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    • 21. 发明专利
    • ガスハイドレート層における水圧破砕方法と水圧破砕システム
    • JPWO2018008535A1
    • 2019-04-04
    • JP2017024072
    • 2017-06-30
    • 国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 今野 義浩神 裕介長尾 二郎内海 崇眞城 一憲
    • E21B43/26
    • 添加物を含まない圧力流体を用いてガスハイドレート層に亀裂を形成するとともに、プロパントを注入することなくガスハイドレート層の良好な浸透性を維持することを可能としたガスハイドレート層における水圧破砕方法と水圧破砕システムを提供すること。ガスハイドレート層G2のうち、亀裂を形成したい所定深度tまで延びて圧力流体の流通する配管3を地盤内に施工し、所定深度における最小応力がP0(MPa)であり、配管3の内部耐圧力がP1(MPa)の場合に、圧力流体の圧力P(MPa)が(2.9+P0)(MPa)≦P(MPa)




      (81)指定国 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,T J,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,R O,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,G T,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX ,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM, TN,TR,TT (出願人による申告)平成27年度、経済産業省資源エネルギー庁、メタンハイドレート開発促進事業、産業技 術力強化法第19条の適用を受ける特許出願 (72)発明者 長尾 二郎 北海道札幌市豊平区月寒東2条17丁目2番1号 国立研究開発法人産業技術総合研究所 北海道 センター内 (72)発明者 内海 崇 北海道札幌市豊平区月寒東2条17丁目2番1号 国立研究開発法人産業技術総合研究所 北海道 センター内 (72)発明者 眞城 一憲 北海道札幌市豊平区月寒東2条17丁目2番1号 国立研究開発法人産業技術総合研究所 北海道 センター内 (注)この公表は、国際事務局(WIPO)により国際公開された公報を基に作成したものである。なおこの公表に 係る日本語特許出願(日本語実用新案登録出願)の国際公開の効果は、特許法第184条の10第1項(実用新案法 第48条の13第2項)により生ずるものであり、本掲載とは関係ありません。