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31. 发明公开

CN101383382A 一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜及其制备方法无效
公开(公告)号：CN101383382A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810223718.1
申请日：2008-10-09
申请人：中国科学院电工研究所 , 欧贝黎新能源科技股份有限公司
发明人：赵雷 , 王文静
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/0232 , H01L31/048 , H01L31/052 , H01L31/20
CPC分类号： Y02P70/521
摘要：一种用于晶硅太阳电池的复合钝化减反膜，其特征在于所述复合钝化减反膜由一层非晶硅层(2)和一层二氧化钛层(3)构成，所述非晶硅层(2)直接淀积在太阳电池(1)的迎光面上起到表面钝化作用，所述二氧化钛层(3)淀积在所述非晶硅层(2)上，起到减少电池光反射的作用。制备本发明钝化减反膜的方法，首先在太阳电池(1)上采用化学气相淀积(PECVD)工艺淀积制备非晶硅层(2)，然后在所述非晶硅层(2)上采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺淀积二氧化钛层，或者在所述非晶硅层(2)上采用热喷涂工艺淀积二氧化钛层(3)。

32. 发明授权

CN115000188B 一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构有权
公开(公告)号：CN115000188B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210577612.1
申请日：2022-05-25
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 王文静
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要：本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域，尤其涉及一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构。本发明提供了一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构，包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层；在所述界面钝化层的表面选区设置的取出所述晶硅衬底中的多子的载流子选择性接触表面场层，未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置的电学隔离层；在所述载流子选择性接触表面场层和电学隔离层表面设置的透明导电电极层；在所述透明导电电极层的表面设置的栅线状金属电极。所述载流子选择性接触表面场层在电池迎光面上是(56)对比文件Wang JJ等.Hard mask processing of 20%efficiency back-contacted silicon solarcells with dopant-freeheterojunctions.NANO ENERGY.2019,第66卷全文.Nie Huijun等.Simulation andoptimization of beta-FeSi2(n)/c-Si(p)solar cell with intrinsic thin-layer.Electronic Components &Materials.2015,第34卷(第6期),23-27.Richter A等.Tunnel oxide passivatingelectron contacts as full‐area rearemitter of high‐efficiency p‐type siliconsolar cells.Progress in Photovoltaics:Research and Applications.2018,第26卷(第8期),579-586.李涛等.晶体硅太阳电池双层电极优化分析与实验研究.物理学报.2012,第61卷(第3期),525-531.Zhao SS等.Research progress ofcrystalline silicon solar cells withdopant-free asymmetricheterocontacts.ACTA PHYSICA SINICA.2019,第68卷(第4期),全文.

33. 发明授权

CN114122154B 一种载流子选择性钝化接触太阳电池及其制备方法有权
公开(公告)号：CN114122154B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111180819.7
申请日：2021-10-11
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：王光红 , 王文静 , 赵雷 , 莫丽玢 , 刁宏伟
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要：本发明涉及了一种载流子选择性钝化接触太阳电池，包括依次设置的第一梯度金属氧化物层、第一非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二非晶硅钝化层、第二梯度金属氧化物层；第一梯度金属氧化物层和所述第二梯度金属氧化物层均包括采用纯氩气沉积得到的第一层金属氧化物层和采用氩气和氧气混合气体沉积得到的第二层金属氧化物层。本发明采用梯度金属氧化物层，减少与非晶硅钝化层接触的金属氧化物中氧，避免了非晶硅中的氢与金属氧化物中的氧的反应，提升了载流子选择性钝化接触太阳电池的

34. 发明授权

CN114883424B 一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法有权
公开(公告)号：CN114883424B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210576903.9
申请日：2022-05-25
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 王文静
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/20

35. 发明公开

CN114883451A 一种全背接触晶硅异质结太阳电池结构的制备方法有权
公开(公告)号：CN114883451A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210576713.7
申请日：2022-05-25
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 王文静
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要：本发明提供了一种全背接触晶硅异质结太阳电池结构的制备方法，属于光伏发电技术领域。本发明采用有机物作为第一牺牲层S1，其可以被有机溶剂溶解，可采用CO2激光刻蚀的方法进行图形化，所述的图形化过程对电池构成功能层没有损伤，可保障电池具有获得高性能的潜力；此外，刻蚀后剩余的用作掩膜的有机物可以用有机溶剂直接去除，而有机溶剂同样不影响电池构成功能层，因而无需采用其他保护措施，从而减少图形化的步骤。本发明的方法所制备的结构可保障电池高性能，且能减少步骤，便捷实施，降低制备成本。

