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一种高性能智能热辐射调控器件的制备方法

申请号 CN202311631789.6 申请日 2023-11-30 公开(公告)号 CN117663307A 公开(公告)日 2024-03-08
申请人 哈尔滨工业大学; 发明人 赵九蓬; 任子琛; 张雷鹏;
摘要 一种高性能智能热辐射调控器件的制备方法,它涉及一种热辐射调控器件的制备方法。本发明的目的是要解决聚苯胺在长期的循环使用中,由于主链阴离子的反复掺杂/脱掺杂导致循环稳定差和热辐射调控性能差的问题。方法:一、制备镀金/尼龙66基底;二、制备V2O5薄膜;三、配制聚合溶液;四、原位氧化制备聚合物薄膜;五、制备电解质薄膜;六、制备热辐射调控器件。本发明利用V2O5的高氧化电位以及层状结构特性,使得苯胺单体可以嵌入其层间进行原位聚合反应,同时聚苯胺嵌入其中作为结构支柱,可以提高整体结构的稳定性,同时插层间隙有利于锂离子的快速传输。本发明可获得一种高性能智能热辐射调控薄膜。
权利要求
说明书全文