发明申请
US20130260558A1 POLISHING LIQUID AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE USING THE POLISHING LIQUID
有权
基本信息:
- 专利标题： POLISHING LIQUID AND METHOD FOR POLISHING SUBSTRATE USING THE POLISHING LIQUID
- 专利标题（中）：抛光液和使用抛光液抛光底物的方法
- 申请号：US13884883 申请日：2011-12-22
- 公开(公告)号：US20130260558A1 公开(公告)日：2013-10-03
- 发明人： Munehiro Oota , Takaaki Tanaka , Toshio Takizawa , Shigeru Yoshikawa , Takaaki Matsumoto , Takahiro Yoshikawa , Takashi Shinoda
- 申请人： Munehiro Oota , Takaaki Tanaka , Toshio Takizawa , Shigeru Yoshikawa , Takaaki Matsumoto , Takahiro Yoshikawa , Takashi Shinoda
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： HITACHI CHEMICAL CO., LTD.
- 当前专利权人： HITACHI CHEMICAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JPP2010-287594 20101224
- 国际申请： PCT/JP2011/079873 WO 20111222
- 主分类号： H01L21/306
- IPC分类号： H01L21/306
摘要：
Provided is a polishing liquid including cerium oxide particles, an organic acid A, a polymer compound B having a carboxyl acid group or a carboxylate group, and water, wherein the organic acid A has at least one group selected from the group consisting of —COOM group, -Ph-OM group, —SO3M group and —PO3M2 group, pKa of the organic acid A is less than 9, a content of the organic acid A is 0.001 to 1 mass % with respect to the total mass of the polishing liquid, and a content of the polymer compound B is 0.01 to 0.50 mass % with respect to the total mass of the polishing liquid, and pH is in the range of 4.0 to 7.0.
摘要（中）：
本发明提供一种包括氧化铈颗粒，有机酸A，具有羧酸基或羧酸酯基的高分子化合物B和水的抛光液，其中有机酸A具有至少一个选自-COOM 基团-Ph-OM基团，-SO 3 M基团和-PO 3 M 2基团，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液的总质量为0.001〜1质量％ ，相对于研磨液的总质量，高分子化合物B的含量为0.01〜0.50质量％，pH为4.0〜7.0。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |