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91. 发明专利

JPWO2007055371A1 ナノポーラス基板の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007055371A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：JP2007544232
申请日：2006-11-14
申请人：国立大学法人東京工業大学
发明人：智一彌田 , 智一彌田 , 香織鎌田 , 香織鎌田 , 亮子渡辺 , 亮子渡辺
IPC分类号： H01L21/306 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B33/02 , C08F297/00
CPC分类号： H01L21/3086 , H01L21/0337 , Y10S438/942 , Y10S438/947 , Y10S977/888 , Y10S977/892 , Y10S977/895 , Y10T428/24504
摘要：両親媒性ブロック共重合体を基板上に塗布することにより、膜の表面に対して垂直方向な親水性シリンダーを有するナノ相分離構造が形成された基板を、エッチング溶剤に浸漬して、径が3〜40nmの孔が60nm以下の間隔で整列したナノポーラス基板を製造する。

92. 发明专利

JP2009021556A Method for producing air gap using nanotube 审中-公开
标题翻译：使用纳米生产空气隙的方法
公开(公告)号：JP2009021556A
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：JP2008128743
申请日：2008-05-15
申请人： Commissariat A L'energie Atomique , コミサリア、ア、レネルジ、アトミクCommissariat A L’Energie Atomique
发明人： GAILLARD FREDERIC-XAVIER , COIFFIC JEAN-CHRISTOPHE
IPC分类号： H01L21/306 , B82B3/00 , C01B31/02 , C01G23/04 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L2221/1094 , Y10S977/888
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing air gaps using nanotubes. SOLUTION: A target layer (4) comprising at least one degradable material (5) is deposited on a support (1). Then, nanotubes (6) are formed on the degradable material (5) of the target layer (4) before deposition of an insulating layer (7) is performed. Degradation of the degradable material (5) and elimination of degradation sub-products are then performed by means of the nanotubes (6) passing through the insulating layer (7) thus forming air gaps (10) in the target layer (4). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用纳米管制造气隙的方法。解决方案：包含至少一种可降解材料（5）的目标层（4）沉积在载体（1）上。然后，在进行绝缘层（7）的沉积之前，在目标层（4）的可降解材料（5）上形成纳米管（6）。然后通过穿过绝缘层（7）的纳米管（6）进行可降解材料（5）的降解和降解的副产物的消除，从而在目标层（4）中形成气隙（10）。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

93. 发明专利

JP2008528288A Solid chemical reactions that occur in the patterning and such layers by energy-induced local removal of the solid condensate gas layer 有权
公开(公告)号：JP2008528288A
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：JP2007545607
申请日：2005-12-08
申请人：ザプレジデントアンドフェロウズオブハーバードカレッジ
发明人：キング，ギャビン，エム． , ゴロブチェンコ，ジーン，エー． , シュールマン，グレガー，エム． , ブラントン，ダニエル
IPC分类号： B23K15/08 , B01J19/12 , B23K15/00 , B81C99/00 , C01B31/02
CPC分类号： C23C14/06 , B82Y10/00 , C23C14/5873 , H01J37/3005 , H01J2237/31732 , H01J2237/3174 , H01L21/02238 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31662 , H01L21/3185 , Y10S977/856 , Y10S977/857 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要：本発明は、構造の表面上に蒸気を凝縮させて固体凝縮物層とし、次に凝縮物層の選択領域にエネルギーのビームを照射することでその選択領域の局所除去を行うことによって、構造上にパターニング材料層を形成する方法を提供する。その構造を、構造表面上のパターニング固体凝縮物層の少なくとも一部について加工し、次に固体凝縮物層を除去することができる。さらに、凝縮物層の少なくとも一つの選択領域でエネルギーのビームを照射することによって、固体凝縮物層と構造との間に誘導局所反応を起こさせることができる。
【選択図】図１Ｃ

94. 发明专利

JP2008522848A Lift-off patterning method using an energy-induced local removal of the solid condensate gas layer 有权
公开(公告)号：JP2008522848A
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：JP2007545606
申请日：2005-12-08
申请人：ザプレジデントアンドフェロウズオブハーバードカレッジ
发明人：キング，ギャビン，エム． , ゴロブチェンコ，ジーン，エー． , シュールマン，グレガー，エム． , ブラントン，ダニエル , モバリーチェン，ウォーレン，ジェイ．
IPC分类号： B82B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： C23C14/5873 , B82Y10/00 , C23C14/541 , H01L21/0331 , Y10S977/856 , Y10S977/857 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/891
摘要：本発明は、構造上にパターン化された材料層を形成する方法であって、構造の表面上に蒸気を凝縮させて固体凝縮物層とし、次に選択領域でエネルギーのビームを当てることで凝縮物層の選択領域を局所除去することで選択領域の構造を露出させることによる方法を提供する。次に、固体凝縮物層の上面および選択領域での露出構造上に材料層を成膜する。次に、固体凝縮物層および固体凝縮物層上に成膜された材料層の領域を除去して、構造上にパターン化された材料層を残す。
【選択図】図１Ｃ

95. 发明专利

JP2008505044A Electronic device and its application is based on carbon nanotubes produced by electrolytic deposition 审中-公开
公开(公告)号：JP2008505044A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：JP2007505264
申请日：2005-03-28
申请人：フォスター−ミラー,インコーポレーテッド
发明人：ギャノン，ジョン , ケアリー，チャールズ , チェルー，リチャード , ティアーノ，トマス，エム , ファレル，ブライアン
IPC分类号： C01B31/02 , B82B1/00 , B82B3/00 , G01J1/02 , G01N27/00 , G01N27/414 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , H01L51/0052 , H01L51/0595 , H01L51/102 , Y10S977/888
摘要：電解析出により製造されたカーボンナノチューブに基づくデバイス及びその応用が提供される。デバイスは少なくとも１つのマイクロエレクトロニクス基板に堆積されたアクティブなカーボンナノチューブ接合アレイを少なくとも１つ有する。デバイスは基板、基板に配置され電源に接続された少なくとも１対の電極、及び少なくとも１対の電極間に配置された、半導電性カーボンナノチューブから本質的に構成されたカーボンナノチューブの束を有する。半導電性デバイスは２つの電極間でのカーボンナノチューブの電着により形成されてもよい。また、半導電性デバイスを形成する方法は、カーボンナノチューブロープにバイアス電圧を印加することによる。複数の金属性単層カーボンナノチューブは半導電性デバイスの形成に十分な量だけ（例えば、バイアス電圧の印加により）除去される。デバイスは、化学的又は生物学的センサ、カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ（ＣＮＦＥＴ）、トンネル接合、ショットキー接合、及び多次元ナノチューブアレイを含む。

96. 发明专利

JPWO2002093549A1 薄膜音響共振器及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2002093549A1
公开(公告)日：2004-12-09
申请号：JP2002590142
申请日：2002-05-10
申请人：宇部エレクトロニクス株式会社
发明人：山田　哲夫 , 哲夫山田 , 圭吾長尾 , 圭吾長尾 , 智仙橋本 , 智仙橋本
IPC分类号： H03H9/17 , H04R19/02 , B06B1/06 , G10K11/04 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/313 , H03H3/02 , H03H9/02 , H03H9/05 , H03H9/13 , H03H9/56 , H03H9/58 , H04R31/00
CPC分类号： H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
摘要：シリコンウェーハ(51)の表面に酸化シリコン薄層(53)の形成された基板に、窪み(52)が形成されている。窪み(52)をまたぐように、圧電体層(62)とその両面に接合された下方電極(61)及び上方電極(63)とからなる挟み込み構造体(60)が配置されている。下方電極(61)の上面及びこれと接合されている圧電体層(62)の下面は、高さのRMS変動が25nm以下である。下方電極(61)の厚さは150nm以下である。これにより、電気機械結合係数及び音響品質係数などに優れた高性能の薄膜音響共振器が提供される。

