉积Al‑AlNOx吸收层和Al‑AlNOy吸收层； [0010] 步骤三：通入N2和O2，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤三所得的Al‑AlNOy吸收层上方沉积一层Al‑AlNOz作为减反射层； [0011] 步骤四：通入SiH4和O2的混合气体，对基板施加负偏压，采用直流磁控溅射法在步骤三所得的Al‑AlNOz减反射层上方沉积一层SiO2超疏水层。 [0012] 优选地，步骤一中的基板表面光洁度Ra<1μm、表面无锈点、凹坑。 [0013] 优选地，步骤一中，Ar流量为90～100sccm，Ar/O2流量比为5～3；工作气压为5～8Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为10～13W，沉积时间13～15min。 [0014] 优选地，步骤二沉积Al‑AlNOx吸收层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1～1.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为20～22W，沉积时间30～ 35min。 [0015] 优选地，步骤二沉积Al‑AlNOy吸收层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1.2～1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为15～17W，沉积时间30～35min。 [0016] 优选地，步骤三中沉积减反射层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为 1～1.2；工作气压为1.2～1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为10～12W，沉积时间10～ 15min。 [0017] 优选地，步骤四中制备SiO2超疏水层时，SiH4流量为15～20sccm，SiH4/O2流量比为0.8～1；工作气压为2～2.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，沉积时间 15～18min。 [0018] 优选地，步骤二中Al‑AlNOx吸收层和Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOx吸收层金属体积百分数为45％～50％，Al‑AlNOy吸收层金属体积百分数为20％～25％。 [0019] 与现有技术相比，本发明具有以下有益效果： [0020] 本发明公开的一种选择性吸收太阳光热除冰涂层，该涂层从基板开始依次为 AlxOy扩散阻挡层，Al‑AlNOx吸收层，Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOz减反射层和 SiO2超疏水层。本发明选择Al纳米颗粒作为掺杂金属，AlNOx作为介电基质。其中，Al纳米颗粒具有优异的宽带吸收特性，可提高涂层的光热转换效率； Al‑AlNxOy涂层具有突出的防腐性和出色的稳定性；且Al‑AlNxOy涂层制备工艺简单，成本较低，高度适用于大规模生产。故本发明选择以上材料构筑太阳光热除冰涂层。本发明的原料仅涉及Al、SiH4、氮气和氧气，原料易得、工艺简单、成本低廉、便于推广，适宜工业生产使用。经实测，本发明的太阳光谱选择性吸收涂层具有较高的吸收率93.8％和非常低的发射率7.5％，光学性能优异。经实测，本发明的太阳光热除冰涂层在一个太阳辐射光照度下440s左右可升温至76.4℃，可快速融化冻结在涂层表面的冰粒；且本发明的太阳光热除冰涂层最外层超疏水 SiO2薄膜的接触角约为179.8°，可使融化后的水滴快速从涂层表面滑落，从而达到良好的光热除冰效果。本发明的太阳光热除冰涂层具备光热除冰、超疏水和自清洁功能，降低人工清理成本，可在低温潮湿环境下使用，扩展了太阳光谱选择性吸收涂层的使用场景。 [0021] 本发明还公开了一种选择性吸收太阳光热除冰涂层的制备方法，使用了物理气相沉积和化学气相沉积相结合的方法。其中，AlxOy扩散阻挡层、Al‑AlNOx吸收层、Al‑AlNOy吸收层和Al‑AlNOz减反射层使用物理气相沉积法中的直流磁控溅射法制备。一般的溅射法具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，磁控溅射法相较于一般的溅射法实现了高速、低温和低损伤，而本发明中采用的直流磁控溅射法有效地克服了传统磁控溅射法阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点。本发明中的SiO2超疏水层采用化学气相沉积法制备，化学气相沉积法镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆；且能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层；同时具有设备简单、操作维修方便的优点。 [0022] 进一步地，基材为不锈钢，导电性好，且成本低廉、原料易得； [0023] 进一步地，扩散阻挡层在制备时，Ar流量为90～100sccm，Ar/O2流量比为 5～3；工作气压为5～8Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为10～13W，沉积时间13～15min，参数界定在此范围内，所得扩散阻挡层可有效阻止衬底元素向涂层外层扩散，提高涂层稳定性； [0024] 进一步地，Al‑AlNOx吸收层在制备时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1～1.