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91. 发明专利

FR2457913A1 PROCEDE DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX, EN PARTICULIER DE FERRITE, ET TETES MAGNETIQUES COMPORTANT DES MONOCRISTAUX DE FERRITE AINSI FABRIQUES 未知
公开(公告)号：FR2457913A1
公开(公告)日：1980-12-26
申请号：FR8012093
申请日：1980-05-30
申请人： NGK INSULATORS LTD , NGK INSULATORS LTD
发明人： MATSUZAWA SOICHIRO , SOICHIRO MATSUZAWA ET SYUNZO MASE , MASE SYUNZO
IPC分类号： C30B1/02 , C30B1/00 , H01F1/10 , H01F1/34 , H01F10/20
摘要： LA PRESENTE INVENTION SE RAPPORTE AU DOMAINE DES MONOCRISTAUX. ON OBTIENT UN MONOCRISTAL EN METTANT UN POLYCRISTAL QUI PRESENTE UNE CROISSANCE CONTINUE DES GRAINS CRISTALLINS EN CONTACT, A UNE TEMPERATURE AU MOINS EGALE A TC, AVEC UN MONOCRISTAL AMORCE AYANT SENSIBLEMENT LA MEME STRUCTURE CRISTALLINE QUE LE POLYCRISTAL, ET EN CHAUFFANT LES CRISTAUX AINSI MIS EN CONTACT A UNE TEMPERATURE TC INFERIEURE A LA TEMPERATURE TC POUR PROVOQUER UNE REACTION EN PHASE SOLIDE A L'INTERFACE ENTRE LES GRAINS MICROCRISTALLINS QUI COMPOSENT LE POLYCRISTAL ET LE MONOCRISTAL AMORCE, GRACE A QUOI LES GRAINS MICROCRISTALLINS DU POLYCRISTAL S'INTEGRENT AU MONOCRISTAL AMORCE EN FAISANT CROITRE LE MONOCRISTAL. LA FIGURE 1 EST UN DIAGRAMME MONTRANT LA RELATION QUI EXISTE ENTRE LA TEMPERATURE DE CHAUFFAGE ET LA GRANULOMETRIE MOYENNE DES POLYCRISTAUX. LES MONOCRISTAUX DE FERRITE OBTENUS PEUVENT SERVIR A FABRIQUER DES TETES MAGNETIQUES.

92. 发明专利

TW202015334A 接合體及彈性波元件审中-公开
简体标题：接合体及弹性波组件
公开(公告)号：TW202015334A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108116354
申请日：2019-05-13
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：鵜野雄大 , UNO, YUDAI , 後藤萬佐司 , GOTO, MASASHI , 多井知義 , TAI, TOMOYOSHI
IPC分类号： H03H9/25
摘要：發明提供一種接合體及彈性波元件，在將由單晶矽構成的支持基板對壓電性單晶基板接合之接合體中，使用高電阻接合層，並改善支持基板與壓電性單晶基板之接合強度。接合體5、5A，具備：壓電性單晶基板4、4A；支持基板1，由單晶矽構成；接合層2A，設置於支持基板1與壓電性單晶基板4、4A之間，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之組成；以及非晶質層8，設置於支持基板1與接合層2A之間，含有矽原子、氧原子及氬原子。非晶質層8的接合層2A側端部之氧原子的濃度，較接合層2A內之氧原子的平均濃度更高。
简体摘要：发明提供一种接合体及弹性波组件，在将由单晶硅构成的支持基板对压电性单晶基板接合之接合体中，使用高电阻接合层，并改善支持基板与压电性单晶基板之接合强度。接合体5、5A，具备：压电性单晶基板4、4A；支持基板1，由单晶硅构成；接合层2A，设置于支持基板1与压电性单晶基板4、4A之间，具有Si（1－x）Ox（0.008≦x≦0.408）之组成；以及非晶质层8，设置于支持基板1与接合层2A之间，含有硅原子、氧原子及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部之氧原子的浓度，较接合层2A内之氧原子的平均浓度更高。

93. 发明专利

TWI686498B 半導體元件用磊晶基板、半導體元件以及半導體元件用磊晶基板之製造方法有权
简体标题：半导体组件用磊晶基板、半导体组件以及半导体组件用磊晶基板之制造方法
公开(公告)号：TWI686498B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW105135303
申请日：2016-11-01
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：市村幹也 , ICHIMURA, MIKIYA , 前原宗太 , MAEHARA, SOTA , 倉岡義孝 , KURAOKA, YOSHITAKA
IPC分类号： C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

94. 发明专利

TWI686100B 紅外線加熱器及紅外線處理裝置有权
简体标题：红外线加热器及红外线处理设备
公开(公告)号：TWI686100B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW104139577
申请日：2015-11-27
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：小牧毅史 , 金南大樹 , 近藤良夫
IPC分类号： H05B3/22 , F26B3/30

