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51. 发明授权

CN107003616B 包含多个单独可控的写入头的光刻设备有权
公开(公告)号：CN107003616B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201580064789.X
申请日：2015-04-28
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： S.里克特 , E.盖斯勒 , D.多林 , S.K.拉克什马南 , G.鲁道夫 , M.沃尔克 , M.德冈瑟
IPC分类号： G03F7/20
摘要：本发明关于一种写入至基板晶片(300)的光刻设备(100)，其包含：光产生装置(110)，包含产生光的一个或多个光源(111、112、113)；光传递装置(120)，包含将来自光产生装置(110)的光传递至写入装置(140)的多个光波导(121i‑121N)；写入装置(140)，包含多个单独可控的写入头(200i，j)，用于将来自一个或多个光源(111、112、113)的光投射在基板晶片(300)的不同区域；传输装置(150)，在预定传输方向(x)上相对写入装置(140)移动基板晶片(300)；以及控制装置(170)，控制在基板晶片(300)上的写入程序。

52. 发明授权

CN110249265B 反射折射投射镜头和制造其的方法有权
公开(公告)号：CN110249265B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201780084347.0
申请日：2017-12-01
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： M.罗克塔舍尔 , M.格鲁普 , H.瓦格纳
IPC分类号： G03F7/20 , G02B17/08
摘要：一种反射折射的投射镜头(PO)，用于使用具有工作波长λ＜260nm的电磁辐射将在投射镜头的物平面(OS)的有效物场(OF)中布置的掩模图案成像到在投射镜头的像平面(IS)上布置的有效像场中。投射镜头包括多个透镜和包含至少一个凹面反射镜(CM)的多个反射镜，并且透镜和反射镜限定了投射束路径，其从物平面(OS)延伸到像平面(IS)并且包含至少一个光瞳平面(P2)。反射镜包括具有第一反射镜表面(MS1)的第一反射镜(FM1)和具有第二反射镜表面(MS2)的第二反射镜(FM2)，该第一反射镜布置在物平面和在与物平面光学共轭的第一场平面的光学附近的光瞳平面(P2)之间的投射束路径中，并且该第二反射镜布置在光瞳平面(P2)和在与第一场平面光学共轭的第二场平面的光学附近的像平面之间的投射束路径中。该第一反射镜表面(MS1)和/或第二反射镜表面(MS2)设计为自由形式表面。

53. 发明公开

CN113631983A 确定反射式光刻掩模在其操作环境中的图案元件的放置的装置和方法有权
公开(公告)号：CN113631983A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024131.7
申请日：2020-02-06
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： C.布拉辛-班格特
IPC分类号： G02B21/36 , G03F1/84 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F7/20
摘要：本申请涉及一种用于确定反射式光刻掩模(400)的图案元件(350)在其操作环境(450)中的放置的装置(1000)，其中该装置(1000)包括：(a)至少一个第一构件(1010、1100、1200)，被配置为用于在与操作环境(450)不对应的测量环境(150)中确定反射式光刻掩模(400)的背面(315)的表面不均匀数据(420)和/或反射式光刻掩模(400)的安装件(900)的表面不均匀数据(930)；(b)至少一个第二构件(1020、1200)，被配置为用于在测量环境(150)中确定图案元件(350)的放置数据；以及(c)至少一个计算单元(1040)，被配置为根据所确定的背面(315)和/或安装件(900)的表面不均匀数据(420、930)及所确定的放置数据计算反射式光刻掩模(400)的图案元件(350)在操作环境(450)中的放置。