97. 发明专利

JP2004082316A Fine particle polishing method and device 有权
标题翻译：细粒抛光方法和装置
公开(公告)号：JP2004082316A
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：JP2002305761
申请日：2002-10-21
申请人： Ind Technol Res Inst , 財団法人工業技術研究院
发明人： CHOU TA-HSIN , LEE WEN-YEU , CHEN LEI-YI
IPC分类号： B24B31/112 , B01J19/08 , B02C17/00 , B02C17/16 , B02C17/18 , B02C17/24 , B24B37/00 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B02C17/16 , B02C17/005 , B02C17/161 , B02C17/183 , Y10S977/888 , Y10S977/90
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fine particle polishing method and device capable of allowing a polishing medium and fine particles to separate from each other by themselves without using a conventional sieve mechanism, being applied to very fine particles without restricted by a mechanical size of a screen and the like, and further dispensing with the replacement of a stirring blade caused by abrasion, as is found in a conventional device. SOLUTION: This invention applies different force fields for the polishing medium and the fine particles to allow them to collide with each other only in a polishing area, while moving the polishing medium and the fine particles in different routes. Whereby the polishing medium and the fine particles are separated from each other by themselves without using the conventional sieve mechanism such as the screen or a gap, and further a mechanical size of a component is not restricted. This invention can be applied to very fine particles. The circulation of the fine particles is not restricted even by any small gap of the sieve mechanism, accordingly the clogging of a separating machine by the fine particles can be prevented. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
摘要翻译：解决问题：为了提供能够使抛光介质和细颗粒自身彼此分离而不使用常规筛分机构的微粒抛光方法和装置，被施加到非常细小的颗粒而不受屏幕的机械尺寸等，并且进一步分配由磨损引起的搅拌叶片的更换，如在常规装置中所发现的那样。解决方案：本发明对抛光介质和细颗粒施加不同的力场，使得它们仅在抛光区域中相互碰撞，同时以不同的路线移动抛光介质和细颗粒。由此抛光介质和细颗粒彼此分离，而不使用诸如筛网或间隙的常规筛机，并且组分的机械尺寸进一步限制。本发明可以应用于非常细小的颗粒。即使筛子机构的任何小的间隙也不限制细颗粒的循环，因此可以防止由微粒引起的分离机的堵塞。版权所有（C）2004，JPO

99. 发明专利

JPWO2016038719A1 デバイスおよびその形成方法有权
公开(公告)号：JPWO2016038719A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016547319
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社日立製作所
发明人：至柳 , 至柳 , 武田　健一 , 健一武田
IPC分类号： B81C1/00 , B81B1/00 , G01N27/00 , H01L21/306
CPC分类号： G01N33/48721 , B81B1/00 , B81C1/00 , B82B1/001 , B82B3/0019 , B82Y5/00 , B82Y40/00 , C12Q1/6869 , G01N27/44791 , H01L21/306 , Y10S977/888 , Y10S977/89 , Y10S977/924
摘要：従来、DNAの構造的な特徴の把握や塩基配列解析に有望と考えられるソリッドステートナノポアデバイスのメンブレンの厚みが厚く、DNA鎖中の塩基配列の決定精度が不十分であった。表面がSiである第1の基板上に、第1の膜を形成し、その後、前記第1の膜に前記第1の基板表面が露出するよう孔を形成し、その後、第2の膜を前記第1の膜上ならびに前記第1の基板表面上に成膜し、その後、前記第1の基板を前記第2の膜が削れない溶液でエッチングすることで、メンブレンを形成することを特徴とする方法。

100. 发明专利

JP5990664B2 ナノ機械的共振器アレイ及びその製造方法有权
标题翻译：纳米机械谐振器阵列及其制造方法
公开(公告)号：JP5990664B2
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：JP2016508020
申请日：2013-04-19
申请人：コチ・ウニヴェルシテシ , KOC UNIVERSITESI
发明人：ブルハネッティン・エルデム・アラジャ , ユスフ・レブレビキ , イスマイル・ヨルマツ , ヤシン・キリンク , ベキル・アクソイ
IPC分类号： H03H3/02 , H03H9/24
CPC分类号： H03H9/2463 , B82B1/005 , H03B5/30 , H03H9/2405 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , H03H2009/02291 , Y10S977/762 , Y10S977/888 , Y10S977/956

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