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91. 发明专利

TW200425986A 放電表面處理用電極、放電表面處理方法及放電表面處理裝置 ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING ELECTRODE, ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING, AND ELECTRIC DISCHARGE TREATING DEVICE 失效
简体标题：放电表面处理用电极、放电表面处理方法及放电表面处理设备 ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING ELECTRODE, ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING, AND ELECTRIC DISCHARGE TREATING DEVICE
公开(公告)号：TW200425986A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093104221
申请日：2004-02-20
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA , 石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：後藤昭弘 GOTO, AKIHIRO , 秋吉雅夫 AKIYOSHI, MASAO , 松尾勝弘 MATSUO, KATSUHIRO , 落合宏行 OCHIAI, HIROYUKI , 渡邊光敏 WATANABE, MITSUTOSHI , 古川崇 FURUKAWA, TAKASHI
IPC分类号： B23H , C23C
CPC分类号： C22C1/0433 , B22F5/00 , B23H1/04 , B23H1/06 , C22C1/045 , C23C26/00 , C23C26/02
摘要：本發明提供一種放電表面處理用電極，係以金屬粉末、金屬化合物粉末、或陶瓷粉末壓縮成形而得之壓粉體作為電極(201)，於加工液(203)中或氣體中，使電極(201)與工件(202)之間發生放電，藉由其能量而於工件(202)表面形成由電極材料或電極材料因放電能量而反應的物質所成之被膜而用於放電表面處理的放電表面處理用電極(201)，其係將不要熔融的材料粉末之粒徑，作成較要熔融的材料之粉末粒徑大者。
简体摘要：本发明提供一种放电表面处理用电极，系以金属粉末、金属化合物粉末、或陶瓷粉末压缩成形而得之压粉体作为电极(201)，于加工液(203)中或气体中，使电极(201)与工件(202)之间发生放电，借由其能量而于工件(202)表面形成由电极材料或电极材料因放电能量而反应的物质所成之被膜而用于放电表面处理的放电表面处理用电极(201)，其系将不要熔融的材料粉末之粒径，作成较要熔融的材料之粉末粒径大者。

92. 发明专利

TW200418098A 薄膜形成裝置,薄膜形成方法及薄膜形成系統 THIN FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR FORMING THIN FILM, AND THIN FILM FORMING SYSTEM 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备,薄膜形成方法及薄膜形成系统 THIN FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR FORMING THIN FILM, AND THIN FILM FORMING SYSTEM
公开(公告)号：TW200418098A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：TW092128807
申请日：2003-10-17
申请人：石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：伊藤憲和 ITO, NORIKAZU , 高木朋子 TAKAGI, TOMOKO , 上田仁 UEDA, MASASHI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01J37/32091 , H01J37/32733 , H01J37/32899 , H05H1/46 , H05H2001/463
摘要：本發明係一種薄膜形成裝置，藉由電漿CVD(化學氣相沉積法)，於配置在成膜室(15)內的基板(300)上形成薄膜的薄膜形成裝置(6)，係在成膜室(15)中設置分別設有電漿生成用電極(40)的多數的薄膜形成領域(17u、17v、17w)，並設有對該電極(40)提供電力之電力供給系統(36)；以及使電力供給系統(36)得以選擇性地將電力連接至薄膜形成領域(17u、17v、17w)之各個電極(40)的切換裝置(34)。藉由上述構造，除了可提供理想之電力供給系統、氣體供給系統以及排氣系統之外，亦提供一種薄膜形成裝置、薄膜形成方法以及薄膜形成系統，可藉由調整薄膜形成裝置之稼動狀態，防止積層膜形成步驟之生產效率的惡化，以達到降低薄膜形成裝置以及薄膜形成系統的成本的目的，同時又能夠簡化電力供給系統並實現設置面積的省空間化。
简体摘要：本发明系一种薄膜形成设备，借由等离子CVD(化学气相沉积法)，于配置在成膜室(15)内的基板(300)上形成薄膜的薄膜形成设备(6)，系在成膜室(15)中设置分别设有等离子生成用电极(40)的多数的薄膜形成领域(17u、17v、17w)，并设有对该电极(40)提供电力之电力供给系统(36)；以及使电力供给系统(36)得以选择性地将电力连接至薄膜形成领域(17u、17v、17w)之各个电极(40)的切换设备(34)。借由上述构造，除了可提供理想之电力供给系统、气体供给系统以及排气系统之外，亦提供一种薄膜形成设备、薄膜形成方法以及薄膜形成系统，可借由调整薄膜形成设备之稼动状态，防止积层膜形成步骤之生产效率的恶化，以达到降低薄膜形成设备以及薄膜形成系统的成本的目的，同时又能够简化电力供给系统并实现设置面积的省空间化。

