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21. 发明授权

CN1892202B 表面检测装置及利用该检测装置的表面检测方法有权转让
公开(公告)号：CN1892202B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610094283.6
申请日：2006-06-28
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：赵康一 , 卢智晟 , 权晟
IPC分类号： G01N21/892 , G01N21/95
摘要：本发明提供一种表面检测装置及利用该检测装置的表面检测方法。该表面检测装置，包含：与检测对象的检测表面隔离而设置的移送杆；具有分别结合于移送杆两端的发光部和收光部的光传感器，以用于在与检测对象的检测表面相隔预定间距的上方按照与检测对象的检测表面平行的方向收发光线；驱动部，以用于朝着与检测对象的检测表面平行但与光传感器的发光方向不同的方向移送移送杆；位置调节器，以用于调节检测对象的检测表面与光传感器发光路径之间的距离。由此，可以正确地检测出基板上表面或底面的杂质，而且因结构变得简单而可以降低生产成本。

22. 发明授权

CN101086444B 玻璃基板边缘检查装置及玻璃基板边缘检查方法失效转让
公开(公告)号：CN101086444B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710107797.5
申请日：2007-04-30
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：白云泳 , 罗善福
IPC分类号： G01B11/24 , G01B11/04 , G01N21/958 , G01N21/896
摘要：本发明涉及玻璃基板边缘检查装置及利用该装置的玻璃基板边缘检查方法。该玻璃基板边缘检查装置包含：移送部，以用于沿某一方向移送玻璃基板；设在玻璃基板一表面两侧与玻璃基板保持相当于焦距的距离的固定式扫描模块，以用于扫描处于移送状态的玻璃基板的两侧边缘；沿玻璃基板的在移送方向上的端部进行直线往返移动的移动式扫描模块，该移动式扫描模块在最初移动时沿着处于停止状态的玻璃基板的前端边缘进行扫描，在返回时沿着处于停止状态的玻璃基板的后端边缘进行扫描；控制部，用于收集所述各扫描模块所扫描的图像并判断玻璃基板边缘是否存在缺陷。根据本发明可以迅速、准确地检查玻璃基板边缘是否存在缺陷，从而大幅提高检查效率。

23. 发明授权

CN100576456C 用于半导体晶片的化学机械抛光设备的装载装置失效转让
公开(公告)号：CN100576456C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200680038945.6
申请日：2006-07-21
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：罗永民 , 金昶一 , 许宁秀
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/345
摘要：提供了一种用于半导体晶片的化学机械抛光(CMP)设备的装载装置。所述装载装置包括：装载杯，具有杯状盆缸；杯板，安装在盆缸中；装载板，支撑在杯板上以能够吸收震动并安置晶片；驱动装置和驱动杆，在抛光装置的平台和轴之间水平旋转并垂直移动装载杯；臂，连接在装载杯和驱动杆之间。在盆缸、杯板和装载杯的装载板的一个或多个相互对应的位置处形成至少一个通孔。在处于对应装载杯的位置的每个通孔中插入并安装至少一个探头组合件，该探头组合件用于光学检测在晶片上的抛光点的抛光厚度。在驱动装置的一侧设置光学厚度检测装置，该光学厚度检测装置能够将光施加到在晶片上的层上以检测反射光谱波长，并以通过从所检测的反射光谱波长之间的光谱干涉信号提取的物理量变化来检测晶片的层厚度。在臂中设置将每个探头组合件和厚度检测装置连接的光纤电缆。因此，在对先放入的晶片执行抛光处理后和在对后续放入的晶片执行抛光处理前，或在对同一先放入的晶片执行后续抛光处理前，可以通过安装在用于单步或多步抛光处理的CMP设备中的至少一个装载装置来测量晶片上的层的厚度，从而更快地传输并反映对后续晶片的抛光有用的信息，提高晶片抛光精度并简化CMP设备的结构。

24. 发明公开

CN101419909A 湿式清洗装置的冷却结构有权转让
公开(公告)号：CN101419909A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810170613.4
申请日：2008-10-22
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：李泰雨 , 李东性
IPC分类号： H01L21/00 , B08B3/08
摘要：本发明公开一种可防止用于划分多个处理槽之间的隔壁的变形和破损的湿式清洗装置的冷却结构。所述湿式清洗装置的冷却结构包括：用于划分处理槽之间的隔壁；和安装在隔壁的上端的冷却水供应部，该冷却水供应部具有从隔壁的侧面相隔离的部位向隔壁倾斜地喷射冷却水的喷水孔。

25. 发明公开

CN101203087A 等离子处理装置无效
公开(公告)号：CN101203087A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710168160.7
申请日：2005-11-15
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：申寅澈 , 张圣基 , 金兑昱 , 柳炅昊 , 郑修然
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/00
摘要：本发明提供一种等离子处理装置，其特征在于，包括流入工序气体的气体流入部、和将流入的工序气体利用一对电极板进行放电而对基板进行等离子处理的等离子源，所述一对电极板是组装了多个单位电极单元的一对单元型电极板。