54. 发明授权

CN109477708B 用于干涉地测量变形投射镜头的成像质量的系统有权
公开(公告)号：CN109477708B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201780041670.X
申请日：2017-06-27
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： U.维格曼
IPC分类号： G01B9/02 , G01M11/00 , G01M11/02 , G03F7/20 , G01J9/02
摘要：构造一种用于干涉地测量光学成像系统的成像质量的测量方法及测量系统，通过相关联结构载体的测量结构的适配的设计，来在成像系统上执行波前测量，成像系统在第一方向上具有第一成像比例β1且在与该第一方向垂直的第二方向上具有第二成像比例β2，该第二成像比例以不等于1的比例率(β1/β2)与该第一成像比例不同(变形成像系统)。要配置在该成像系统的物侧上的第一结构载体上的第一测量结构(MS1)具有二维掩模结构，其适合用来塑造测量辐射的相干性。要配置在该成像系统的像侧上的第二结构载体上的第二测量结构(MS2)具有衍射光栅。该第一和该第二测量结构考虑到该比例率而彼此适配，使得在借助于该变形成像系统将该第一测量结构(MS1)成像至该第二测量结构(MS2)上时生成干涉图案。

55. 发明授权

CN110515275B 微光刻投射曝光装置中的组件有权
公开(公告)号：CN110515275B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201910428675.9
申请日：2019-05-22
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： J.威斯林 , M.埃拉思 , A.霍利 , S.特罗格 , A.沃格勒
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/00 , G02B7/182 , F16C32/04
摘要：本发明关于在微光刻投射曝光装置中的组件，其具有光学元件(100、200)、至少一个重量补偿装置以及具有多个线圈(151a、151b、151c、152a、152b、152c、251a、251b、251c、252a、252b、252c)的线圈配置，其中至少一个重量补偿装置包含至少一个磁路，由此磁路所产生的磁场引起力，用于至少部分地补偿作用在光学元件上的重量的力，以及其中线圈配置可由电流来赋能以产生作用于光学元件上的补偿力，此补偿力至少部分地补偿当光学元件移动时由磁路所施加的寄生力且对作用在光学元件上的重量的力的补偿无贡献。

56. 发明授权

CN109791372B 具有减小的热形变的半导体光刻的投射曝光设备有权
公开(公告)号：CN109791372B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201780062003.X
申请日：2017-09-13
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： H.比格
IPC分类号： G03F7/20 , G02B7/18
摘要：本发明涉及半导体光刻的投射曝光系统，其包括在操作期间经受热应力的反射镜布置。反射镜布置包括具有光学活动表面(25)的反射镜载体(23)，该光学活动表面(25)布置在反射镜载体(23)的覆盖表面(24)上。为了冷却，提供了冷却系统(30)，其集成在反射镜载体(23)中并且具有冷却剂穿过其循环的冷却线(31)。冷却系统(30)配置为使得光学活动表面(25)可以将引入到反射镜载体(23)中的热应力至少部分地排放到反射镜载体(23)的背离覆盖表面(24)的后面区域(26)中。此外，冷却系统(30、60)包括：入口区域(32、62)，其邻接于反射镜载体(23、53)的覆盖表面(24、54)并且具有冷却剂供应线(35、65)；出口区域(33、63)，其布置在与反射镜载体(23、53)的覆盖表面(24、54)相距一距离处并且具有冷却剂排放线(36、66)；以及一个或多个连接线(34、64)，其将入口区域(32、62)连接到出口区域(33、63)，其中连接线(34、64)配置为使得它们以节流的方式作用在在入口区域(32、62)和出口区域(33、63)之间的冷却剂的流动上。

57. 发明授权

CN109073991B 在测量桌上检测掩模夹具的位置的方法有权
公开(公告)号：CN109073991B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780025059.8
申请日：2017-04-20
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： H-M.索罗万
IPC分类号： G03F7/20 , G01B11/03 , G03F1/84 , H01L21/67 , G01N21/956
摘要：本发明涉及一种检测光刻掩模(2)的掩模夹具(1)的位置的方法，该方法包含以下步骤：在测量设备的测量桌上定位具有掩模(2)的掩模夹具(1)；通过算法测量掩模夹具(1)；记录测量桌上的掩模夹具(1)的绝对位置；以及捕获和记录至少一个参考图像。

