热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件

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热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件
申请号	CN202211271822.4	申请日	2022-10-18	公开(公告)号	CN116031218A	公开(公告)日	2023-04-28
申请人	三星电子株式会社;			发明人	雷德万·西迪基;
摘要	公开热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件。所述纳米结构器件包括基底和形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构。所述多个纳米结构基本上均匀地分布在基底的预定区域上，大量的纳米结构具有大于或等于1的标称纵横比，并且所述多个纳米结构暴露于具有2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射。在一个实施例中，所述多个纳米结构具有小于或等于1.75的折射率，并且所述多个纳米结构对于具有在2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于80％的透射率。在另一个实施例中，所述多个纳米结构具有大于或等于1.75的折射率，并且所述多个纳米结构器件对于波长在8000nm与13000nm之间的电磁辐射具有大于45％的发射率。
权利要求	1.一种热涂层结构，包括：基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构具有小于或等于1.75的折射率，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的至少顶表面的预定区域上，并且所述多个纳米结构中的至少一部分还具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比。 2.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构包括聚二甲基硅氧烷，并且其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有4与6之间的标称纵横比。 3.根据权利要求2所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括8000nm至 12000nm的波长范围的电磁辐射具有大于80％的透射率。 4.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有5的标称纵横比。 5.根据权利要求4所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括10000nm的波长的电磁辐射具有大于90％的透射率。 6.根据权利要求4所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括2000nm与 14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于80％的透射率。 7.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构包括聚二甲基硅氧烷。 8.根据权利要求7所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构是非接触式温度感测装置的一部分。 9.一种热辐射结构，包括：基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构具有大于1.75的折射率，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的至少顶表面的第一预定区域上，并且所述多个纳米结构中的至少一部分还具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比。 10.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构还均匀地分布在基底的底表面的第二预定区域上。 11.根据权利要求10所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括2000nm与 14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。 12.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有等于或大于2的标称纵横比。 13.根据权利要求12所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括10000nm的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。 