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91. 发明公开

CN101760355A 用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物失效转让
公开(公告)号：CN101760355A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200911000051.X
申请日：2009-12-17
申请人：气体产品与化学公司
发明人：吴爱萍 , M·B·劳 , E·C·巴里施波莱克
IPC分类号： C11D7/32 , C11D7/26 , C11D7/34 , C11D7/60
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/2065 , C11D3/2075 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5004 , G03F7/425
摘要：本发明涉及用于CoWP和多孔电介质的湿清洁组合物。本发明是一种用于从具有CoWP特征的半导体基片上湿清洁除去蚀刻后和灰残留物的配制剂，包括：去离子水；有机酸；胺和/或氢氧化季铵；其中，所述配制剂与所述CoWP特征相容，并且，或者(a)胺和/或氢氧化季铵与有机酸的摩尔比提供在7-14的范围的pH值；或者(b)所述配制剂包括缓蚀剂。还描述了使用所述配制剂的方法。

92. 发明公开

CN101755324A 清洗和防腐用组合物及半导体元件或显示元件的制造方法有权
公开(公告)号：CN101755324A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200880100170.X
申请日：2008-07-03
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：岛田宪司 , 松永裕嗣 , 安部幸次郎 , 山田健二
IPC分类号： H01L21/304 , C11D7/32 , C11D7/34 , C23G1/04 , H01L21/3205 , H01L21/768
CPC分类号： C23G1/103 , C11D3/0073 , C11D3/28 , C11D3/33 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/06 , H01L21/02063 , H01L21/02068
摘要：本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。

93. 发明公开

CN101705163A 一种清除口香糖残渣的清除剂及其制备方法失效
公开(公告)号：CN101705163A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910199187.1
申请日：2009-11-20
申请人：上海应用技术学院
发明人：周信光 , 方超 , 陈娇 , 周祖新
IPC分类号： C11D7/50 , C11D7/30 , C11D7/26 , C11D7/04 , C11D7/34
摘要：本发明公开了一种清除口香糖残渣的清除剂及其制备方法。一种清除口香糖残渣的清除剂由二硫化碳、二氯甲烷、乙酸乙酯、司班-80、环己酮及十二烷基苯磺酸钠及水组成。其制备方法，即将二硫化碳与水混合，同时加入二氯甲烷和乙酸乙酯混合加热50℃～60℃，加入十二烷基苯磺酸钠进行搅拌使固体完全溶解后加入环己酮，再加入司班-80，搅拌得反应物，冷却至室温，即得本发明的一种清除口香糖残渣的清除剂产品。本发明的一种清除口香糖残渣的清除剂能够将地板，大理石地面，栏杆，墙上的口香糖残渣(迹)轻松擦除，性能稳定，成本较低，无毒无害，对环境没有污染。

94. 发明公开

CN101412950A 一种等离子刻蚀残留物清洗液无效
公开(公告)号：CN101412950A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200710047264.2
申请日：2007-10-19
申请人：安集微电子(上海)有限公司
发明人：刘兵 , 彭洪修 , 于昊
IPC分类号： C11D7/34 , H01L21/304 , H01L21/3065 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC分类号： C11D7/28 , C11D7/263 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/34 , C11D7/50 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071
摘要：本发明公开了一种等离子刻蚀残留物清洗液，其含有：二甲亚砜、多元醇单烷基醚、水、氟化物、多氨基有机胺、氨基酸和叔胺。本发明的清洗液清洗能力强，可有效去除金属线(Metal)、通道(Via)和金属垫(Pad)晶圆上的等离子刻蚀残留物，而且对非金属材料(如SiO2、离子增强四乙氧基硅烷二氧化硅(PETEOS)、硅和低介质材料等)和部分金属材料(如Ti、Al和Cu)等有较小的腐蚀速率，可适用于批量浸泡式、批量旋转喷雾式和单片旋转式的清洗方式，具有较大操作窗口，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

95. 发明公开

CN101410503A 用于后CMP清洗工艺的改良碱性溶液无效
公开(公告)号：CN101410503A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010918.2
申请日：2007-03-09
申请人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
发明人： M·费希尔
IPC分类号： C11D11/00 , G03F7/42 , H01L21/306 , H05K3/26 , C11D7/32 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/34
摘要：本发明提供了碱性后CMP清洗溶液，其含有：至少两种选自有机胺和/或季铵氢氧化物的碱性化合物，至少一种有机酸化合物，和能抑制原料腐蚀的抑制剂化合物。抑制剂化合物优选是巯基化合物。在一个实施方式中，清洗溶液含有至少两种有机胺，但基本不含季铵氢氧化物。清洗溶液优选具有约7－12的pH。

96. 发明公开

CN101373339A 一种厚膜光刻胶的清洗剂失效
公开(公告)号：CN101373339A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710045209.X
申请日：2007-08-23
申请人：安集微电子(上海)有限公司
发明人：史永涛 , 彭洪修 , 刘兵 , 曹惠英 , 曾浩
IPC分类号： G03F7/42 , C11D7/34 , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/06
摘要：本发明公开了一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有：二甲基亚砜、氢氧化钾、芳基烷基醇和/或其衍生物、醇胺类化合物和聚硅氧烷类缓蚀剂。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，同时对铝和铜等金属和二氧化硅等非金属材料，以及晶片图案具有很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

