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1. 发明授权

CN102254825B 用于制造浅且窄沟槽FET以及相关结构的方法有权
公开(公告)号：CN102254825B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110085341.X
申请日：2011-04-02
申请人：国际整流器公司
发明人：蒂莫西·D·汉森 , 玲·马 , 雨果·伯克 , 戴维·P·琼斯 , 卡皮尔·科尔卡 , 尼拉吉·兰詹
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/265 , H01L21/30625 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66734
摘要：公开了一种用于制造浅且窄沟槽场效应晶体管(沟槽FET)的方法。该方法包括在第一导电型的半导体基底内形成沟槽，所述沟槽包括侧壁和底部部分。该方法还包括在所述沟槽中形在成实质上一致的栅极绝缘层，并且在所述沟槽内和所述栅极绝缘层上形成栅电极。该方法还包括对所述半导体基底进行掺杂，以便在形成所述沟槽之后形成第二导电型的沟道区域。在一个实施方式中，在形成了栅极绝缘层之后，并且在形成了栅电极之后执行掺杂步骤。在另一个实施方式中，在形成栅极绝缘层之后，但在形成栅电极之前执行掺杂步骤。还公开了通过本发明的方法形成的结构。

2. 发明公开

CN104037150A 多相电力转换器的带引线框岛的电力方形扁平无引线半导体封装无效
公开(公告)号：CN104037150A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410038717.5
申请日：2014-01-27
申请人：国际整流器公司
发明人：迪安·费尔南多 , 罗埃尔·巴尔博萨
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49505 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本发明涉及用于多相电力转换器的带引线框岛的电力方形扁平无引线半导体封装。根据示例性实现，电力方形扁平无引线（PQFN）封装包括位于引线框的第一引线框岛上的U-相输出节点、位于所述引线框的第二引线框岛上的V-相输出节点、和位于所述引线框的W-相管芯垫上的W-相输出节点。第一引线框岛可以在引线框的第一引线框条上，其中第一引线框条被连接到引线框的U-相管芯垫上。第二引线框岛可以在引线框的第二引线框条上，其中第二引线框条被连接到引线框的V-相管芯垫上。第一W-相电力开关位于W-相管芯垫上。而且，至少一条键合线被连接到W-相管芯垫和连接到第二W-相电力开关的源极。W-相管芯垫可以是PQFN封装的W-相输出端子。

3. 发明授权

CN1965412B 互补氮化物晶体管垂直和共用漏极有权
公开(公告)号：CN1965412B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200580012306.8
申请日：2005-02-14
申请人：国际整流器公司
发明人： R·比奇 , P·布里杰
IPC分类号： H01L29/76 , H01L29/94 , H01L31/062 , H01L31/113 , H01L31/119 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L29/2003
摘要：本发明公开了一种半导体器件和用于制造所述器件的方法，其中所述半导体器件包括在不同平面上的欧姆接触，且用于制造所述器件的方法包括在连续的步骤中蚀刻不同电导率半导体层的半导体堆叠，以在第一半导体层中产生具有第一宽度的第一开口，从而露出另一半导体层，然后在另一半导体层中产生具有较小宽度的第二开口，由此所述另一层的一部分保持露出以接收欧姆接触。

4. 发明授权

CN101263599B 终止结构失效
公开(公告)号：CN101263599B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680033937.2
申请日：2006-09-15
申请人：国际整流器公司
发明人：曹建军 , N·阿马尼
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L29/0615 , H01L29/0619 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一种具有终止结构的功率半导体器件，该终止结构包括多晶硅场板、金属场板和多晶硅等势环。

5. 发明授权

CN100524711C 使用蚀刻引线框的半导体设备和半导体封装的制造方法有权
公开(公告)号：CN100524711C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580037057.8
申请日：2005-09-22
申请人：国际整流器公司
发明人： M·帕维埃
IPC分类号： H01L23/48 , H01L29/41
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2924/13091
摘要：一种半导体封装，该封装具有固定在导电主体的浅开口中的薄形半导体晶片。在所述晶片底部的晶片电极通过重新分布触点而镀覆，所述触点与晶片底部触点和填充晶片和开口之间的环形间隙的绝缘体重合。描述了一种制造封装的方法，其中引线框主体中的多个间隔的开口被同时加工并且在加工结束时分隔。

