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91. 发明专利

JP5855344B2 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法有权
标题翻译： LED芯片和它们的分布式布拉格反射器的制造方法
公开(公告)号：JP5855344B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2011025369
申请日：2011-02-08
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：李 ▲炎▼ ▲斤▼ , 陳相奇 , 愼鎭哲 , 金鐘奎 , リソラ
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46 , H01L27/153 , H01L33/0079

92. 发明专利

JP5801967B2 発光ダイオードパッケージ有权
标题翻译：发光二极管封装
公开(公告)号：JP5801967B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2014534485
申请日：2012-10-08
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：パク, ジュンヨン , ス, デウン , ジャン, ボラミアイ , ジュン, ヒチュル , イ, キュホ , キム, チャンフン
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/483 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2924/0002

93. 发明专利

JP5799124B2 交流駆動型の発光ダイオード有权
标题翻译： AC LED
公开(公告)号：JP5799124B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2014037340
申请日：2014-02-27
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：ユンヨジン , キムゾンキュ , リジョンヒ
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/156 , H01L33/387 , H01L2924/0002 , H01L33/385 , H01L33/62

94. 发明专利

JP2015173289A 複数の電極パッドを有する発光ダイオード有权
标题翻译：具有多个电极垫的发光二极管
公开(公告)号：JP2015173289A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2015109013
申请日：2015-05-28
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：徐源哲 , ▲葛▼ 大成 , ▲丙▼ ▲景▼ 熙 , 金京完 , 尹餘鎭
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016
摘要：【課題】電極パッド付近で電流密集が発生するのを防止できる発光ダイオードを提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に位置する第1の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層上に位置する第2の導電型半導体層と、前記第1の導電型半導体層と前記第2の導電型半導体層との間に介在する活性層と、前記第1の導電型半導体層に電気的に接続される第1の電極パッドと、前記第2の導電型半導体層上に位置する第2の電極パッドと、前記第2の導電型半導体層と前記第2の電極パッドとの間に介在し、前記第2の電極パッドを前記第2の導電型半導体層から電気的に絶縁させる絶縁層と、前記第2の電極パッドに接続され、前記第2の導電型半導体層に電気的に接続される少なくとも一つの上部延長部と、を含むことを特徴とする発光ダイオード。【選択図】図14
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止在电极焊盘附近产生电流集中的发光二极管。解决方案：发光二极管包括：基板; 位于所述基板上的第一导电型半导体层; 位于第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层; 插入在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层; 电连接到第一导电类型半导体层的第一电极焊盘; 位于所述第二导电类型半导体层上的第二电极焊盘; 介于所述第二导电型半导体层和所述第二电极焊盘之间的用于将所述第二电极焊盘与所述第二导电型半导体层电绝缘的绝缘层; 以及与第二电极焊盘连接的至少一个上部延伸部分，并且电连接到第二导电型半导体层。

95. 发明专利

JP5766429B2 発光素子及びその製造方法有权
标题翻译：发光器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5766429B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2010258828
申请日：2010-11-19
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：徐源哲 , 李 ▲炎▼ ▲欣▼
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/14 , H01L33/38
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62

96. 发明专利

JP5725927B2 高効率発光ダイオード及びその製造方法有权
标题翻译：的LED及其制造的方法
公开(公告)号：JP5725927B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011072531
申请日：2011-03-29
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：金彰淵 , 金多慧 , リムホンチョル , 李俊熙 , 柳宗均
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/22

97. 发明专利

JP5706919B2 半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP5706919B2
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：JP2013019926
申请日：2013-02-04
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：酒井士郎
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205 , C23C16/04 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16