58. 发明授权

CN107810445B 一种微光刻投射曝光设备的光学系统有权
公开(公告)号：CN107810445B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680029150.2
申请日：2016-05-13
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： M.帕特拉
IPC分类号： G03F7/20
摘要：本发明涉及一种微光刻投射曝光设备的光学系统，其中所述投射曝光设备具有照明单元和投射物镜，以及其中该光在投射曝光设备的操作期间，存在于使用光管(205，305)中的光从照明单元的入口经由投射物镜的物平面行进至投射物镜的像平面，该光学系统具有至少一个薄层组合件(210，310，410，420，430，440，450，510，520，610)，该薄层组合件具有至少一个反射薄层(211，212，311，312，511，512，611，612)，并且具有至少一个射束收集器(250)，其中薄层组合件(210，310，410，420，430，440，450，510，520，610)布置为使得在投射曝光设备的操作期间，将至少周期地照在薄层组合件上且不属于使用光管(205，305)的光朝向射束收集器(250)反射。

59. 发明公开

CN112771430A 支撑光学元件有权
公开(公告)号：CN112771430A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201980062682.X
申请日：2019-09-24
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： J.库格勒 , B.格珀特 , A.卡里托诺夫
IPC分类号： G02B7/02 , G02B7/182 , G03F7/20
摘要：本发明涉及在特别是微光刻的光学成像装置中使用的光学布置，其包括光学元件单元(108)和检测装置(112)和/或致动装置(110)，其中，光学元件单元(108)包括至少一个光学元件(108.1)。检测装置(112)被配置为在各个情况下以多个——M个自由度来确定检测值，检测值表示光学元件(108.1)的元件参考相对于检测装置(112)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中检测装置(112)包括多个——N个检测单元(112.1)，每个检测单元被配置为输出检测信号，检测信号表示检测单元(112.1)相对于向光学元件(108.1)和相应检测单元(112.1)分配的次级参考的距离和/或位移，以及光学元件单元(108)和检测装置(112)限定检测变换矩阵，检测变换矩阵表示N个检测信号到M个检测值中的变换。附加地或替代地，致动装置(110)配置为在各个情况下以多个——R个自由度来设置情况值，情况值表示光学元件的元件参考相对于致动装置(110)的主要参考在相应自由度中的相对位置或取向，其中，致动装置(110)包括多个——S个致动单元(110.1)，每个致动单元(110.1)配置为生成在致动单元相对于光学元件单元(108)的接口处的致动状态，并且光学元件单元(108)和致动装置(110)限定了致动变换矩阵，致动变换矩阵表示S个致动状态到R个情况值中的变换。在这种情况下，变换矩阵的条件数由变换矩阵的最大奇异值与变换矩阵的最小奇异值的比率来限定。检测装置(112)和/或光学元件单元(108)被配置为使得检测变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选地为8至15。附加地或替代地，致动装置(110)和/或光学元件单元(108)被配置为使得致动变换矩阵的条件数为5至30，特别是5至20，更优选为8至15。

60. 发明授权

CN108351499B 将物场成像到像场中的成像光学单元以及包括这样的成像光学单元的投射曝光设备有权
公开(公告)号：CN108351499B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201680065480.7
申请日：2016-11-04
申请人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
发明人： H-J.罗斯塔尔斯基
IPC分类号： G02B17/06 , G03F7/20
摘要：本发明涉及一种投射光刻的成像光学单元(7)，其具有多个反射镜(M1至M10)，以将成像光(3)沿着成像光束路径从物平面(5)中的物场(4)引导到像平面(9)中的像场(8)中。反射镜(M2至M8)中的至少两个实施为GI反射镜。恰好一个光阑(AS)设置为指定成像光学单元(7)的光瞳的外边缘轮廓的至少一个部分。光阑(AS)在成像光束路径中在空间上布置在倒数第二个反射镜(M9)前面。这产生关于其光瞳良好限定且对于投射光刻优化的成像光学单元。

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