溅射方法和溅射装置以及电子器件制造方法

摘要

一种溅射方法，包括以下步骤：沿基板的传输方向等距地在真空容器中布置多个矩形靶，使得所述多个矩形靶和基板之间的距离是不同的；以及假设相邻的第一靶和第二靶的与传输方向平行的边的长度分别被表示为第一靶宽度W1和第二靶宽度W2、并且第一靶和第二靶之间的间隙被表示为L，则当第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)时，假设从多个靶中的每一个到基板的距离被表示为T，则执行溅射，使得此时的最长的距离Tmax和间隙L之间的关系满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

权利要求

1.一种对于被布置为与基板相对的多个靶通过在降低的压力下的真空容器中导致放电而溅射所述基板的方法，该方法包括以下步骤：沿基板的传输方向等距地在真空容器中布置多个矩形靶，使得所述多个矩形靶与基板之间的距离是不同的；以及假设所述多个矩形靶中的相邻的第一靶和第二靶的与传输方向平行的边的长度分别被表示为第一靶宽度W1mm和第二靶宽度W2mm，并且第一靶的中心点和第二靶的中心点之间的间隙被表示为Lmm，则当第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)并且250mm≤L≤500mm时，假设从所述多个靶中的每一个的中心点到基板的距离被表示为Tmm，则执行溅射，使得此时的所述多个靶到基板的距离中的最长的距离Tmax和间隙L之间的关系满足

0.4≤Tmax/L≤0.8。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个靶具有不同的成分比。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，基板形成长带并且在真空容器中被连续传输。

4.一种对于被布置为与基板相对的多个靶通过在降低的压力下的真空容器中导致放电而溅射所述基板的溅射装置，其中，所述多个靶包含沿基板的传输方向等距地布置在真空容器中的矩形靶，使得所述多个矩形靶和基板之间的距离是不同的，以及假设所述多个矩形靶中的相邻的第一靶和第二靶的与传输方向平行的边的长度分别被表示为第一靶宽度W1mm和第二靶宽度W2mm、并且第一靶的中心点和第二靶的中心点之间的间隙被表示为Lmm，则当第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)并且250mm≤L≤500mm时，假设从所述多个靶中的每一个的中心点到基板的距离被表示为Tmm，则此时的所述多个靶到基板的距离中的最长的距离Tmax和间隙L之间的关系满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述多个靶具有不同的成分比。

6.根据权利要求4所述的装置，其中，所述基板形成长带并且在真空容器中被连续传输。

7.一种电子器件制造方法，其通过使用根据权利要求4～6中的任一项所述的溅射装置在基板上形成膜而形成电子器件。

说明书

溅射方法和溅射装置以及电子器件制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及用于通过溅射在基板上形成膜的溅射方法和溅射装置，以及制造例如在玻璃基板上使用非晶硅(a-Si)的光生伏打元件(photovoltaic element)的电子器件制造方法。

背景技术

[0002] 常规上，诸如太阳能电池之类的光电转换器件的制造和平板显示器的制造(以下，光电转换器件和平板显示面板将被统称为电子器件)一般广泛采用溅射装置。特别地，作为制造太阳能电池的方法，以下的技术是已知的。

[0003] 例如，在用于使用非单晶半导体膜等的太阳能电池的制造工艺中，一般采用等离子CVD(化学汽相淀积)用于形成非单晶半导体膜。并且，溅射被广泛用于形成电极膜并投入实际使用。但是，当要制造太阳能电池时，基本上，它必须具有足够高的光电转换效率和优异的特性稳定性，并且必须被大规模制造。

[0004] 出于这种原因，在使用非单晶半导体膜等的太阳能电池的制造中，太阳能电池必须具有更高的电学特性、光学特性、光电导特性或机械特性、重复使用中的更高的疲劳特性和更高的使用条件特性。并且，太阳能电池必须具有更大的面积以及均匀的膜厚和质量。另外，这种太阳能电池必须通过高速淀积以可再现性被大规模制造。作为此后需要改进的问题，指出这些方面。

[0005] 在使用太阳能电池的发电方法中，单元模块常常相互串联或并联连接以形成一个太阳能电池单元，使得可获得希望的电流和电压。在各模块中不应出现断开或短路。此外，输出电压或输出电流不在模块之间变化是重要的。