36. 发明授权

CN112662884B 一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法有权
公开(公告)号：CN112662884B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202011485970.7
申请日：2020-12-16
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 刁宏伟 , 王文静
IPC分类号： C22B11/00 , C22B7/00
摘要：本发明涉及光伏组件回收技术领域，尤其涉及一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法。本发明提供了一种回收晶硅异质结太阳电池中金属银的方法，包括以下步骤：将晶硅异质结太阳电池在碱性溶液中进行浸泡，得到金属银栅；将所述金属银栅进行热处理，得到金属银。本发明得到的金属银纯度高，整个回收过程成本低，几乎不产生化学污染物，环境友好。

37. 发明公开

CN111477705A 一种去除晶硅光伏组件背面有机粘结胶膜的方法有权
公开(公告)号：CN111477705A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010294572.0
申请日：2020-04-15
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 李晓彤 , 刁宏伟 , 王文静
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18
摘要：本发明提供一种去除晶硅光伏组件背面有机粘结胶膜的方法，属于光伏组件的回收处理技术领域。所述的晶硅光伏组件在去除了边框、接线盒和背板之后，太阳电池仍被有机粘结胶膜粘结在光伏玻璃板上，太阳电池背面也仍然粘有一层有机粘结胶膜。采用太阳电池背面强反射而有机粘结胶膜强吸收的激光对去除了背板的晶硅光伏组件背面进行辐照处理，使组件背面的有机粘结胶膜被加热熔融，形成的有机粘结胶膜熔体产生流动从组件背面上去除。本发明的方法在处理过程中不会损伤太阳电池，并能同时将太阳电池背面上的有机粘结胶膜及太阳电池之间直接粘结在光伏玻璃板上的有机粘结胶膜去除。

38. 发明公开

CN111139076A 一种化学腐蚀液及其应用有权
公开(公告)号：CN111139076A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811313605.0
申请日：2018-11-06
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：刘欢 , 赵雷 , 王文静
IPC分类号： C09K13/08 , C30B33/10 , C30B29/06
摘要：本发明提供了一种化学腐蚀液，属于硅片刻蚀技术领域；该化学腐蚀液的特征在于包含有MnO2颗粒的HNO3/HF/H2O溶液。将该腐蚀液用于硅片腐蚀时，MnO2颗粒沉降于硅片表面起到掩膜的作用，使HNO3/HF/H2O腐蚀硅片的反应主要在MnO2颗粒之间的区域发生，由此可以提高腐蚀坑的高宽比，降低硅片表面的光反射率；同时，MnO2颗粒与硅接触的位置将硅氧化成SiO2，生成的SiO2再被HF去除，露出的硅与MnO2接触并继续发生如上反应，逐渐消耗MnO2颗粒，反应的综合效果是改善了绒面的减反射性能，从而能够在多晶硅片表面得到反射率较低的高性能绒面，且具有工艺简单、成本低的优点。

39. 发明授权

CN102168666B 一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置失效
公开(公告)号：CN102168666B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110096649.4
申请日：2011-04-18
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：刁宏伟 , 王文静 , 赵雷 , 周春兰 , 李海玲
IPC分类号： F04B39/16 , F04B49/10
摘要：一种太阳电池制备用的前级真空泵保护装置。所述的保护装置包括金属波纹管(8)、截止阀(9)、两组过滤器(10)和压力检测装置(11)。两组过滤器(10)并联，过滤器(10)进气口的一端通过截止阀(9)与金属波纹管(8)相连，过滤器(10)出气口的一端通过截止阀(9)与前级真空泵(12)相连，每组过滤器(10)的两端均装有截止阀(9)，每组过滤器(10)均连接有压力检测装置(11)，金属波纹管(8)的一端与两组过滤器的进气口截止阀相连，另一端与真空腔体相连。

40. 发明授权

CN101262023B 一种肖特基背结硅太阳能电池有权转让许可
公开(公告)号：CN101262023B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200710304229.4
申请日：2007-12-26
申请人：中国科学院电工研究所
发明人：赵雷 , 王文静 , 刁宏伟
IPC分类号： H01L31/07
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一种肖特基背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的低功函数的背电极(2)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的高功函数的前透明导电电极(3)。在p型硅衬底(1)和背电极(2)之间可加入第一种本征半导体层或绝缘层(4)；亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(3)之间加入第二种本征半导体层或绝缘层(5)和/或p型掺杂半导体层(6)；在前透明导电电极(3)上还可以具有金属栅线(7)。

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