97. 发明公开

CN101205509A 无机磨料清洁膏无效
公开(公告)号：CN101205509A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610130507.4
申请日：2006-12-22
申请人：苏伟光
发明人：苏伟光 , 李彦华
IPC分类号： C11D3/04 , C09C1/68 , C11D7/34 , C11D7/26
摘要：本发明涉及清洁洗涤用品领域，特别是一种无机磨料清洁膏，其组分及其重量百分比分别为：无机磨料35－50％；保湿剂15－35％；去离子水15－30％；十二醇硫酸钠2－3％；酸碱调节剂0.1－0.3％；壳聚糖杀菌剂1－2％。本发明采用无机磨料代替以往的石油基化合物作为餐具清洁剂的主要成分，且其他成分中的有机物全部为无毒原料，使该无机磨料清洁膏不仅具有较强的去污能力，而且不会污染环境及影响人们的身体健康，还具有使用、运输方便、制造成本低廉、节约用水等优点，可作为现有餐具、炊具清洁剂的环保替代品。

98. 发明授权

CN100381550C 导热油加热系统油质清洗剂及清洗方法失效
公开(公告)号：CN100381550C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610045087.X
申请日：2006-06-26
申请人：山东恒利石油化工有限公司
发明人：耿佃华 , 李咸波 , 孙跃进 , 邹冬梅
IPC分类号： C11D7/34 , B08B3/04
摘要：导热油加热系统油质清洗剂，其特征在于由基础油合成芳烃和添加剂石油亚砜或石油砜组成，其中石油亚砜或石油砜的重量含量为1～10%。导热油加热系统注满清洗剂进行清洗，先进行冷清洗4～5小时，再在110℃～120℃下进行热清洗不少于48小时。本发明清洗剂组成简单，清洗操作简便，清洗时间短，可靠性强，清洗残留对加热系统无影响。

99. 发明公开

CN101126053A 用于半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物无效
公开(公告)号：CN101126053A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200610030170.X
申请日：2006-08-17
申请人：安集微电子(上海)有限公司
发明人：刘兵 , 彭洪修 , 王淑敏
IPC分类号： C11D7/34 , H01L21/302 , C11D7/32
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3761 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/5004 , H01L21/02057
摘要：本发明公开了一种用于半导体工业中等离子刻蚀残留物的清洗液组合物，清洗液组合物包括清洗有效量的溶剂、缓冲水溶液、氟化物、抗冻剂、聚合物抑制剂。本发明的清洗液组合物可有效地清洗半导体制造过程中等离子刻蚀残留物，而且不会侵蚀SiO2、PETEOS、硅、低介质材料和一些金属物质(如Ti、Al、Cu)。

100. 发明公开

CN1961065A 纳米电子和微电子清洗组合物失效转让
公开(公告)号：CN1961065A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580006705.3
申请日：2005-02-11
申请人：马林克罗特贝克公司
发明人：许建斌
IPC分类号： C11D11/00 , C11D3/39 , C11D3/395 , G03F7/42 , C11D7/50 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/26 , C11D7/22
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/22 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5022 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426
摘要：用于在超临界流体态条件下清洗纳米电子和微电子基底的纳米电子和微电子清洗组合物，更具体地，对以二氧化硅、敏感的低κ或高κ电介质和铜、钨、钽、镍、金、钴、钯、铂、铬、钌、铑、铱、铪、钛、钼、锡和其他金属化为特征的纳米电子和微电子基底以及Al或Al(Cu)金属化的基底和高级的互连技术有用并与之具有改进相容性的清洗组合物，通过本发明含有纳米电子和微电子清洗组合物的纳米电子和微电子清洗组合物而提供，所述组合物含有：(1)在250℃或更低温度下和600bars(592.2atm，8702.3psi)或更低压力下达到超临界流体态的超临界主流体，和(2)作为第二种流体，选自以下制剂的改进剂制剂：a)含有氧化剂；选自酰胺、砜、环丁烯砜类、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；和任选其他组分的制剂；b)含有选自酰胺、砜、硒代砜和饱和醇的极性有机溶剂；强碱性碱；和任选其他组分的无硅酸盐的制剂；c)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约0.5～约99.95重量％一种或多种腐蚀抑制溶剂化合物，所述腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个能够与金属络合的位点；和任选其他组分的制剂；d)含有约0.05～20重量％一种或多种不产生铵、不产生HF的氟化物盐；约5～约99.95重量％水、有机溶剂或者水和有机溶剂；和任选其他组分的制剂；和e)含有约0.05重量％～30重量％一种或多种不产生铵、含有非亲核性荷正电的反离子的强碱；约5～约99.95重量％一种或多种位阻酰胺溶剂；和任选其他组分的制剂。

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