6. 发明公开

CN101427610A 汽车的高强度放电灯镇流器电路无效
公开(公告)号：CN101427610A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200680007088.3
申请日：2006-03-06
申请人：国际整流器公司
发明人： T·J·里巴里希 , P·格林
IPC分类号： H05B37/02 , H05B39/04 , H05B41/36
CPC分类号： H05B41/2886 , H05B41/2885 , H05B41/2887 , H05B41/382 , Y02B20/202 , Y02B20/204
摘要：提供了一种用于驱动高强度放电(HID)灯的电子镇流器。所述电子镇流器包括用于接收DC输入电压并输出具有被控电流的升高的DC输出电压的升压级。该电子镇流器进一步包括用于将所述升高的DC输出电压转换为能够驱动所述HID灯的转换的AC电压的开关级。集成电路(IC)耦合至所述升压级和所述开关级并且用于控制两者。所述IC包括灯功率控制电路，该灯功率控制电路包括感测电路，该感测电路用于感测来自所述开关级的输出电流和升高的DC输出电压，电流控制回路，用于如果所述灯电流处于最大级别，控制所述灯的功率，以及功率控制回路，用于如果所述灯电流低于最大级别，控制所述灯的功率。所述IC还包括控制器单元接口，并提供点火模式和常规运行模式。

7. 发明授权

CN100483704C 用于EPAS/EHPAS应用的模块失效
公开(公告)号：CN100483704C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480023340.0
申请日：2004-08-16
申请人：国际整流器公司
发明人：塞尔希奥·菲索尔 , 威廉·格兰特
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/34 , H01L23/48 , H01L23/52
CPC分类号： H01L2224/48 , H01L2224/49 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一种功率模块，包括具有在模制体中模制的引线框架的模制壳，以及直接设置于引线框架的管芯焊盘上的多个功率半导体器件。

8. 发明授权

CN100480940C 同步降压转换器改进失效
公开(公告)号：CN100480940C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN03810054.1
申请日：2003-04-02
申请人：国际整流器公司
发明人： J·张
IPC分类号： G05F1/10 , G05F1/652 , G05F1/613 , G05F1/656 , G05F1/40 , G05F1/44 , G05F1/56 , G05F1/618
CPC分类号： H02M3/1584 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
摘要：同步降压转换器在输出电流下降期间提供改进的输出电流读出电路(608)和改进的瞬变行为。还公开了一种多相位同步降压转换器，具有改进的输出电流共用能力，以及具有改进的负载平衡能力的多同步降压转换器。为实现输出电流读出(608)，读出电路包括与并联MOSFET同步地开和关操作的采样开关以便采样并联MOSFET的RDS-ON两端的电压，以及向可变增益放大器提供采样电压。读出电路还包括实现低通滤波器的RC电路，由此可变增益放大器的输出基本上与电感器的值以及输入到采样开关的信号的任何时间的变动分量的大小无关。当该设备封装MCM时，基于RDS-ON的值，能微调电流读出电路(608)增益。通过使用IC内的热敏设备，根据组件温度，也能调整电流读出增益以消除RDS-ON温度变化。以及根据门电压来消除由于门电压改变的RDS-ON变化。对改进的输出电流共用(608)，用于每个转换器级的读出电路根据来自多相位转换器的输出电压和表示输出节点处的所需电压的参考信号间的差值，以用于单个转换器级的开关晶体管的预定相位关系生成信号。用于每个转换器级的占空比微调修改来自主控制器(PWM IC)的占空比控制信号以便尽可能地使由每个级提供的电流相等。用于每个转换器级的电流共用控制电路向占空比微调电路提供控制信号。这用来提供特定级的实际电流输出和所有级电流的平均值、最小级电流或最大级电流间的差值信号。

9. 发明授权

CN100459070C 在用于半导体器件的硅或碳化硅上形成厚氧化物的工艺失效
公开(公告)号：CN100459070C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410062484.9
申请日：2004-07-12
申请人：国际整流器公司
发明人：达维德·基奥拉·何志
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/338 , H01L21/316 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/8725 , H01L21/32105 , H01L29/6606
摘要：通过使淀积在硅或碳化硅衬底的沟槽内的多晶硅层氧化而在沟槽型肖特基器件的沟槽内形成栅氧化物。同时有少量的衬底也被氧化以在衬底和形成的氧化层之间形成良好的交界面。通过最初形成牺牲氧化层而后再去除牺牲氧化层，从而使沟槽的角部变圆。

10. 发明授权

CN100458634C 用于微处理器电源或类似电源的有效电压配置装置有权
公开(公告)号：CN100458634C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410042617.6
申请日：2004-05-12
申请人：国际整流器公司
发明人：大卫·若雷吉 , 张炬
IPC分类号： G05F1/46 , G05F1/56 , G06F1/26
CPC分类号： H02M1/088 , G11C5/147 , H02M3/156
摘要：一种改进的用于微处理器电源等电源的有效电压配置(AVP)装置，包括利用带有并联的RC反馈电路的缓冲放大器与电源误差放大器相分开的AVP电路，以控制调整瞬变响应。从输出负载电流感测元件获得的AVP信号提供了缓冲放大器的一个输入。缓冲放大器的第二输入由电源参考电压提供。缓冲放大器的输出用作误差放大器的输入以提供AVP窗口，因此可以分开调整误差环路和AVP环路的瞬变行为。

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