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为20～22W，沉积时间30～ 35min。沉积Al‑AlNOy吸收层时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为 1.2～1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为 15～17W，沉积时间30～35min，参数界定在此范围内，所得金属体积百分数为 45％～50％的Al‑AlNOx吸收层与金属体积百分数为20％～25％的Al‑AlNOy吸收层两个涂层相配合，可大大提升太阳能光热转换效率，提高涂层的光学性能； [0025] 进一步地，减反射层在制备时，N2流量为30～35sccm，N2/O2流量比为1～1.2；工作气压为1.2～1.5Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，Al靶功率为10～12W，沉积时间10～15min，参数界定在此范围内，所得减反射层可大大提高太阳光的透过率，进一步提高涂层的光热转换效率； [0026] 进一步地，SiO2超疏水层在制备时，SiH4流量为15～20sccm，SiH4/O2流量比为0.8～1；工作气压为2～2.2Pa；基板负偏压为‑200～‑350V，沉积时间15～18min，参数界定在此范围内，所得超疏水层可有效避免水滴在涂层表面停留，防止表面生锈，具有优异的超疏水性能。附图说明 [0027] 图1为本发明涂层的横截面示意图； [0028] 图2为本发明涂层的表面电镜扫描图； [0029] 图3为本发明涂层在一个太阳辐射光强度下的温度变化图； [0030] 图4为本发明涂层的超疏水SiO2薄膜的接触角示意图。具体实施方式 [0031] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。 [0032] 需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。 [0033] 下面结合附图对本发明做进一步详细描述： [0034] 参见图1，为本发明涂层各层结构示意图，该涂层从基板开始依次为AlxOy扩散阻挡层，Al‑AlNOx吸收层，Al‑AlNOy吸收层，Al‑AlNOz减反射层和SiO2超疏水层。 [0035] 实施例1： [0036] (1)首先，对表面光洁度Ra<1μm、表面无锈点、凹坑的基板进行超声清洗，烘干后将其置于PVD/CVD双室多功能复合沉积系统腔体内的基板上，之后将腔体抽至高真空； [0037] (2)通过200V脉冲负压对基板进行离子清洗，达到洁净表面的目的； [0038] (3)通入流量为90sccm的高纯Ar和高纯O2作为工作气体，Ar/O2流量比为5，工作气压为5Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为10W，沉积时间13min。在基板上方沉积一层AlxOy扩散阻挡层； [0039] (4)通入流量为30sccm的高纯N2和高纯O2作为工作气体，N2/O2流量比为1，工作气压为1Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为20W，沉积30min。之后再通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为30sccm，N2/O2流量比为1，工作气压为1.2Pa；再给基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为15W，沉积30min。在AlxOy扩散阻挡层上方依次沉积金属体积百分数为45％的Al‑AlNOx吸收层和金属体积百分数为20％的Al‑AlNOy吸收层。 [0040] (5)通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为30sccm， N2/O2流量比为1；工作气压为1.2Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为10W，沉积 10min。在Al‑AlNOy吸收层上方沉积一层Al‑AlNOz作为减反射层。 [0041] (6)通入流量为15sccm的SiH4和O2的混合气体作为工作气体，SiH4/O2流量比为0.8；工作气压为2Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；沉积15min，在步骤(5)的Al‑AlNOz减反射层上方沉积一层SiO2超疏水层。 [0042] 将本实施例的选择性吸收太阳光热除冰涂层在一个太阳辐射光照度下进行检测，测得吸收率为91.8％，发射率为7.4％，在600s左右温度升高至75.9℃，超疏水SiO2薄膜的接触角约为163.6°。参见图2为本实施例的样品表面的2微米分辨率电镜扫描图。可以看出涂层表面凹凸不平。涂层表面越不平整，其疏水性越强，故可表明实施例1样品具有良好的疏水性。 [0043] 实施例2： [0044] (1)首先，对表面光洁度Ra<1μm、表面无锈点、凹坑的基板进行超声清洗，烘干后将其置于PVD/CVD双室多功能复合沉积系统腔体内的基板上，之后将腔体抽至高真空； [0045] (2)通过200V脉冲负压对基板进行离子清洗，达到洁净表面的目的； [0046] (3)通入流量为95sccm的高纯Ar和高纯O2作为工作气体，Ar/O2流量比为4，工作气压为7Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑275V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为12W，沉积时间14min。