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1. 发明授权

CN110719969B 溅射方法有权
公开(公告)号：CN110719969B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201980000948.8
申请日：2019-02-27
申请人：株式会社爱发科
发明人：泷旭 , 石桥哲
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/54
摘要：本发明的溅射方法为使用反应性溅射装置的溅射方法，所述反应性溅射装置具备阴极装置，所述阴极装置朝向应形成于成膜对象物的化合物膜的形成区域排出溅射粒子，与所述形成区域相对的空间为相对区域，所述阴极装置具备：扫描部，用于在所述相对区域中扫描溅蚀区域；和靶，形成有所述溅蚀区域，并且扫描方向上的长度短于所述相对区域，所述扫描部在开始位置与结束位置之间朝向所述相对区域扫描所述溅蚀区域，所述开始位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的所述溅射粒子先到达的第一端部，所述扫描方向上的所述靶的表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置；所述结束位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的另一方的第二端部，所述扫描方向上的所述靶的所述表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置。所述溅射方法在使所述扫描部中的所述靶的速度从所述开始位置起加速至第二扫描速度之后，进一步加速至第二扫描速度，然后减速至第一扫描速度之后，扫描至所述结束位置，从所述第一扫描速度起加速并成为所述第二扫描速度的位置比所述第一端部更靠所述形成区域的内侧，从所述第二扫描速度起减速并成为所述第一扫描速度的位置比所述第二端部更靠所述形成区域的内侧。

2. 发明公开

CN110719969A 溅射方法有权
公开(公告)号：CN110719969A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201980000948.8
申请日：2019-02-27
申请人：株式会社爱发科
发明人：泷旭 , 石桥哲
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/54
摘要：本发明的溅射方法为使用反应性溅射装置的溅射方法，所述反应性溅射装置具备阴极装置，所述阴极装置朝向应形成于成膜对象物的化合物膜的形成区域排出溅射粒子，与所述形成区域相对的空间为相对区域，所述阴极装置具备：扫描部，用于在所述相对区域中扫描溅蚀区域；和靶，形成有所述溅蚀区域，并且扫描方向上的长度短于所述相对区域，所述扫描部在开始位置与结束位置之间朝向所述相对区域扫描所述溅蚀区域，所述开始位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的所述溅射粒子先到达的第一端部，所述扫描方向上的所述靶的表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置；所述结束位置为：相对于所述扫描方向上的所述形成区域的两个端部中的另一方的第二端部，所述扫描方向上的所述靶的所述表面的中点在所述扫描方向上位于所述形成区域的外侧的位置。所述溅射方法在使所述扫描部中的所述靶的速度从所述开始位置起加速至第二扫描速度之后，进一步加速至第二扫描速度，然后减速至第一扫描速度之后，扫描至所述结束位置，从所述第一扫描速度起加速并成为所述第二扫描速度的位置比所述第一端部更靠所述形成区域的内侧，从所述第二扫描速度起减速并成为所述第一扫描速度的位置比所述第二端部更靠所述形成区域的内侧。

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