93. 发明专利

TW200402741A 減少金屬材料腐蝕的方法 METHOD OF REDUCING CORPOSION OF METAL MATERIAL 审中-公开
简体标题：减少金属材料腐蚀的方法 METHOD OF REDUCING CORPOSION OF METAL MATERIAL
公开(公告)号：TW200402741A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092102307
申请日：2003-01-30
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 東京電力股份有限公司 THE TOKYO ELECTRIC POWER COMPANY, INCORPORATED , 石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：岡村雅人 , 逸見幸雄 , 市川長佳 , 大里哲夫 , 山本誠二 , 村上一男 , 山崎健治 , 高木純一 , 四柳端 , 鈴木俊一 , 高守謙郎 , 三本木滿 , 深谷祐一 , 平野隆
IPC分类号： G21C , C23F , C23C
CPC分类号： G21C17/0225 , C23C30/00 , G21C19/307
摘要：在減少金屬材料腐蝕的方法中，諸如半導體等藉由熱激勵產生電流的物質被塗層或黏附於金屬材料表面上，該金屬材料接觸鍋爐內具有150℃或更高溫的熱水，而且該鍋爐所加熱的熱水接觸熱能發電廠的導管或管道或核反應爐的建構材料或核能發電廠中圍繞在反應爐四周的導管或管道。
简体摘要：在减少金属材料腐蚀的方法中，诸如半导体等借由热激励产生电流的物质被涂层或黏附于金属材料表面上，该金属材料接触锅炉内具有150℃或更高温的热水，而且该锅炉所加热的热水接触热能发电厂的导管或管道或核反应炉的建构材料或核能发电厂中围绕在反应炉四周的导管或管道。

94. 发明专利

TW574412B 內部電極方式之電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：内部电极方式之等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW574412B
公开(公告)日：2004-02-01
申请号：TW089118617
申请日：2000-09-11
申请人：石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：上田仁 UEDA, MASASHI , 高木朋子 TAKAGI, TOMOKO
IPC分类号： C23C , H01J , H05H
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/509 , H01J37/32541
摘要：本發明係關於內部電極方式之電漿處理裝置及電漿處理方法，特別是關於使用適合在大面積基板上形成被利用於太陽能電池或薄膜電晶體等之非晶質矽薄膜之電感耦合式之電極之電漿處理裝置及電漿處理方法。其手段為：內部電極方式之電漿處理裝置中，面對基板17之感應耦合式之電極12具有在其之中央部折回形成導體之形態。在電極12之折回被形成之直線部份產生半波長之駐波，形成腹部般地，在電極之端部供給高頻，於電極周圍產生電漿放電。在電極之直線部份積極地使產生駐波之腹部，控制駐波有效加以利用。高頻之頻率f在光速度為c、折回被形成之直線部份之長度為L1、藉由被產生在電極之周圍之電漿之介電常數為εp時，以f=(c/√εp)/2L1之式子所決定。積極活用駐波，良好控制電漿之密度分布，考慮電極周圍之電漿參數，實現電極之構成。
简体摘要：本发明系关于内部电极方式之等离子处理设备及等离子处理方法，特别是关于使用适合在大面积基板上形成被利用于太阳能电池或薄膜晶体管等之非晶质硅薄膜之电感耦合式之电极之等离子处理设备及等离子处理方法。其手段为：内部电极方式之等离子处理设备中，面对基板17之感应耦合式之电极12具有在其之中央部折回形成导体之形态。在电极12之折回被形成之直线部份产生半波长之驻波，形成腹部般地，在电极之端部供给高频，于电极周围产生等离子放电。在电极之直线部份积极地使产生驻波之腹部，控制驻波有效加以利用。高频之频率f在光速度为c、折回被形成之直线部份之长度为L1、借由被产生在电极之周围之等离子之介电常数为εp时，以f=(c/√εp)/2L1之式子所决定。积极活用驻波，良好控制等离子之密度分布，考虑电极周围之等离子参数，实现电极之构成。

