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    • 95. 发明公开
    • 卤化硅烷齐聚物的提纯方法
    • CN107074558A
    • 2017-08-18
    • CN201580056048.7
    • 2015-09-07
    • PSC聚硅烷化工股份有限公司
    • C·鲍赫S·霍尔M·霍伊尔
    • C01B33/00C07F7/20C01B33/107
    • 本发明涉及一种卤化硅烷齐聚物的提纯方法,其中的卤化硅烷齐聚物可以是纯的化合物,也可以是一系列化合物的混合物,这些化合物中的每一种至少带有一个直接键合的Si‑Si,这些硅烷齐聚物的取代基只能是卤素,或者卤素和氢原子,在具有不同原子组成成分的取代基中,硅原子与其他原子的原子比必须大于3:2,在提纯的过程中,至少针对卤化硅烷齐聚物并通过分离卤化硅烷齐聚物实现提高卤化硅烷齐聚物的纯度。根据现有技术,诸如HSiCl3等卤化甲硅烷可以使用有机化合物(尤其是含有氨基的基团的聚合物)进行处理,对经过上述处理的混合物进行分离,即得到提纯的卤化甲硅烷。因为上述方法中使用的有机化合物中含有氨基,所以该方法不能用于提纯卤化硅烷齐聚物,因为氨基会导致副反应,并使得待提纯的产品发生分解。本发明所涉及的方法可以以高产率提纯所需的产品并且在不使用氨基的情况下实现提纯处理。对卤化硅烷齐聚物的提纯过程中使用了专门的提纯剂,此类提纯剂可以将物料中的诸如FeCl2之类的污染物转换成一种不溶于溶剂的形态或者不可挥发的物质。处理之后,分离提纯剂和产品,实现对物料的提纯。上述方法可以以高产率实现对物质的提纯处理,并且解决以现有技术进行提纯时出现的,诸如蒸馏时间长的问题。本文所述的提纯方法适合于将待提纯物料中诸如Si2Cl6、Si3Cl8、Si4Cl10或者分子量更大的同族体分离出来。这些方法可以用于诸如在化学气相沉积法中从卤化硅烷齐聚物和氮化硅的混合物中分离氮化硅层。