在基板上方沉积一层AlxOy扩散阻挡层； [0047] (4)通入流量为32sccm的高纯N2和高纯O2作为工作气体，N2/O2流量比为1.1，工作气压为1.1Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑275V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为21W，沉积33min。之后再通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为32sccm，N2/O2流量比为1.1，工作气压为1.3Pa；再给基板施加负偏压，基板负偏压为‑275V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为16W，沉积32min。在AlxOy扩散阻挡层上方依次沉积金属体积百分数为47％的Al‑AlNOx吸收层和金属体积百分数为23％的Al‑AlNOy吸收层。 [0048] (5)通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为32sccm， N2/O2流量比为1.1；工作气压为1.3Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑275V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为11W，沉积 12min。在步骤(4)的Al‑AlNOy吸收层上方沉积一层Al‑AlNOz作为减反射层。 [0049] (6)通入流量为17sccm的SiH4和O2的混合气体作为工作气体，SiH4/O2流量比为0.9；工作气压为2.1Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑275V；沉积 17min，在步骤(5)的Al‑AlNOz减反射层上方沉积一层SiO2超疏水层。 [0050] 将本实施例的选择性吸收太阳光热除冰涂层在一个太阳辐射光照度下进行检测，测得吸收率为92.9％，发射率为10.4％，在430s左右温度升高至71℃，超疏水SiO2薄膜的接触角约为170.5°；图3为实施例2样品在一个太阳辐射光强度下的温度变化图。普通涂层在一个太阳辐射光强度下600s温度可升高40℃左右，本样品可在一个太阳辐射光强度下430s温度可升高71℃左右，表明实施例2样品具有优异的光热转换性能。 [0051] 实施例3： [0052] (1)首先，对表面光洁度Ra<1μm、表面无锈点、凹坑的基板进行超声清洗，烘干后将其置于PVD/CVD双室多功能复合沉积系统腔体内的基板上，之后将腔体抽至高真空； [0053] (2)通过200V脉冲负压对基板进行离子清洗，达到洁净表面的目的； [0054] (3)通入流量为100sccm的高纯Ar和高纯O2作为工作气体，Ar/O2流量比为3，工作气压为8Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑350V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为13W，沉积时间15min。 [0055] (4)通入流量为35sccm的高纯N2和高纯O2作为工作气体，N2/O2流量比为1.2，工作气压为1.2Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑350V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为22W，沉积35min。之后再通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为35sccm，N2/O2流量比为1.2，工作气压为1.5Pa；再给基板施加负偏压，基板负偏压为‑200V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为17W，沉积35min。在扩散阻挡层上方依次沉积金属体积百分数为50％的Al‑AlNOx吸收层和金属体积百分数为25％的Al‑AlNOy吸收层。 [0056] (5)通入高纯N2和高纯O2作为工作气体，使得高纯N2流量为35sccm， N2/O2流量比为1.2；工作气压为1.5Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑350V；同时利用直流电源对高纯Al靶进行驱动来沉积涂层，Al靶功率为12W，沉积 15min。在Al‑AlNOy吸收层上方沉积一层Al‑AlNOz作为减反射层。 [0057] (6)通入流量为20sccm的SiH4和O2的混合气体作为工作气体，SiH4/O2流量比为1；工作气压为2.2Pa；基板施加负偏压，基板负偏压为‑350V；沉积18min，在Al‑AlNOz减反射层上方沉积一层SiO2超疏水层。 [0058] 将本实施例的选择性吸收太阳光热除冰涂层在一个太阳辐射光照度下进行检测，测得吸收率为93.8％，发射率为7.5％，在440s左右温度升高至76.4℃，超疏水SiO2薄膜的接触角约为179.8°，说明涂层具有优异的光学性能、光热除冰、疏水以及自清洁能力。图4为实施例3样品的超疏水SiO2薄膜的接触角示意图。当接触角＞150°时，薄膜具有良好的疏水性，本样品的超疏水SiO2薄膜的接触角约为179.8°，表面薄膜具有优异的疏水性。 [0059] 以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。