[0006] 出于这些原因，至少在制造单元模块的阶段，各层必须具有确保的特性均匀性。必须有利于模块设计，并且必须简化模块组装。基于这些观点，必须提供在大面积上具有优异的特性均匀性的淀积膜，使得提高太阳能电池的生产率并且大大降低其制造成本。

[0007] 在太阳能电池中，作为构成元件的半导体层包含诸如所谓的pn结或pin结之类的半导体结。当使用诸如a-Si薄膜半导体膜之类的薄膜半导体膜时，混合包含诸如用作掺杂剂的磷化氢(PH3)或乙硼烷(B2H6)之类的元素的作为源气体的硅烷(SiH4)等，并且执行辉光放电分解，由此获得具有希望的导电类型的半导体膜。众所周知，可通过在希望的基板上顺序形成这种半导体膜而容易地实现上述的半导体结。

[0008] 在a-Si太阳能电池中，一般地，由于半导体层自身具有高的片电阻(sheet resistance)，因此必须在整个半导体表面上形成透明上电极。作为这种透明上电极，通常，通过使用溅射装置形成具有优异的可见光透射性和导电性的SnO2膜或In2O3(In2O3+SnO2)膜等是必不可少的。并且，下表面电极必须基本上能够以足够的效率反射入射光。作为下表面电极，通过溅射来制造Ag反射膜或Al反射膜等、或者制造用作干涉电极并防止Ag或Al等的扩散的基于氧化物的金属膜(例如ZnO膜)是公知的。这种太阳能电池已投入大规模生产。

[0009] 例如，日本专利公报No.8-26453(以下称为专利文献)公开了设置有多个用于形成薄合金膜的靶的溅射装置。在该溅射装置中，在一个处理室中布置三个阴极。某一类型的靶被附着到中心阴极上。与位于中心的靶的类型不同的相同类型的多个靶分别被附着到两侧的阴极以夹住中心阴极。在该常规的布置中，与基板的淀积目标表面平行地布置中心靶。位于两侧的靶相对于淀积目标表面倾斜。各靶与淀积目标表面之间的距离以及位于两侧的靶的倾斜角可被调整。

[0010] 但是，上述的专利文献的溅射装置中的淀积膜形成方法没有清楚地描述三个靶中的相邻的靶之间的间隙之间的关系，以及靶与淀积目标基板之间的距离之间的关系。由此，上述的专利文献没有充分解决溅射装置的空间减小的问题和包含淀积条件的稳定性在内的高产量的问题。

[0011] 通过使用多个靶进行溅射的淀积方法当然适用于半导体器件大规模制造。但是，在该淀积方法中，如上所述，为了使得诸如太阳能电池之类的薄膜器件可获得普及性，寻求更高的特性稳定性和均匀性、更高的装置操作效率和更低的制造成本。

[0012] 为了提高光电转换效率和特性稳定性，单元模块的更高的光电转换效率是优选的，并且更低的特性劣化率是优选的。当单元模块相互串联或并联连接以形成一个太阳能电池单元时，在构成该太阳能电池单元的各单元模块当中，具有最小电流或电压特性的单元模块控制太阳能电池单元的性能并确定其特性。因此，不仅提高各单元模块的平均特性而且抑制特性的差异是非常重要的。出于这种原因，在制造单元模块的阶段，各淀积层本身必须具有确保的特性均匀性。

发明内容

[0013] 考虑到上述问题，提出了本发明，并且本发明获得可在淀积处理空间中均匀地处理基板的溅射方法和溅射装置以及电子器件制造方法。

[0014] 为了解决上述问题，提供一种对于被布置为与基板相对的多个靶通过在降低的压力下的真空容器中导致放电而溅射所述基板的方法，该方法包括以下步骤：沿基板的传输方向等距地在真空容器中布置多个矩形靶，使得所述多个矩形靶与基板之间的距离是不同的；以及假设所述多个矩形靶中的相邻的第一靶和第二靶的与传输方向平行的边的长度分别被表示为第一靶宽度W1和第二靶宽度W2，并且第一靶的中心点和第二靶的中心点之间的间隙被表示为L，则当第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)时，假设从所述多个靶中的每一个的中心点到基板的距离被表示为T，则执行溅射，使得此时的所述多个靶到基板的距离中的最长的距离Tmax和间隙L之间的关系满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

