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    • 绝缘栅双极晶体管
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    • H01L29/739H01L29/06H01L29/10H01L29/73H01L29/66
    • H01L29/7395H01L29/0696H01L29/0847H01L29/1095H01L29/407H01L29/66325H01L29/66348H01L29/7397
    • 提供IGBT,其在发射极侧(11)上的发射极电极(2)与集电极侧(15)上的集电极电极(25)之间具有层,该IGBT包括:第一传导类型的漂移层(8),基极层(5),其电接触发射极电极(2)并且与漂移层(8)完全分离,第一和第二源区(7),其在基极层(6)上朝着发射极侧(11)布置并且电接触发射极电极(2),第一沟栅电极(3),其布置在基极层(5)侧面并且通过第一绝缘层(31)而与基极层(5)、第一源区(7)和漂移层(8)分离,其中沟道能在发射极电极(2)、第一源区(7)、基极层(5)和漂移层(8)之间形成,第二绝缘层(32),其布置在第一沟栅电极(3)顶部上,增强层(6),其至少在与发射极侧(11)平行的平面中使基极层(5)与漂移层(8)分离,接地栅电极(4),其包括第二接地沟栅电极(41)和导电层(42),其中第二沟栅电极(41)布置在基极层(5)侧面并且该第二沟栅电极(41)通过第三绝缘层(43)而与基极层(5)、增强层(6)和漂移层(8)分离,其中导电层(42)覆盖第二沟栅电极(41)并且在其外部延伸至少到基极层(5)上方的区,其中导电层(42)通过第四电绝缘层(44)而与基极层(5)分离并且其中导电层(42)接触第二沟栅电极(41),其中第二沟道能由发射极电极(2)、第二源区(75)、基极层(5)和漂移层(8)在第一沟栅电极(3)与第二沟栅电极(4)之间形成,第五绝缘层(45),其布置在第二沟栅电极(41)的顶部上,该第五绝缘层(45)具有凹槽(47)使得导电层(42)电接触发射极电极(2)。