98. 发明专利

JP2014179654A GaN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：基于GaN的化合物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014179654A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2014117745
申请日：2014-06-06
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , Postech Foundation , ポステック・ファウンデーション
发明人： LEE JONG-LAM
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/44 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vertical type GaN light emitting element capable of improving characteristics of a horizontal type light emitting element by a metal protection film layer and a metal support layer.SOLUTION: A thick metal protection film layer 1100 of 10 micron or more is formed on the side surface and/or the lower surface of a vertical type GaN-LED, so that an element can be protected from an external impact and chip separation can be easily performed. And also, a metal substrate is used instead of a sapphire substrate so that heat that is generated at the time of element operation can be easily released, thereby suitable for use in a high output element. Thus, an element having improved optical output characteristics can be manufactured. A metal support layer 1900 is formed so that a phenomenon such that the element is distorted at the time of chip separation or damaged by an impact can be prevented. A p-type electrode 1200 is partially formed in a network on a p-GaN 1300, so that radiation of photon formed in an active layer 1400 toward an n-GaN layer 1500 can be maximized.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过金属保护膜层和金属支撑层改善水平型发光元件的特性的垂直型GaN发光元件。解决方案：10微米的厚金属保护膜层1100或在垂直型GaN-LED的侧面和/或下表面上形成更多的元素，从而可以保护元件免受外部冲击，并且可以容易地进行芯片分离。而且，使用金属基板代替蓝宝石基板，能够容易地释放元件运转时产生的热量，适合用于高输出元件。因此，可以制造具有改善的光输出特性的元件。形成金属支撑层1900，从而可以防止在芯片分离时或元件被冲击损坏时元件变形的现象。 p型电极1200部分地形成在p-GaN 1300上的网络中，使得在有源层1400中形成的朝向n-GaN层1500形成的光子的辐射可以最大化。

99. 发明专利

JP2014155492A Plant cultivation device for producing ginseng having high content of ginsenoside 有权
标题翻译：用于生产具有甘氨酸高含量金山的植物培养装置
公开(公告)号：JP2014155492A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：JP2014026686
申请日：2014-02-14
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KOO JONG HYEON , SON YOUNG HWAN , LEE SEONG MIN , YI JAE SEON , YOO KIL SUN , PARK JUNG YOUL
IPC分类号： A01G7/00 , A01G1/00
CPC分类号： A01G7/04 , A01G7/045 , Y02P60/146
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plant cultivation device for producing ginseng having high content of ginsenoside.SOLUTION: A plant cultivation device comprises: a guide rail provided along a longer direction of a ginseng cultivation bed on an upper portion of the ginseng cultivation bed; a movable part which is connected to the guide rail and moves on the guide rail; an arm part in which one end is connected to the movable part and the other end extends in a variable length from the movable part toward a ginseng cultivation space on the ginseng cultivation bed; and an ultraviolet ray irradiating section which is connected to the other end of the arm part and irradiates the ginseng cultivation bed with ultraviolet rays in a specific period of a ginseng cultivation period or a ginseng harvest period.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于生产具有高含量人参皂甙的人参的植物培养装置。解决方案：一种植物培养装置，包括：沿人参栽培床的较长方向沿人参栽培床上部设置的导轨 ; 可移动部分，其连接到导轨并在导轨上移动; 臂部，其一端与可动部连接，另一端从可动部朝向人参栽培台上的人参培养空间延伸; 以及紫外线照射部，其连接到所述臂部的另一端，并且在人参栽培期间或人参收获期间的特定时间内照射所述人参栽培床的紫外线。

100. 发明专利

JP2014140084A Light-emitting element having plurality of nonpolar light-emitting cells, and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：具有非极性发光单元的多重性的发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014140084A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2014096268
申请日：2014-05-07
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KIM KWANG CHOONG , SEO WON CHEOL , KIM DAEWON , KAL DAE SUNG , YE KYUNG HEE
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/32 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element having a plurality of nonpolar light-emitting cells, and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A light-emitting element includes: a substrate; a plurality of nonpolar or semipolar light-emitting cells which are formed in the upper part of the substrate so as to be separated from each other and have a first conductivity type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductivity type lower semiconductor layer; a material layer covered with the first conductivity type upper semiconductor layer of the light-emitting cell; an insulating layer which is arranged on the light-emitting cell and fills in a gap between the material layers; at least one wire which electrically connects the light-emitting cells each other under the insulating film; and an interlayer insulating layer which covers at least one wire and is interposed between the substrate and the light-emitting cell.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有多个非极性发光单元的发光元件及其制造方法。解决方案：发光元件包括：基板; 多个非极性或半极性发光单元，形成在基板的上部，以便彼此分离并具有第一导电型上半导体层，有源层和第二导电类型下半导体层; 覆盖有发光单元的第一导电型上半导体层的材料层; 绝缘层，其布置在所述发光单元上并填充所述材料层之间的间隙; 在所述绝缘膜之下使所述发光单元彼此电连接的至少一根线; 以及覆盖至少一根导线并插入在基板和发光单元之间的层间绝缘层。

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