[0015] 还提供一种对于被布置为与基板相对的多个靶通过在降低的压力下的真空容器中导致放电而溅射所述基板的溅射装置，其中，所述多个靶包含沿基板的传输方向等距地布置在真空容器中的矩形靶，使得所述多个矩形靶和基板之间的距离是不同的，以及假设所述多个矩形靶中的相邻的第一靶和第二靶的与传输方向平行的边的长度分别被表示为第一靶宽度W1和第二靶宽度W2、并且第一靶的中心点和第二靶的中心点之间的间隙被表示为L，则当第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)时，假设从所述多个靶中的每一个的中心点到基板的距离被表示为T，则此时的所述多个靶到基板的距离中的最长的距离Tmax和间隙L之间的关系满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

[0016] 根据本发明的第一方面，多个靶被有效和适当地设置，使得由于特别是在基板的中心和端部出现的等离子体不均匀性导致的处理差异和特性差异可被抑制。因此，根据本发明，可以在处理空间中均匀地处理基板。

[0017] 通过参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

[0018] 图1是示出根据第一实施例的溅射装置的示意图；

[0019] 图2是示出通过第一实施例的溅射装置形成的淀积膜的测量结果的视图；

[0020] 图3是示出根据第二实施例的连续溅射装置的示意图；

[0021] 图4是示出通过使用第二实施例的连续溅射装置制造的太阳能电池的布置的示意图。

具体实施方式

[0022] 以下参照附图描述本发明的实施例。

[0023] (本发明的概况)

[0024] 本发明的目的是，在建立稳定的淀积条件的同时，减少执行淀积工艺的溅射装置所需要的空间并增加通过所述溅射装置获得的产量。更具体而言，本发明在其中在一个放电空间中布置多个靶的布置中达到了靶之间的间隙之间的最佳关系以及靶与基板之间的距离之间的最佳关系。

[0025] 更具体而言，作为对于为了满足对较大淀积目标基板的需求而使用大尺寸靶的替代，如在本发明中那样，在一个放电空间中使用多个比较小的分割靶作为要在其上形成膜的基板是有效的。此时，布置所述多个靶，使得各靶的中心点之间的间隙以及靶和淀积目标基板之间的距离分别满足最佳关系。结果，可以产生均匀、稳定的等离子体，并且可在淀积目标基板上形成膜，以在比较大的区域上维持均匀的厚度和特性。

[0026] (第一实施例)

[0027] 图1是示出其中作为本实施例的溅射装置的例子布置三个靶的布置的示意图。

[0028] 如图1所示，溅射装置100包括真空容器101，所述真空容器101包含用作处理空间的处理室102。在处理室102中布置第一、第二和第三靶104、105和106。在处理室102中布置用作基板的淀积目标基板115和用于保持淀积目标基板115的基板保持器116。淀积目标基板115以预定的速度在真空容器101中的处理室102内被传输。

[0029] 真空容器101通过排气阀110与真空泵111连接，并设置有气体进入端口103和基板进入阀112。

[0030] 在真空容器101中，靶104、105和106中的每一个设置有背垫板(backing plate)107、淀积防止板(deposition preventive plate)108和磁体109。在真空容器101中布置加热淀积目标基板115的加热器单元113和反射由加热器单元113产生的热的热反射板114。

[0031] 设置在溅射装置100的第一、第二和第三靶104、105和106分别形成矩形板，并且被等距离设置，使得矩形靶的短边与淀积目标基板115的传输方向平行。

[0032] 第一靶宽度W1是第一靶104沿短边方向的长度，即，与淀积目标基板115的传输方向平行的边的长度。类似地，第二靶宽度W2是第二靶105沿短边方向的长度。间隙L是连接第一靶104的中心点和第二靶105的中心点的直线的距离。靶的中心点指的是靶沿短边方向和厚度方向的中心的位置。距离T1是第一靶104和淀积目标基板115之间的距离。类似地，距离T2是第二靶105和淀积目标基板115之间的距离，距离T3是第三靶106和淀积目标基板115之间的距离。