95. 发明专利

TWI664074B 陶瓷構造體、基板保持裝置用元件以及陶瓷構造體之製法有权
简体标题：陶瓷构造体、基板保持设备用组件以及陶瓷构造体之制法
公开(公告)号：TWI664074B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104126954
申请日：2015-08-19
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：勝田祐司 , 西村昇
IPC分类号： B32B18/00 , B32B15/04 , C04B35/10 , C04B35/50 , H01L21/683 , B32B37/06

96. 发明专利

TW201903943A 半導體製造裝置用構件审中-公开
简体标题：半导体制造设备用构件
公开(公告)号：TW201903943A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107119965
申请日：2018-06-11
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：竹林央史
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/683
摘要：一種半導體製造裝置用構件10，包括：表面為晶圓載置面12a、內藏有電極14、16的氧化鋁燒結體製的板；於厚度方向貫通此板12的至少1個貫通孔18；以及經由氧化鋁燒結體製的環狀的第1接合層24而接合於此板12的裡面12b之氧化鋁燒結體製的絕緣管20（筒狀構件）。
简体摘要：一种半导体制造设备用构件10，包括：表面为晶圆载置面12a、内藏有电极14、16的氧化铝烧结体制的板；于厚度方向贯通此板12的至少1个贯通孔18；以及经由氧化铝烧结体制的环状的第1接合层24而接合于此板12的里面12b之氧化铝烧结体制的绝缘管20（筒状构件）。

97. 发明专利

TWI642086B 載台基板以及半導體用複合基板的製造方法有权
简体标题：载台基板以及半导体用复合基板的制造方法
公开(公告)号：TWI642086B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104105514
申请日：2015-02-17
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：井出晃啓 , IDE, AKIYOSHI , 高垣達朗 , TAKAGAKI, TATSURO , 宮澤杉夫 , MIYAZAWA, SUGIO , 岩崎康範 , IWASAKI, YASUNORI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12

98. 发明专利

TW201840513A 透明ＡｌＮ燒結體及其製法审中-公开
简体标题：透明ＡｌＮ烧结体及其制法
公开(公告)号：TW201840513A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106145028
申请日：2017-12-21
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：小林義政 , 小林博治 , 飯田和希 , 大和田巌
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要：本發明使用透明AlN燒結體製法獲得透明AlN燒結體。第1步驟，首先，將含板面為c面，長寬比為3以上之板狀AlN粉末的AlN原料粉末與燒結助劑混合，形成混合物，以製作成型體。此時，板狀AlN粉末的板面沿著成型體的表面形成混合物。在第2步驟，一邊加壓成型體的表面，一邊在非氧化環境下，熱壓成型體，以獲得配向AlN燒結體。在第3步驟，於非氧化環境下，常壓燒成配向AlN燒結體，以去除燒結助劑的成分，獲得透明AlN燒結體。
简体摘要：本发明使用透明AlN烧结体制法获得透明AlN烧结体。第1步骤，首先，将含板面为c面，长宽比为3以上之板状AlN粉末的AlN原料粉末与烧结助剂混合，形成混合物，以制作成型体。此时，板状AlN粉末的板面沿着成型体的表面形成混合物。在第2步骤，一边加压成型体的表面，一边在非氧化环境下，热压成型体，以获得配向AlN烧结体。在第3步骤，于非氧化环境下，常压烧成配向AlN烧结体，以去除烧结助剂的成分，获得透明AlN烧结体。

99. 发明专利

TWI635632B 複合基板、彈性波裝置及彈性波裝置的製法有权
简体标题：复合基板、弹性波设备及弹性波设备的制法
公开(公告)号：TWI635632B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW103105234
申请日：2014-02-18
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：服部良祐 , 堀裕二 , 多井知義
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/22

100. 发明专利

TW201831041A 紅外線加熱器审中-公开
简体标题：红外线加热器
公开(公告)号：TW201831041A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106136326
申请日：2017-10-23
申请人：日商日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD. , 國立大學法人北海道大學 , 國立大學法人新潟大學
发明人：青木道郎 , 近藤良夫 , 戶谷剛 , 櫻井篤
IPC分类号： H05B3/10
摘要：紅外線加熱器10包括加熱器本體11及外殼50。加熱器本體11包括發熱體13、從發熱體13輸入熱能時可放射峰值波長為非普朗克分布之紅外線的金屬材料構造體30。外殼50配置有加熱器本體11且具有可減壓之內部空間53。又，外殼50具有可將來自金屬材料構造體30之紅外線穿透至外殼50之外部的紅外線穿透板54。
简体摘要：红外线加热器10包括加热器本体11及外壳50。加热器本体11包括发热体13、从发热体13输入热能时可放射峰值波长为非普朗克分布之红外线的金属材料构造体30。外壳50配置有加热器本体11且具有可减压之内部空间53。又，外壳50具有可将来自金属材料构造体30之红外线穿透至外壳50之外部的红外线穿透板54。

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