26. 发明公开

CN1901764A 清洗设备的柱状加热装置及柱状加热器的防突出方法有权
公开(公告)号：CN1901764A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610106276.3
申请日：2006-07-17
申请人： K.C.科技股份有限公司 , 郭成在
发明人：郑锡基 , 郭成在 , 李东性
IPC分类号： H05B3/82 , H05B3/06 , H05B3/64
摘要：本发明涉及一种清洗设备的柱状加热装置及柱状加热器的防突出方法，该清洗设备的柱状加热装置包含通过接通电源而产生热量的柱状加热器、用于防止露出柱状加热器的套管，所述柱状加热器与套管之间设置至少一个或两个以上空气排出口。如上所述的本发明通过在柱状加热器与套管之间设置空气排出口，使得当该柱状加热器与套管之间残留湿气并且该湿气被气化而增加压力时也能消除该气化的空气压力，从而防止柱状加热器的突出现象并防止柱状加热器突出而引起的热传递效率的降低。

27. 发明公开

CN1737071A 抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法无效
公开(公告)号：CN1737071A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510087181.7
申请日：2005-07-27
申请人： K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
发明人：金大亨 , 洪锡敏 , 全宰贤 , 白云揆 , 朴在勤 , 金容国
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆 D－RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。

28. 发明公开

CN1696236A 化学机械抛光浆料及抛光基板的方法有权转让
公开(公告)号：CN1696236A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069987.3
申请日：2005-05-11
申请人： K.C.科技股份有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
发明人：金大亨 , 洪锡敏 , 全宰贤 , 金皓性 , 朴炫洙 , 白云揆 , 朴在勤 , 金容国
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本发明阐述了一种抛光浆料及其制备方法。具体的说，本发明涉及一种用于化学机械抛光(以下简称‘CMP’)的浆料，这种抛光浆料应用于STI(浅槽隔离)技术中的CMP时，对氧化层与氮化层的抛光速率具有高的选择性。这种选择性对超高集成半导体硅片(超高集成半导体硅片对于256兆字节或更高的D－RAM时有一定的设计标准，如设计标准为0.13μm或更小)的生产至关重要。本发明包括一种对抛光粒子进行预处理的方法和设备、分散设备及其操作方法、化学添加剂的用量及加入方法和中转样本装置。本发明可生产高性能纳米级二氧化铈浆料，其对于≤0.13μm的超高度集成半导体的CMP很重要，尤其是STI制程。

29. 发明公开

CN106826533A 化学机械抛光装置有权转让
公开(公告)号：CN106826533A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610039039.3
申请日：2016-01-20
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：金钟千 , 金旻成 , 赵玟技
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/10 , B24B37/32 , B24B49/04 , B24B49/10
摘要：本发明涉及化学机械抛光装置，包括：抛光平板，在上表面覆盖有抛光垫并进行自转；抛光头，化学机械抛光工序中，与晶片的板表面相接触并施压，并且设有挡圈，挡圈包括第一部件和第二部件，第一部件形成于晶片的周围，第二部件形成于第一部件的下侧；厚度传感器，定位于抛光平板并与抛光垫一同旋转，向晶片施加涡流信号，并接收输出信号；以及控制部，在厚度传感器中以第一部件的位置为基准位置，获取从基准位置到晶片的抛光层所占的抛光层区域上的晶片的抛光层厚度，由于当厚度传感器通过第一部件时由厚度传感器所接收的输出信号的输出电压的大小发生剧烈变化，因此，可将输出电压的变化位置作为基准位置，由此检测出晶片抛光层的位置。

30. 发明公开

CN104241167A 基板清洗装置及方法与基板清洗用清洗刷组件有权转让
公开(公告)号：CN104241167A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410260488.1
申请日：2014-06-12
申请人： K.C.科技股份有限公司
发明人：赵珳技 , 孙准晧
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/02 , B08B1/04
CPC分类号： H01L21/67046 , A46B13/001 , B08B1/04
摘要：本发明公开了一种基板清洗装置及方法与基板清洗用清洗刷组件，作为一种伴随着与旋转的清洗刷相接触而清洗基板的表面的方法，该方法包括：基板清洗步骤，所述清洗刷的部分区域突出，仅所述清洗刷的突出区域与所述基板相接触，从而去除残留在所述基板的表面上的异物，根据本发明提供的基板清洗装置及方法，清洗刷的部分区域以沿径向突出的状态通过与基板的表面的相接触来进行清洗，通过突出区域的清洗刷以更高的摩擦力擦拭异物，来确保彻底去除残留在基板上的异物。

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