[0033] 第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系满足L≤3(W1+W2)。当从各靶的中心点到淀积目标基板的距离被表示为T时，执行溅射，使得此时所述多个靶到淀积目标基板的距离中的最长距离Tmax与间隙L之间的关系满足0.4≤Tmax/L≤0.8。注意，表示第一靶宽度W1、第二靶宽度W2和间隙L之间的关系的L≤3(W1+W2)用于将靶之间的间隙L和各靶的尺寸限定在实际范围内。

[0034] 注意，L≤3(W1+W2)限定等距离设置的靶之间的间隙L。如果靶之间的间隙L不满足L≤3(W1+W2)，那么靶分开较大的间隙L，并且不能建立上述的关系0.4≤Tmax/L≤0.8。因此，靶之间的间隙L应满足L≤3(W1+W2)。

[0035] 虽然没有示出，但是各矩形靶的边缘通过削角(chamfering)被修圆，使得非腐蚀部分的区域变得最小。各靶可具有不同的成分比。

[0036] 当通过使用图1所示的溅射装置100在淀积目标基板115上形成膜时，在淀积目标基板115被传输到处理室102中之前，它可在预处理室(未示出)中被加热到例如接近淀积温度。在这种情况下，在淀积目标基板115被加热之后，它在被基板保持器116支撑的同时被传输到处理室102。

[0037] 通过使用图1所示的溅射装置100，在1m2的玻璃基板上形成用于形成用于例如太阳能电池器件的抗反射膜的透明电极ITO膜。

[0038] 在第一、第二和第三靶104、105和106中，靶沿短边方向的长度是相等的，即，W1＝W2＝W3＝200mm。靶的中心点之间的间隙L被设为满足L1＝L2＝500mm。各靶和淀积目标基板115之间的距离T被设为满足T1＝150mm、T2＝200mm以及T3＝150mm。

[0039] 此时，计算L1＝L2＝500≤3(W1+W2)＝3(200+200)＝1200。这些靶被布置为满足L≤3(W1+W2)。并且，最长的距离Tmax满足Tmax＝T2＝200＞150＝T1＝T3，并且，计算Tmax/L＝200/500＝0.4。各靶被布置为满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

[0040] 淀积目标基板115在被装载到处理室102中之前被事先预热，使得溅射装置100的操作效率提高。

[0041] 然后，将淀积目标基板115引入处理室102中。作为溅射气体，采用了Ar气体和O2气体。压力被设为0.4Pa。为了导致放电，直流电源(未示出)向背垫板107供给直流2
电力。在上述的1m 的玻璃基板上淀积ITO膜达0.8μm。该工艺的一次试验花费1分钟的淀积膜形成时间。

[0042] 连续重复该试验300次，并且任意提取20个样本。在参照淀积目标基板115的边缘内部的位置以20mm均等分割淀积目标基板115的45个点上测量了各样本的膜厚和片电阻。结果，在各测量项中，淀积目标基板115的边缘处的测量点和中心处的测量点之间的最大差值为3.5％或更小，并且在不同的样本之间为1％或更小。

[0043] 通过使用图1所示的溅射装置100，在1m2的玻璃基板上以0.2μm的厚度淀积了Ag膜。在该淀积中，使用了沿与传输方向平行的方向具有100mm的短边的矩形靶。在各靶和作为淀积目标基板115的玻璃基板之间的距离T固定为满足T1＝T2＝T3＝200mm的条件下，在每次50mm地从550mm到200mm改变靶与玻璃基板之间的间隙L使得满足L1＝L2＝L3的同时执行溅射。

[0044] 对于各距离关系，连续重复该试验100次。通过使用10个任意提取的玻璃基板，获得溅射装置稳定操作并且能够得到均匀的膜形成的指标范围。作为指标，以关系的形式获得在各靶的位置关系(间隙)下的试验中的膜形成过程中出现异常电荷的次数与当以每个玻璃基板25个点来测量膜厚时获得的膜厚分布的乘积。图2示出结果。在图2中，纵轴表示生产率指标，该生产率指标是从异常电荷的出现次数和通过以每个玻璃基板25个点来测量膜厚获得的膜厚分布的值的乘积计算的值。横轴表示靶之间的间隙L。当沿纵轴画出的生产率指标具有更小的值时，放电变得更加稳定，并且能够获得均匀的膜形成。

