该申请人涉及专利文献:8469,涉及专利:5762件
覆盖主要的IPC大类包括:H01(2757)、G01(885)、G02(739)、H04(468)、G06(382)、C23(217)、C30(203)、H03(186)、B82(115)、A61(113)
专利类型分布状况:发明公开(5571)、实用新型(159)、发明申请(29)、外观设计(3)
专利不同法律状态数据分布状况:有效专利(1771)、无效专利(1733)、失效专利(1130)、实质审查(1045)、公开(78)
该领域主要的发明人有:郑婉华(221)、李明(200)、林学春(169)、张文涛(120)、刘建国(90)、王晓亮(80)、裴为华(72)、李卫军(67)、祝宁华(67)、陈弘达(61)
详细地址:中国 北京市 海淀区 北京市海淀区清华东路甲35号 100083
专利类型 | 专利名称 | 文献号 |
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发明公开 | 高集成非制冷红外异构智能处理装置 | CN120238715A |
发明公开 | 具有组分渐变电子阻挡层的近紫外激光器及其制备方法 | CN120237532A |
发明授权 | 有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器 | CN118589296B |
发明公开 | 半导体激光器热沉结构 | CN120200091A |
发明公开 | 用于独立驱动的半导体激光线阵光源及其制备方法 | CN120184728A |
发明公开 | 一种高通量薄膜镀膜装置及镀膜方法 | CN120174304A |
发明授权 | 多边形微腔混沌激光器及其调控方法 | CN115000812B |
发明公开 | 偏振稳定的垂直腔面发射激光器及其制作方法 | CN120149948A |
发明公开 | 抑制受激布里渊散射的激光器系统 | CN120149927A |
发明公开 | 一种氧化镓半导体器件结构及其制备方法、电子器件 | CN120111931A |
排名 | 企业名称 | 专利 |
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1 | 中国科学院半导体研究所 | 8488 |
2 | 中国科学院半导体研究所(CN) | 6 |
3 | 中国科学院半导体研究所职工技术协会 | 3 |
4 | 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心 | 1 |
排名 | 发明人 | 专利 |
---|---|---|
1 | 郑婉华 | 221 |
2 | 李明 | 200 |
3 | 林学春 | 169 |
4 | 张文涛 | 120 |
5 | 刘建国 | 90 |
6 | 王晓亮 | 80 |
7 | 裴为华 | 72 |
8 | 李卫军 | 67 |
9 | 祝宁华 | 67 |
10 | 陈弘达 | 61 |
排名 | 企业名称 | 专利 |
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1 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 8158 |
2 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 149 |
3 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 50 |
4 | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 34 |
5 | 中国科学院专利事务所 | 27 |
6 | 北京林业大学专利事务所 | 17 |
7 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 17 |
8 | 中科专利代理有限责任公司 | 10 |
9 | 三友专利事务所 | 3 |
10 | 北京沃知思真知识产权代理有限公司 | 2 |
排名 | 代理人 | 专利 |
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1 | 汤保平 | 1893 |
2 | 任岩 | 1602 |
3 | 周国城 | 807 |
4 | 宋焰琴 | 718 |
5 | 周天宇 | 492 |
6 | 吴梦圆 | 368 |
7 | 王文思 | 325 |
8 | 李婉婉 | 204 |
9 | 曹玲柱 | 184 |
10 | 孙蕾 | 181 |