14.根据权利要求12所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括9500nm与 13000nm之间的波长的电磁辐射具有大于45％的发射率。 15.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构包括氮化硅。 16.根据权利要求15所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构是集成电路的一部分。 17.一种纳米结构器件，包括：基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的顶表面的预定区域上，所述多个纳米结构中的至少一部分具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比，并且所述多个纳米结构暴露于电磁辐射，所述电磁辐射包括2000nm与14000nm之间的波长。 18.根据权利要求17所述的纳米结构器件，其中，所述多个纳米结构具有小于或等于 1.75的折射率，其中，所述纳米结构器件对于包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于 80％的透射率。 19.根据要求17所述的纳米结构器件，其中，所述多个纳米结构具有大于或等于1.75的折射率，其中，所述纳米结构器件对于包括9500nm与13000nm之间的波长的电磁辐射具有大于 45％的发射率。
说明书全文	热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件技术领域 [0001] 在此公开的主题涉及超表面和纳米结构表面。更具体地，这里公开的主题涉及用于热光学器件的热透性(thermal transparency)和用于电子组件的被动冷却的热纳米结构超材料(thermal‑nanostructured metamaterials)。背景技术 [0002] 超材料指的是具有人工设计的结构和天然材料所不具备的物理性质的复合材料。超材料拥有一些特别的性质，例如，让光、电磁波等改变它们的通常性质。发明内容 [0003] 示例实施例提供一种热涂层结构，所述热涂层结构可包括具有顶表面和底表面的基底，以及形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构，其中，所述多个纳米结构包括小于或等于1.75的折射率，并且可基本上均匀地分布在基底的至少顶表面的预定区域上，并且大量的纳米结构还可包括大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比。在一个实施例中，所述多个纳米结构由聚二甲基硅氧烷(PDMS)形成，并且大量的纳米结构包括4与6之间的标称纵横比。在另一个实施例中，所述热涂层结构对于具有8000nm与12000nm之间的波长范围电磁辐射可包括大于80％的透射率。在又一个实施例中，大量的纳米结构包括5的标称纵横比。在又一个实施例中，所述热涂层结构对于包括 10000nm的波长的电磁辐射包括大于90％的透射率。在一个实施例中，所述热涂层结构对于具有2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射可具有大于80％的透射率。在另一个实施例中，所述多个纳米结构可由PDMS形成。在又一个实施例中，所述热涂层结构可以是非接触式温度感测装置的一部分。 [0004] 示例实施例提供一种热辐射结构，所述热辐射结构可包括具有顶表面和底表面的基底，以及形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构，其中，所述多个纳米结构具有大于1.75的折射率，所述多个纳米结构可基本上均匀地分布在基底的至少顶表面的第一预定区域上，并且大量的纳米结构还可包括大于或等于0.14的结构高度与结构宽度的标称纵横比。在一个实施例中，所述多个纳米结构还可基本上均匀地分布在基底的底表面的第二预定区域上。在另一个实施例中，所述多个纳米结构还可包括至少为1的标称纵横比，并且所述热辐射结构对于具有10000nm的波长的电磁辐射可具有大于60％的发射率，并且对于具有12500nm的波长的电磁辐射可具有大于60％的发射率。在又一个实施例中，大量的纳米结构可包括等于或大于1的标称纵横比。在又一实施例中，所述热辐射结构对于具有10000nm的波长的电磁辐射可具有大于60％的发射率。在一个实施例中，所述热辐射结构对于具有12500nm的波长的电磁辐射可具有大于60％的发射率。在另一个实施例中，所述多个纳米结构可由氮化硅(Si3N4)形成。在又一个实施例中，所述热辐射结构可以是集成电路的一部分。 [0005] 示例实施例提供一种纳米结构器件，所述纳米结构器件可包括具有顶表面和底表面的基底，以及形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构，其中，所述多个纳米结构可基本上均匀地分布在基底的至少顶表面的预定区域上，大量的纳米结构可具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比，并且所述多个纳米结构可暴露于具有包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射。在一个实施例中，所述多个纳米结构可包括小于或等于1.75的折射率，并且所述纳米结构器件对于具有包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射可具有大于80％的透射率。在另一个实施例中，所述多个纳米结构可包括大于或等于1.75的折射率，并且所述热辐射结构对于具有包括9500nm与 13000nm之间的波长的电磁辐射可包括大于45％的发射率。附图说明 [0006] 在以下部分中，将参照附图中所示的示例性实施例来描述在此公开的主题的方面，在附图中： [0007] 图1A描绘根据在此公开的主题的热纳米结构超材料100的示例实施例； [0008] 图1B描绘根据在此公开的主题的热纳米结构超材料的另一示例实施例； [0009] 图2A示出具有1与10之间的纵横比的纳米结构的六个示例描绘； [0010] 图2B描绘根据在此公开的主题的纳米结构在实际制造时的变化； [0011] 图3A示出由PDMS形成的热纳米结构超材料(AR的范围为1‑10)在0.5μm‑17.5μm(500nm至17500nm)之间的电磁波长上的示例透射率的曲线图； [0012] 图3B描绘根据在此公开的主题的非接触式热传感器装置，该非接触式热传感器装置使用由PDMS形成的热纳米结构超材料作为热涂层或透镜； [0013] 图4A描绘根据在此公开的主题的可由氮化硅形成的纳米结构的示例实施例； [0014] 图4B和图4C分别示出根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有0.14与0.86之间的纵横比的纳米结构在约2.5μm‑17.5μm之间的电磁波长上的透射率和反射率的曲线图； [0015] 图4D是示出根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有约0.1与2.0之间的纵横比的纳米结构的峰值发射率的曲线图；以及 [0016] 图5描绘根据在此公开的主题的可被配置为提供非接触式热传感器的电子装置，该非接触式热传感器包括被配置为作为热涂层、窗口或透镜的热纳米结构超材料。具体实施方式 [0017] 在以下具体实施方式中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，本领域技术人员将理解，可在没有这些具体细节的情况下实践所公开的方面。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程、组件和电路，以免模糊在此公开的主题。 [0018] 贯穿本说明书对“一个实施例”或“实施例”的引用表示结合该实施例描述的特定特征、结构或特性可被包括在在此公开的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”或“根据一个实施例”(或具有类似含义的其他短语)可能不一定都指代相同的实施例。此外，特定特征、结构或特性可在一个或多个实施例中以任何合适的方式被组合。就此而言，如在此所使用的，词语“示例性”表示“用作示例、实例或说明”。在此被描述为“示例性”的任何实施例不应被解释为必然比其他实施例优选或有利。另外，特定特征、结构或特性可在一个或多个实施例中以任何合适的方式被组合。此外，根据在此讨论的上下文，单数术语可包括相应的复数形式，并且复数术语可包括相应的单数形式。类似地，带连字符的术语(例如，“二‑维”、“预‑定”、“像素‑特定”等)可偶尔与相应的非连字符的版本(例如，“二维”、“预定”、“像素特定”等)互换使用，并且大写字母条目(例如，“Counter Clock”、“Row Select”、“PIXOUT”等)可与相应的非大写字母版本(例如，“counter clock”、“row select”、“pixout”等)互换使用。这种偶尔可互换的使用不应被认为彼此不一致。 [0019] 此外，根据在此讨论的上下文，单数术语可包括相应的复数形式，并且复数术语可包括相应的单数形式。还应注意，在此示出和讨论的各种附图(包括组件图)仅用于说明性目的，并且未按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可相对于其他元件被夸大。此外，如果认为适当，则在附图中重复附图标记以指示对应和/或类似的元件。 [0020] 在此使用的术语仅用于描述一些示例实施例的目的，并不旨在限制所要求保护的主题。如在此所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式旨在也包括复数形式。