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31. 发明公开

CN111211144A SOI半导体结构以及用于制造SOI半导体结构的方法有权
公开(公告)号：CN111211144A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911147674.3
申请日：2019-11-21
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： C·桑德 , M·科尼尔斯
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/06 , H01L43/14
摘要：本发明涉及一种SOI半导体结构，其具有构造在背侧上的衬底层以及构造在正侧上的第二导电类型的半导体层，其中，在衬底层与半导体层之间布置有绝缘层，在半导体层中构造有具有由单片的半导体本体组成的传感器区域的三维霍尔传感器结构，半导体本体从下侧延伸到正侧，其中，在上侧上构造有相互间隔开的至少三个第一金属连接接通部，并且在下侧构造有相互间隔开的至少三个第二金属连接接通部，其中，在垂直于正侧的投影中，第一连接接通部相对于第二连接接通部错位，每个第一连接接通部和每个第二连接接通部分别构造在第二导电类型的高掺杂连接区域上，第一连接接通部和第二连接接通部分别具有关于垂直于半导体本体的正侧的对称轴的三重旋转对称性。

32. 发明授权

CN105319518B 磁场测量装置有权
公开(公告)号：CN105319518B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510462884.7
申请日：2015-07-31
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： T·考夫曼 , K·黑贝勒 , J·弗兰克 , O·布赖特维泽尔
IPC分类号： G01R33/02 , G01R33/07 , G01D5/14
CPC分类号： G01R33/07 , G01D5/147
摘要：磁场测量装置具有:第半导体主体,具有在第x‑y平面中构成的表面,第半导体主体在该表面上具有两个相互间隔开的磁场传感器,磁场传感器分别测量磁场的z分量,x方向和y方向和z方向分别相互正交地构成;第磁体,具有在第二x‑y平面中构成的平的主延伸面,沿着该主延伸面在第磁体的对称面上,磁化的方向从北极变换成南极;第半导体主体和第磁体相互刚性地固定;第半导体主体相对于第磁体在x‑y平面中平移偏移地设置,在第x‑y平面与第二x‑y平面之间沿z方向构成的偏移小于第磁体沿z方向构成的厚度,两个磁场传感器之靠近北极设置,另靠近南极设置,从而在磁场的z分量中磁场传感器构造出具有彼此相反极性的信号。

33. 发明授权

CN106405370B 气候室有权
公开(公告)号：CN106405370B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201610630085.0
申请日：2016-08-03
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·古特曼
IPC分类号： G01R31/28 , G01R31/00
CPC分类号： G01R31/2874 , G01R31/2862
摘要：本发明涉及用于测量电子构件的气候室，其具有壳体，壳体包括内室和开口，内室借助壳体与周围环境至少热隔离，气候室包括两个可运动的块，两个块的两个端侧相互对置，端侧的面构成相互平行的平面，内室在开口区域中与块的厚度相应地远离周围环境，块分别包括热隔离层，每个块具有朝向周围环境的前侧和朝向内室的后侧，两个面的大小分别由各块的宽度和高度确定，在第一状态下两个块隔开间距，其方式是在两个端侧之间构造净距离从而布置在承载件上的结构元件可引入内室，在第二状态下为了保护内室免受周围环境影响而封闭开口，结构元件借助电连接装置连接，电连接装置在两个块之间穿过且两个块中的一个的端侧和另一个的端侧分别与电连接装置力锁合地连接。

34. 发明公开

CN116718962A 测量系统审中-实审
公开(公告)号：CN116718962A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310702983.2
申请日：2017-07-31
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： T·考夫曼 , J·弗兰克
IPC分类号： G01R33/07
摘要：测量系统，具有用于产生磁场的磁体装置和用于检测磁场至少在第一空间方向上的磁通密度的至少一个磁场传感器，其中，所述磁体装置具有朝向所述至少一个磁场传感器的上侧，所述至少一个磁场传感器相对于所述磁体装置的所述上侧间隔开，所述磁体装置具有带有两个磁极的主磁体和带有两个磁极的至少一个副磁体，该主磁体具有主磁化方向，用于产生主磁场，该副磁体具有副磁化方向，用于产生副磁场，所述主磁体具有大于所述至少一个副磁体的尺寸，所述磁场通过所述主磁场和所述副磁场的叠加形成，所述副磁场在第一空间方向上至少部分地补偿所述主磁场，所述磁体装置的所述上侧构造为具有第一表面区域和第二表面区域的平坦的面，其中，所述第一表面区域由所述主磁体的至少一个极形成，并且所述第二表面区域由所述至少一个副磁体的至少一个极形成，并且所述磁场传感器在垂直于所述磁体装置的所述上侧走向的投影中遮盖所述第二表面区域，并且所述上侧的所述第二表面区域在所有四侧上完全由所述第一表面区域围绕。