95. 发明专利

TWI300367B 工件搬運裝置、工件搬運裝置之控制方法及壓線 WORK TRANSPORTATION APPARATUS, CONTROL MEANS OF WORK TRANSPORTATION APPARATUS AND PRESS LINE THEREWITH 有权
简体标题：工件搬运设备、工件搬运设备之控制方法及压线 WORK TRANSPORTATION APPARATUS, CONTROL MEANS OF WORK TRANSPORTATION APPARATUS AND PRESS LINE THEREWITH
公开(公告)号：TWI300367B
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW095119558
申请日：2006-06-02
申请人：石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：高橋毅 TAKAHASHI, TAKESHI , 野肇 BANNO, HAJIME , 山崎秀作 YAMASAKI, SHUSAKU
IPC分类号： B21D
CPC分类号： B21D43/05
摘要：本發明之工件搬運裝置,係在個別驅動模具之沖壓
裝置間,使用預定握持手段來握持工件藉以搬運上述工
件者,具備搬運控制手段,用以根據將在工件搬運方向
位於上游側之沖壓裝置的模具位置(上游側模具位置)
與位於下游側之沖壓裝置的模具位置(下游側模具位置)
予以合成所得的合成目標値來控制上述握持手段之位
置;上述搬運控制手段係採用以上述握持手段平滑移動
之方式設定合成目標値的手段,而藉此可抑制工件搬運
裝置在沖壓生產線上之振動。
简体摘要：本发明之工件搬运设备,系在个别驱动模具之冲压设备间,使用预定握持手段来握持工件借以搬运上述工件者,具备搬运控制手段,用以根据将在工件搬运方向位于上游侧之冲压设备的模具位置(上游侧模具位置) 与位于下游侧之冲压设备的模具位置(下游侧模具位置) 予以合成所得的合成目标値来控制上述握持手段之位置;上述搬运控制手段系采用以上述握持手段平滑移动之方式设置合成目标値的手段,而借此可抑制工件搬运设备在冲压生产在线之振动。

96. 发明专利

TW200817260A 基板搬送裝置 SUBSTRATE TRANSMISSION APPARATUS 审中-公开
简体标题：基板搬送设备 SUBSTRATE TRANSMISSION APPARATUS
公开(公告)号：TW200817260A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096108152
申请日：2007-03-09
申请人：石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：平田賢輔 HIRATA, KENSUKE , 水野智夫 MIZUNO, TOMOO
IPC分类号： B65G
CPC分类号： H01L21/67769 , B65G49/064 , B65G49/068 , B65G2249/02 , H01L21/67727
摘要：一種基板搬送裝置,係具備:搬送帶,係將基板進行單片式搬送;以及緩衝部,係設置在藉由該搬送部形成之搬送路徑之中途部位,並且將藉由該搬送部搬送之基板暫時堆積後搬出。該緩衝部係具備:基板匣盒,係以多段之方式具備可將複數張基板以水平姿勢收納之收納部;以及基板搬出入部,係可存取於任意之收納部並於基板匣盒與搬送部之間進行基板之交接。結果,即可抑制搬送路徑上的基板搬送停止。
简体摘要：一种基板搬送设备,系具备:搬送带,系将基板进行单片式搬送;以及缓冲部,系设置在借由该搬送部形成之搬送路径之中途部位,并且将借由该搬送部搬送之基板暂时堆积后搬出。该缓冲部系具备:基板匣盒,系以多段之方式具备可将复数张基板以水平姿势收纳之收纳部;以及基板搬出入部,系可存取于任意之收纳部并于基板匣盒与搬送部之间进行基板之交接。结果,即可抑制搬送路径上的基板搬送停止。