[0045] 如图2所示，当靶的中心点之间的间隙L处于550mm和500mm之间以及处于200mm和250mm之间时，生产率指标的值剧变。因此，靶的中心点之间的间隙L优选落入250mm～500mm的范围内。在该范围内，放电是稳定的，并且能够以均匀的膜厚分布执行膜形成。从该结果可以看出，由于Tmax＝T1＝T2＝T3＝200mm，因此0.4≤Tmax/L≤0.8成立。

[0046] (第二实施例)

[0047] 作为第二实施例，将描述采用滚筒-滚筒(roll-to-roll)方法的连续溅射装置。图3示出本实施例的连续溅射装置的示意图。在第二实施例中，为了方便，与上述的第一实施例相同的构件由相同的附图标记表示，并且将省略重复的描述。

[0048] 如图3所示，本实施例的连续溅射装置200连续溅射作为带状长基板的带状基板201。在连续溅射装置200中，真空容器101通过气体闸门205与用于带状基板201的进给容器202和卷取容器203连接。

[0049] 进给容器202具有用于进给带状基板201的进给轴206。卷取容器203具有用于卷取带状基板201的卷取轴207。在进给容器202和卷取容器203中的每一个中，在带状基板201的传输路径上布置传输带状基板201的传输辊216。传输辊216还用作调整带状基板201的张力并对带状基板201定位的机构。进给轴206和卷取轴207沿图3的箭头B的方向传输带状基板201。

[0050] 在连续溅射装置200中，进给轴206和卷取轴207在必要情况下沿相反的方向转动，因此带状基板201可沿与箭头B的方向相反的方向被传输。可以分别在进给容器202和卷取容器203中布置用于保护带状基板201的表面的诸如中间片材(slit sheet)之类的保护片材的卷取机构以及保护片材进给机构。作为中间片材的材料，优选采用作为耐热树脂的基于聚酰亚胺的材料、基于聚四氟乙烯的材料、或基于玻璃棉的材料等。

[0051] 在真空容器101中，在通过带状基板201与各靶209、210和211相对的位置处布置加热器单元214。在真空容器101中，分别由与DC电源(未示出)连接的背垫板208支撑的靶209、210和211与带状基板201相对。

[0052] 通过使用图3所示的实施例的连续溅射装置200，连续制造图4所示的太阳能电池。如图4所示，通过依次在导电基板301上形成下电极302、n型半导体层303、i型半导体层304、p型半导体层305和透明电极306，获得作为电子器件的太阳能电池300。导电基板301和透明电极306分别设置有输出电极308。透明电极306设置有集电电极307。

[0053] (电子器件制造方法)

[0054] 以下将描述制造作为电子器件的太阳能电池的方法。

[0055] 将充分除油和清洗的由根据JIS标准(日本工业标准)的SUS430BA制成的带状基板201(300mm(宽度)×1100m(长度)×0.2mm(厚度))缠绕在进给轴206周围。该进给轴206被设置在进给容器202中。随后，通过气体闸门205将带状基板201引导到卷取容器203，并将其张力调整到使得带状基板201不会松驰的程度。真空泵111将容器202和203抽空到5×10E-5Pa或更低，并在已降低的压力下设置它们。

[0056] 以50atm·cc/分钟(8.3×10-4L/s)的流速将Ar气体作为闸门气体(gate gas)从-3闸门气体进入泵213引入到气体闸门205。以200atm·cc/分钟(3.3×10 L/s)的流速通过气体闸门205将Ar气体引入到真空容器101，使得真空容器101的内部压力变为0.4Pa。
加热器单元214将带状基板201和真空容器101的壁面加热到300℃。使真空容器101停留在该状态中2小时。