35. 发明授权

CN111211219B 半导体传感器结构有权
公开(公告)号：CN111211219B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201911155643.2
申请日：2019-11-22
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： M·科尼尔斯 , M-C·韦基
IPC分类号： H10N52/80 , H10N52/00 , H10N52/01 , G01R33/07
摘要：包括第一半导体晶片和第二半导体晶片的半导体传感器结构及其制造方法，第二半导体晶片具有衬底层，衬底层具有带有至少一个金属连接接触部的集成电路，第一半导体晶片具有第二导电类型的半导体层，其具有带有传感器区域的三维霍尔传感器结构，在前侧上具有彼此间隔开的至少三个第一金属连接接触部，在背侧上具有彼此间隔开的至少三个第二金属连接接触部，连接接触部分别构造在第二导电类型的高掺杂的半导体接触区域上并且在垂直于前侧的投影中错位地布置。第一半导体晶片布置在第二半导体晶片之上，至少一个第二连接接触部至少部分地布置在集成电路的金属连接接触部之上并且材料锁合地连接，从而在霍尔传感器结构与集成电路之间形成电的有效连接。

36. 发明公开

CN112444193A 旋转角度测量方法和旋转角度测量电路有权
公开(公告)号：CN112444193A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010886627.7
申请日：2020-08-28
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： M·C·迈尔 , H·C·P·迪特曼
IPC分类号： G01B7/30
摘要：旋转角度测量方法和电路，提供旋转角度测量系统，其具有轴、发送器、带有第一类型的至少一个磁场传感器的第一传感器系统用于检测磁场分量Bz和带有第二类型的至少一个磁场传感器的第二传感器系统用于检测磁场分量Bx、By，在第一时间点，用每个传感器系统求取第一或第二测量值，对每个测量值确定第一或第二旋转角度值，由第一旋转角度值和两个传感器系统之间的已知恒定角度偏移来确定第一输出旋转角度值作为参考值，求取第二旋转角度值与第一输出旋转角度值的偏差，或者通过改变第二测量值来最小化偏差并且将通过最小化获得的新的第二旋转角度值作为最终输出值输出，或者将该偏差与阈值比较并且将第一输出旋转角度值作为最终输出值输出。

37. 发明授权

CN106249180B 磁场测量设备有权
公开(公告)号：CN106249180B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610404081.0
申请日：2016-06-08
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·弗兰克
IPC分类号： G01R33/07 , G01D5/14
摘要：一种磁场测量设备，其具有第一半导体主体，所述第一半导体主体具有构造在第一x‑y平面内的表面，其中，所述第一半导体主体在所述表面上具有两个彼此间隔开的并且沿着第一连接直线布置的磁场传感器，其中，所述磁场传感器分别测量磁场的z分量，其中，x方向和y方向和z方向分别彼此正交地构造，所述磁场测量设备还具有第一磁体，所述第一磁体具有构造在第二x‑y平面内的平坦的主延伸面并且具有构造在y‑z平面内的对称面，其中，磁化方向与所述主延伸面基本上或精确平行并且与所述对称面基本上或精确平行，所述第一半导体主体和所述第一磁体彼此刚性地固定，所述第一半导体主体相对于所述第一磁体在所述x‑y平面内平移错位地布置，其中，在所述第一x‑y平面与所述第二x‑y平面之间的、构造在z方向上的错位小于所述第一磁体的构造在z方向上的厚度，其中，两个磁场传感器在x‑z平面内彼此间隔开并且在所述x‑z平面内沿着北极的延伸布置或沿着南极的延伸布置，其中，在所述第一磁体的磁场的z分量关于所述对称面不对称的情况下，所述磁场传感器形成彼此不同的信号，以便差动测量所述信号。

38. 发明授权

CN105490904B 用于从多个传感器中决定性地选择传感器的方法有权
公开(公告)号：CN105490904B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201510514622.0
申请日：2015-08-20
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： M·德雷舍尔
IPC分类号： H04L12/40
摘要：一种用于借助控制单元和多个借助三线总线与所述控制单元连接的传感器从多个传感器中决定性地选择传感器的方法，其中所述传感器与所述三线总线的至少两个导线彼此并联，并且在所述控制单元和所述传感器之间使用根据所述SENT规范的协议框架来进行数据交换，并且在所述协议框架内借助所述控制单元通过选择信号的预给定的持续时间选择确定的传感器，其特征在于，所述选择信号的持续时间通过第一下降信号沿和第二下降信号沿之间的间距确定。

39. 发明公开

CN107664753A 测量系统有权
公开(公告)号：CN107664753A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710605527.0
申请日：2017-07-24
申请人： TDK-迈克纳斯有限责任公司
发明人： J·弗兰克 , T·考夫曼
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00 , G01D5/14
摘要：一种用于沿着z方向确定探测器的位置的测量系统具有：半导体本体，其具有上表面、下表面、至少一个连接触点和至少一个在z方向上敏感的磁场传感器；载体，其具有正面、背面和导电区域；用于产生磁场的磁体，其具有沿着第一面形成的第一磁极和垂直于第一面延伸的对称轴线，其中，在半导体本体的至少一个连接触点与载体的至少一个印制导线之间存在电作用连接，磁体的第一面平行于z方向布置，并且磁体的对称轴线垂直于z方向布置，探测器具有朝向磁场传感器的端面，该端面能够平行于z方向朝向磁场传感器的方向运动至少直至测量高度，磁场传感器相对于磁体的第一面具有第一间距并且相对于测量高度具有第二间距，并且第一间距是第二间距的60％和110％之间。

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