97. 发明专利

TW200744921A 晶圓用保管庫及其保管控制方法审中-公开
简体标题：晶圆用保管库及其保管控制方法
公开(公告)号：TW200744921A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096111351
申请日：2007-03-30
申请人：友實機械有限公司 YOUTH ENGINEERING CO., LTD. , 石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：清水孝雄 SHIMIZU, TAKAO , 三好邦尚 MIYOSHI, KUNIHISA , 大野俊孝 OONO, TOSHITAKA , 石橋希遠 ISHIBASHI, MARETO
IPC分类号： B65G
CPC分类号： H01L21/67766 , H01L21/67769 , H01L21/67772
摘要：本發明的目的是在於提供一種搬送效率或收納效率高,防止塵埃影響的同時,亦不受自保管中的晶圓所發生的氣體影響之晶圓用保管庫及其保管控制方法。晶圓用保管庫,係於保管庫本體10內具備:在內部收納晶圓的保管用卡匣11;配置複數個保管用卡匣11的收納架12A、12B;及對向於收納架12A、12B而配置的晶圓搬送部20,又,具有將搬送用卡匣15、16搬入搬出至保管庫本體10的出入庫17,且在保管庫本體10內供給惰性氣體,在晶圓搬送部20,將由搬入至保管庫本體10內的搬送用卡匣15、16所取出的晶圓收納於保管用卡匣11,且將由保管用卡匣11取出的晶圓收納於搬送用卡匣15、16,其特徵為:在保管用卡匣11具有可確保密閉機能的門,除了晶圓往保管用卡匣11內搬入時及往保管用卡匣11外搬出時以外,封閉門。
简体摘要：本发明的目的是在于提供一种搬送效率或收纳效率高,防止尘埃影响的同时,亦不受自保管中的晶圆所发生的气体影响之晶圆用保管库及其保管控制方法。晶圆用保管库,系于保管库本体10内具备:在内部收纳晶圆的保管用卡匣11;配置复数个保管用卡匣11的收纳架12A、12B;及对向于收纳架12A、12B而配置的晶圆搬送部20,又,具有将搬送用卡匣15、16搬入搬出至保管库本体10的出入库17,且在保管库本体10内供给惰性气体,在晶圆搬送部20,将由搬入至保管库本体10内的搬送用卡匣15、16所取出的晶圆收纳于保管用卡匣11,且将由保管用卡匣11取出的晶圆收纳于搬送用卡匣15、16,其特征为:在保管用卡匣11具有可确保密闭机能的门,除了晶圆往保管用卡匣11内搬入时及往保管用卡匣11外搬出时以外,封闭门。

98. 发明专利

TW200733241A 化合物半導體之活性化方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR ACTIVATING A CHEMICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：化合物半导体之活性化方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR ACTIVATING A CHEMICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200733241A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096100016
申请日：2007-01-02
申请人：石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：河口紀仁 KAWAGUCHI, NORIHITO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/02538 , H01L21/02686
摘要：本發明係有關化合物半導體之活性化方法及裝置。該方法係在反應容器12內收容化合物半導體,藉由以在化合物半導體之融點之平衡蒸氣壓為1氣壓以下之低蒸氣壓氣體2來替換反應器內之氣體,一面保持反應容器內之氣壓在前述平衡蒸氣壓以上,一面使低蒸氣壓氣體沿著化合物半導體之表面流動,將光子能量比前述化合物半導體之禁止帶(Band gap,亦稱energy gap)還大之脈衝雷射(Pulsed Laser)3照射到化合物半導體之表面。藉由此,一面保持低蒸氣壓氣體之環境溫度在室溫或分解溫度以下,一面使只在脈衝雷射之照射位置的化合物半導體瞬間加熱並使其熔融。
简体摘要：本发明系有关化合物半导体之活性化方法及设备。该方法系在反应容器12内收容化合物半导体,借由以在化合物半导体之融点之平衡蒸气压为1气压以下之低蒸气压气体2来替换反应器内之气体,一面保持反应容器内之气压在前述平衡蒸气压以上,一面使低蒸气压气体沿着化合物半导体之表面流动,将光子能量比前述化合物半导体之禁止带(Band gap,亦称energy gap)还大之脉冲激光(Pulsed Laser)3照射到化合物半导体之表面。借由此,一面保持低蒸气压气体之环境温度在室温或分解温度以下,一面使只在脉冲激光之照射位置的化合物半导体瞬间加热并使其熔融。