[0057] 然后，真空泵111将容器202、203和204抽空到1×10E-5。然后，以100atm·cc/-3分钟(1.7×10 L/s)的流速将Ar气体作为闸门气体从闸门气体进入泵213引入到气体闸-3
门205。以180atm·cc/分钟(3.0×10 L/s)的流速通过气体闸门205将Ar气体引入到真空容器101。这样将真空容器101的内部压力调整到0.4Pa。

[0058] 然后，加热器单元214被设定在200℃的温度。随后，分别对于第一、第二和第三靶209、210和211，将直流电源(未示出)的输出值设为50kW、40kW和50kW，以在真空容器101中导致放电。在检查约10分钟的放电的稳定性之后，磁体109开始摇摆。在这种情况下，在第一、第二和第三靶209、210和211中的每一个中，靶沿短边方向的长度为300mm。并且，靶之间的间隙L被设为满足L1＝L2＝500mm。各靶和带状基板201之间的距离T被设为满足T1＝150mm、T2＝200mm和T3＝150mm。由此，各靶满足L≤3(W1+W2)。此时，各靶被布置为满足0.4≤Tmax/L≤0.8。

[0059] 以2000mm/分钟的传输速度沿图3的箭头B的方向传输带状基板201。作为下电极302，Al薄膜通过本实施例的溅射方法被连续形成为100nm的厚度。

[0060] 在带状基板201被传输与一个滚筒对应的长度之后，停止每个等离子体和每个气体供给，完全停止对于加热器单元214的电力供给，并且停止带状基板201的传输。然后，通过进入构件(未示出)将用于真空容器泄漏的N2气体引入到每个真空容器101中。真空容器101停留在1000Pa，直到它被充分冷却并且恢复到大气压力。然后，被卷取轴207卷取的带状基板201被取出。

[0061] 通过使用滚筒-滚筒型CVD装置，在其上制成了下电极302的带状基板201上形成n型半导体层、p型a-Si半导体层和i型μc-Si半导体层。

[0062] 通过使用图3所示的连续溅射装置200，在带状基板201的p型半导体层上形成ITO(In2O3+SnO2)膜作为透明电极306。作为膜形成气体，Ar气体具有180atm·cc/分钟-3 -4(3.0×10 L/s)的流速，并且O2气体具有20atm·cc/分钟(3.3×10 L/s)的流速。各靶与带状基板201之间的距离T被设为满足T1＝T2＝T3＝150mm。除此之外，条件与上述的用于下电极Al的淀积方法的条件相同。

[0063] 在取出带状基板201之后，以200mm的间距将其切成条。作为集电电极307，通过真空淀积在各个条上淀积Ag达3μm的厚度。由此，制成图4所示的太阳能电池300。

[0064] 关于光电转换效率η＝{最大的单位面积产生功率(mW/cm2)/单位面积入射光2
强度(mW/cm)}，对制成的太阳能电池300进行评价。通过在照射装置的具有AM-1.5(伪太
2
阳光)的100mW/cm 的照射强度的光照射下设置每10m的带状基板201作为测量样品，执行采样检查。通过向太阳能电池300的输出电极308施加直流电压并且测量电流-电压特性，评价开路电压、滤波器因数和光电转换效率η。

[0065] 结果，关于100个太阳能电池的特性，开路电压的值的差异、滤波器因数的值的差异和光电转换效率η的差异分别落入±3％、±2％和±1％的范围内。因此，即使在淀积的后半段中，太阳能电池也具有稳定的电池特性。

[0066] 如上所述，根据本实施例，处理空间中的淀积目标基板的形状的变形被抑制。在基板处理过程中，由特别是淀积目标基板的中心和端部的形状的不均匀性导致的处理不均匀性和特性不均匀性可被抑制。这使得能够在处理空间中进行均匀的处理。本实施例可实现特别是诸如太阳能电池或FDP之类的电子器件的器件特性具有高的均匀性和可再现性的制造设备。

[0067] 根据本实施例，在特别是太阳能电池等的制造中，即使当在严格的淀积条件下在微晶半导体层上形成溅射膜时，也可在不引起影响半导体器件本身的异常放电的情况下执行工艺。因此，本实施例导致溅射装置的操作效率的提高，并进一步导致产量的提高，由此实现需要低制造成本的制造设备。

[0068] 虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释，以包含所有的这些变更方式以及等同结构和功能。