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在此所使用的，除非明确地如此定义，否则术语“第一”、“第二”等被用作它们之前的名词的标签，并且不暗示任何类型的排序(例如，空间、时间、逻辑等)。此外，可在两个或更多个附图中使用相同的附图参考标号来指代具有相同或相似功能的部分、组件、块、电路、单元或模块。然而，这种用法仅是为了简化说明和便于讨论；这并不表示这些组件或单元的构造或架构细节在所有实施例中是相同的，或者这些共同引用的部分/模块是实现在此公开的示例实施例中的一些示例实施例的唯一方式。 [0021] 应当理解，当元件或层被称为在另一元件或层上、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可直接在所述另一元件或层上、连接或结合到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在另一元件或层上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。相同的附图参考标号始终表示相同的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项中的一个或多个的任何组合和所有组合。 [0022] 除非另有定义，否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本主题所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，除非在此中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的那些术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释。 [0023] 如在此所使用的，术语“模块”表示被配置为提供在此结合模块描述的功能的软件、固件和/或硬件的任何组合。例如，软件可被体现为软件包、代码和/或指令集或指令，并且在此描述的任何实施方式中使用的术语“硬件”可包括例如单独地或以任何组合的组件、硬连线电路、可编程电路、状态机电路和/或存储由可编程电路执行的指令的固件。模块可共同地或单独地被体现为形成较大系统的部分的电路，例如但不限于集成电路(IC)、片上系统(SoC)、组件等。 [0024] 在此公开的主题提供了用于热光学器件的热透性(thermal transparency)和用于电子组件的被动冷却的热纳米结构超材料。在一个实施例中，具有纵横比(高度/直径)≥1的纳米结构可使具有折射率≤1.75的材料或表面基本上透射红外光谱(波长＝2–14μm)中的电磁辐射。在另一实施例中，具有纵横比(高度/直径)≥1的纳米结构可使具有折射率≥ 1.75的材料或表面基本上在红外光谱(波长＝2‑14μm)中发射且可用于辅助辐射冷却。 [0025] 图1A描绘根据在此公开的主题的形成为热纳米结构超材料的纳米结构100的示例实施例。可在基底101上形成多个纳米结构100，使得纳米结构与基底101的顶表面102接触。图1A描绘了单个纳米结构100，单个纳米结构100可以是多个纳米结构的一部分或一组多个纳米结构的一部分。纵横比(AR)(高度h:直径d)可大于或等于1。多个纳米结构100可在基底 101的顶表面102上的预定区域上以均匀(基本上均匀)的分布形成。在对热纳米结构超材料 100的热特性没有不利影响的情况下，可发生一些基本上可忽略的分布变化。 [0026] 在图1B中描绘形成为热纳米结构超材料的纳米结构100'的另一示例实施例。图1B中描绘的单个纳米结构100'可以是多个纳米结构的一部分或一组多个纳米结构的一部分。可在基底101上形成多个纳米结构100'，使得纳米结构与基底101的顶表面102接触。基底 101的顶表面和底表面两者上的纳米结构100'的纵横比(h:d)可大于或等于1。多个纳米结构100'可在基底101的顶表面102和底表面104上的相应预定区域上以基本上均匀的分布形成。同样，在对热纳米结构超材料100'的热特性没有不利影响的情况下，可发生一些基本上可忽略的分布变化。图1B中描绘的双侧热纳米结构超材料100'的性能与图1A中描述的单侧热纳米结构超材料100没有显著不同。 [0027] 图2A示出具有1与10之间的纵横比的纳米结构的六个示例描绘。在一个实施例中，图2A中的示例纳米结构可以是类似于图1A中的纳米结构100的纳米结构。图2A中描绘的纳米结构可具有(标称)50nm的直径。如图2A中所描绘的，纳米结构基本上均匀地分布在基底的表面上，并且纳米结构的不同高度和相应的AR被指示。图2A中的描绘被理想化。实际上，当纳米结构被制造时，纳米结构的直径、高度和分布的均匀性将具有类似于图2B中描绘的标称纵横比为3的纳米结构的变化的变化。如在此所使用的，当一组纳米结构的标称直径被提及时，基本上大于40％的该组纳米结构具有等于或大于标称直径的直径。具有给定标称直径的一组纳米结构的平均直径约为标称直径。类似地，如在此所使用的，当一组纳米结构的标称纵横比被提及时，基本上大于40％的该组纳米结构具有等于或大于标称纵横比的纵横比。具有给定标称纵横比的一组纳米结构的平均纵横比约为标称纵横比。 [0028] 在一组示例实施例中，纳米结构100可由具有小于或等于1.75的折射率(即，材料的介电常数的平方根)的材料形成，以形成热涂层、窗口或透镜。这样的热涂层可用作非接触式热感测装置的相对低成本的热光学器件。用于这组实施例的示例材料包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚烯烃、聚乙烯(高密度HDPE、低密度LDPE)、AZ光致抗蚀剂、聚丙烯、交联聚丙烯、聚碳酸酯和尼龙。 [0029] 图3A示出AR范围为1‑10的由PDMS形成的热纳米结构超材料在0.5μm‑17.5μm(500nm至17500nm)之间的电磁波长上的示例透射率的曲线图。纳米结构的标称直径为100nm。如从图3A中可看出的，随着纳米结构的AR从1增加到约5，透射率也增加。当AR增加超过约5时，透射率开始降低。图3A中所示的由PDMS形成并且具有4与6之间的AR的纳米结构的一个示例方面是：对于具有8000nm与12000nm之间(例如，10000nm)的波长的电磁辐射，透射率大于80％。当纳米结构的AR为5时，对于包括10000nm的波长的电磁辐射，透射率大于 90％。此外，当纳米结构的AR为5时，对于2000nm与14000nm之间的波长的范围电磁辐射，透射率大于80％。 [0030] 图3B描绘根据在此公开的主题的使用由PDMS形成的热纳米结构超材料作为热光学器件的非接触式热传感器装置300。非接触式热传感器装置300可包括聚焦透镜301、可选的滤光器302、红外检测器303、处理电子器件304和输出305。聚焦透镜301收集从对象306发射的电磁辐射并将其引导到红外检测器303。聚焦透镜301可以是由PDMS形成并且具有与结合图3A描述的特性类似的特性的热纳米结构超材料。可选的滤光器302可用于限制所选择的电磁辐射波长入射在红外检测器303上。红外检测器303检测入射的红外光并将对应于入射的电磁辐射的信号输出到处理电子器件304。处理电子器件304可包括将从红外检测器303输出的信号转换为表示对象306的温度的信号的电路和/或模块。 [0031] 在另一组示例实施例中，纳米结构303可由具有大于1.75的折射率的材料形成，以形成热辐射结构。这样的热辐射结构可用于从例如集成电路辐射热量。用于这组实施例的示例材料包括氮化硅(Si3N4)、AlN、TiN、TiO2、HfO2、ZnO和GaN。根据应用，纳米结构303可位于例如集成电路(IC)封装件的顶表面上或者IC裸片与IC封装件的顶表面之间的中间某处，或者它们的组合，以加速热辐射和/或冷却过程。 [0032] 图4A描绘根据在此公开的主题的可由氮化硅形成的纳米结构400的示例实施例。纳米结构400在红外光谱(波长＝2‑14μm)中提供基本发射性，并且可用于辅助辐射冷却。示例纳米结构400被描绘为具有纵横比1，即，直径等于高度h等于300nm。当由氮化硅形成时，纳米结构400可具有小于1、等于1和大于1的纵横比。 [0033] 图4B和图4C分别示出由氮化硅形成并且具有0.14与0.86之间的纵横比的纳米结构在约2.5μm‑17.5μm(2500nm至17500nm)之间的电磁波长上的透射率和反射率的曲线图。从图4B中可看出，随着纳米结构的AR从0.14增加到约0.9，透射率在该波长的范围上减小。图4C还示出对于所有AR，反射率保持接近0，并且在该波长的范围上基本不改变。图4B的透射率曲线图示出两个透射率谷：谷1和谷2。图4C的反射率曲线图示出没有显著的峰或谷。 [0034] 图4D是示出根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有约0.1与2.0之间的纵横比的纳米结构的峰值发射率的曲线图。可在约10000nm处观察到发射率的第一峰(峰1)，并且可在约12500nm处观察到发射率的第二峰(峰2)。发射率峰1和发射率峰2分别对应于图4B中的谷1和谷2。随着AR从约0.14增加到2.0，发射率在两个发射率峰处相应地增加。尽管未在图4D中示出，但是当AR为约1.0时，对于在约9500nm与约13000nm之间的波长，发射率大于约60％。在一个实施例中，根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有大于或等于1的AR纳米结构对于包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。在一个实施例中，根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有大于或等于2的AR的纳米结构对于包括10000nm的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。在另一实施例中，根据在此公开的主题的由氮化硅形成并且具有大于等于2的AR的纳米结构对于包括9500nm与 13000nm之间的波长的电磁辐射具有大于45％的发射率。 [0035] 图5描绘根据在此公开的主题的可被配置为提供非接触式热传感器的电子装置500，该非接触式热传感器包括被配置为作为热涂层、窗口或透镜的热纳米结构超材料。电子装置500和电子装置500的各种系统组件可由一个或多个模块形成。电子装置500可包括通过总线590彼此结合的控制器(或CPU)510、输入/输出装置(I/O装置)520(诸如但不限于小键盘、键盘、显示器、触摸屏显示器)、2D图像传感器、3D图像传感器、存储器(或存储器装置)530、接口540、图形处理器(GPU)550、图像处理器560、神经处理器570、飞行时间(TOF)处理器580。在一个实施例中，2D图像传感器、3D图像传感器和/或非接触式热传感器可以是图像处理器560的一部分。控制器510可包括例如至少一个微处理器、至少一个数字信号处理器、至少一个微控制器等。存储器530可被配置为存储要由控制器510使用的命令代码和/或存储用户数据。在另一实施例中，形成电子装置500的一个或多个组件可包括根据在此公开的主题的热辐射结构。 [0036] 接口540可被配置为包括无线接口，该无线接口被配置为使用RF信号将数据发送到例如无线通信网络或从例如无线通信网络接收数据。无线接口540可包括例如天线。电子装置500还可用在通信系统的通信接口协议中，诸如但不限于码分多址(CDMA)、全球移动通信系统(GSM)、北美数字通信(NADC)、扩展时分多址(E‑TDMA)、宽带CDMA(WCDMA)、CDMA2000、Wi‑Fi、城市Wi‑Fi(Muni Wi‑Fi)、蓝牙、数字增强无绳电信(DECT)、无线通用串行总线(无线USB)、具有无缝切换的快速低延迟接入正交频分复用(Flash‑OFDM)、IEEE 802.20、通用分组无线服务(GPRS)、iBurst、无线宽带(WiBro)、WiMAX、高级WiMAX、通用移动电信服务‑时分双工(UMTS‑TDD)、高速分组接入(HSPA)、演进数据优化(EVDO)、高级长期演进(LTE‑Advanced)、多信道多点分发服务(MMDS)、第五代无线(5G)、第六代无线(6G)等。 [0037] 本说明书中描述的主题和操作的实施例可在数字电子电路中实现，或者在计算机软件、固件或硬件中(包括本说明书中公开的结构及其结构等同物，或者它们中的一个或多个的组合)实现。本说明书中描述的主题的实施例可被实现为在计算机存储介质上编码的一个或多个计算机程序(即，计算机程序指令的一个或多个模块)，用于由数据处理设备执行或控制数据处理设备的操作。可选择地或附加地，程序指令可被编码在人工生成的传播信号(例如，机器生成的电信号、光信号或电磁信号，其被生成以对信息进行编码以便传输到合适的接收器设备以供数据处理设备执行)上。计算机存储介质可以是计算机可读存储装置、计算机可读存储基底、随机或串行存取存储器阵列或装置或者它们的组合，或者被包括在计算机可读存储装置、计算机可读存储基底、随机或串行存取存储器阵列或装置或者它们的组合中。此外，虽然计算机存储介质不是传播信号，但是计算机存储介质可以是在人工生成的传播信号中编码的计算机程序指令的源或目的地。计算机存储介质也可以是一个或多个单独的物理组件或介质(例如，多个CD、磁盘或其他存储装置)，或者被包括在一个或多个单独的物理组件或介质(例如，多个CD、磁盘或其他存储装置)中。另外，本说明书中描述的操作可被实现为由数据处理设备对存储在一个或多个计算机可读存储装置上或从其他源接收的数据执行的操作。 [0038] 虽然本说明书可包含许多具体的实现细节，但是这些实现细节不应被解释为对任何所要求保护的主题的范围的限制，而是应被解释为对特定于特定实施例的特征的描述。在本说明书中在单独实施例的上下文中描述的特定特征也可在单个实施例中组合实现。相反，在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地或以任何合适的子组合在多个实施例中实现。此外，尽管上文可将特征描述为以某些组合起作用并且甚至最初如此要求保护，但是在一些情况下可从组合中删除来自所要求保护的组合的一个或多个特征，并且所要求保护的组合可针对子组合或子组合的变体。 [0039] 类似地，虽然在附图中以特定顺序描绘了操作，但是这不应被理解为要求以所示的特定顺序或按顺序执行这些操作，或者执行所有示出的操作，以实现期望的结果。在某些情况下，多任务和并行处理可能是有利的。此外，上述实施例中的各种系统组件的分离不应被理解为在所有实施例中都需要这种分离，并且应当理解，所描述的程序组件和系统通常可一起集成在单个软件产品中或封装到多个软件产品中。 [0040] 因此，在此已经描述了主题的特定实施例。其他实施例在以下权利要求书的范围内。在一些情况下，权利要求中阐述的动作可以以不同的顺序执行，并且仍然实现期望的结果。另外，附图中描绘的过程不一定需要所示的特定顺序或相继顺序来实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务和并行处理可能是有利的。 [0041] 如本领域技术人员将认识到的，在此描述的创新构思可在宽范围的应用上进行修改和变化。因此，所要求保护的主题的范围不应限于上面讨论的任何特定示例性教导，而是由所附权利要求限定。