99. 发明专利

TWI279274B 放電表面處理用電極、放電表面處理方法及放電表面處理裝置 ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING ELECTRODE, ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING, AND ELECTRIC DISCHARGE TREATING DEVICE 失效
简体标题：放电表面处理用电极、放电表面处理方法及放电表面处理设备 ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING ELECTRODE, ELECTRIC DISCHAGRE SURFACE TREATING, AND ELECTRIC DISCHARGE TREATING DEVICE
公开(公告)号：TWI279274B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW093104221
申请日：2004-02-20
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA , 石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：後藤昭弘 GOTO, AKIHIRO , 秋吉雅夫 AKIYOSHI, MASAO , 松尾勝弘 MATSUO, KATSUHIRO , 落合宏行 OCHIAI, HIROYUKI , 渡邊光敏 WATANABE, MITSUTOSHI , 古川崇 FURUKAWA, TAKASHI
IPC分类号： B23H , C23C
CPC分类号： C22C1/0433 , B22F5/00 , B23H1/04 , B23H1/06 , C22C1/045 , C23C26/00 , C23C26/02
摘要：本發明提供一種放電表面處理用電極，係以金屬粉末、金屬化合物粉末、或陶瓷粉末壓縮成形而得之壓粉體作為電極(201)，於加工液(203)中或氣體中，使電極(201)與工件(202)之間發生放電，藉由其能量而於工件(202)表面形成由電極材料或電極材料因放電能量而反應的物質所成之被膜而用於放電表面處理的放電表面處理用電極(201)，其係將不要熔融的材料粉末之粒徑，作成較要熔融的材料之粉末粒徑大者。
简体摘要：本发明提供一种放电表面处理用电极，系以金属粉末、金属化合物粉末、或陶瓷粉末压缩成形而得之压粉体作为电极(201)，于加工液(203)中或气体中，使电极(201)与工件(202)之间发生放电，借由其能量而于工件(202)表面形成由电极材料或电极材料因放电能量而反应的物质所成之被膜而用于放电表面处理的放电表面处理用电极(201)，其系将不要熔融的材料粉末之粒径，作成较要熔融的材料之粉末粒径大者。

100. 发明专利

TWI279273B 表面放電處理方法及表面放電處理裝置 METHOD AND APPARATUS OF SURFACE DISCHARGE TREATMENT 失效
简体标题：表面放电处理方法及表面放电处理设备 METHOD AND APPARATUS OF SURFACE DISCHARGE TREATMENT
公开(公告)号：TWI279273B
公开(公告)日：2007-04-21
申请号：TW093104218
申请日：2004-02-20
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA , 石川島播磨重工業股份有限公司 ISHIKAWAJIMA-HARIMA HEAVY INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：後藤昭弘 GOTO, AKIHIRO , 秋吉雅夫 AKIYOSHI, MASAO , 落合宏行 OCHIAI, HIROYUKI , 渡邊光敏 WATANABE, MITSUTOSHI , 古川崇 FURUKAWA, TAKASHI
IPC分类号： B23H , C23C
CPC分类号： C23C26/00
摘要：本發明提供一種表面放電方法，其特徵為：將金屬粉末或金屬化合物粉末、或者陶瓷粉末加以壓縮壓型的壓粉體作為電極使用，在氣體環境中實施表面放電處理時，於電極與工件之間施加500V以上之電壓以產生脈衝狀放電，藉由其能量而於工件表面形成由電極材料所成之被膜或由電極材料因脈衝狀放電能量而反應的物質所成之被膜。
简体摘要：本发明提供一种表面放电方法，其特征为：将金属粉末或金属化合物粉末、或者陶瓷粉末加以压缩压型的压粉体作为电极使用，在气体环境中实施表面放电处理时，于电极与工件之间施加500V以上之电压以产生脉冲状放电，借由其能量而于工件表面形成由电极材料所成之被膜或由电极材料因脉冲状放电能量而反应的物质所成之被膜。

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