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31. 发明授权

CN104321638B SPR传感器元件和SPR传感器有权
公开(公告)号：CN104321638B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380025926.X
申请日：2013-05-16
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广
IPC分类号： G01N21/27
CPC分类号： G01N21/553 , G01N21/17 , G02B6/10
摘要：本发明提供一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括：下包层；芯层，其以所述芯层的至少一部分与所述下包层邻接的方式形成并且具有光入射口和光出射口；以及金属层，其覆盖所述芯层的一部分。所述芯层在所述光入射口处的截面积S1和所述芯层在被所述金属层覆盖的部分处的截面积S2满足S1>S2的关系。

32. 发明公开

CN105334571A 使光入射到光波导中的入射方法无效
公开(公告)号：CN105334571A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510468563.8
申请日：2015-08-03
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广 , 尾崎真由
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/24 , G01N21/552
CPC分类号： G02B6/1226 , G01N21/553 , G02B6/4204 , G02B6/4292 , G02B6/4296 , G02B6/4298 , G02B6/12 , G01N21/552 , G02B6/122 , G02B6/24 , G02B2006/1209
摘要：使光入射到光波导中的入射方法。本发明提供一种使光入射到多模光波导的芯层的入射方法。所述光波导包括：下包层；和所述芯层，以所述芯层的至少一部分与所述下包层邻接的方式形成所述芯层。所述方法包括使光入射到所述芯层，使得：光在所述多模光波导的入射口侧端面处的光斑完全包括所述芯层的入射口；光在所述多模光波导的入射口侧端面处的光斑面积为所述芯层的入射口的面积的两倍或更大；并且光在所述芯层的入射口端面处的入射角度范围为从10°到30°。

33. 发明授权

CN103460021B SPR传感器元件及SPR传感器失效
公开(公告)号：CN103460021B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201280016040.4
申请日：2012-02-21
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/03
CPC分类号： G01N21/554 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要：提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括：下包层；芯层，其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻；以及金属层，其覆盖芯层。芯层包含35重量%以上的卤素。

34. 发明授权

CN103460022B SPR传感器元件及SPR传感器失效
公开(公告)号：CN103460022B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201280016054.6
申请日：2012-02-21
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/03
CPC分类号： G01N21/41 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要：提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括：下包层；芯层，其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻；以及金属层，其覆盖芯层。芯层的折射率为1.43以下，吸收系数为9.5×10-2（mm-1）以下。

35. 发明公开

CN103797354A SPR传感器元件和SPR传感器无效
公开(公告)号：CN103797354A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044623.8
申请日：2012-08-02
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/03
CPC分类号： G01N21/554 , G01N21/41 , G01N21/553 , G01N33/54373 , G01N2201/08 , G02B6/1226 , G02B6/132 , G02B6/138 , G02B2006/12138
摘要：本发明涉及一种具有高检测灵敏度的SPR传感器元件以及SPR传感器。本发明的SPR传感器元件包括检测单元和与所述检测单元邻接的试样载置部。所述检测单元包括下包层、设置为使得至少一部分与所述下包层邻接的芯层、覆盖所述芯层的金属层和覆盖所述金属层的覆盖层。各覆盖层由带隙(Eg)大于1.0eV且小于7.0eV的材料构成，并且所述覆盖层的折射率高于所述芯层的折射率。

36. 发明公开

CN103460021A SPR传感器元件及SPR传感器失效
公开(公告)号：CN103460021A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016040.4
申请日：2012-02-21
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广
IPC分类号： G01N21/27 , G01N21/03
CPC分类号： G01N21/554 , G01N21/03 , G01N21/553 , G01N2021/0346 , G02B6/1226
摘要：本发明提供了一种具有非常优异的检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。该SPR传感器元件包括检测单元和与检测单元相邻的试样载置部。检测单元包括：下包层；芯层，其设置成使芯层的至少一部分与下包层相邻；以及金属层，其覆盖芯层。芯层包含35重量%以上的卤素。

37. 发明授权

CN1912038B 粘合片及其制造方法、以及制品的加工方法失效
公开(公告)号：CN1912038B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200610104293.3
申请日：2006-08-09
申请人：日东电工株式会社
发明人：绀谷友广 , 吉田良德 , 新谷寿朗 , 赤泽光治
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/00
CPC分类号： B32B7/12 , B32B7/06 , B32B27/08 , B32B27/308 , B32B2309/105 , B32B2405/00 , C08L33/08 , C08L2666/04 , C09J7/22 , C09J7/29 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2201/162 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , Y10T428/14
摘要：本发明目的在于提供一种粘合片，其在加工晶圆等制品时使用，很少发生切割碎片，而且即使晶圆表面凹凸的高低差大，也能够追随其凹凸。该粘合片在基材的单面上依次具有中间层和粘合剂层，所述中间层的初始弹性模量为0.5N/mm2以下、20℃～70℃的损耗角正切(tanδ)的值为0.4以上、并且凝胶成分为30％以上。

38. 外观设计

CN305936943S 保护贴有权
公开(公告)号：CN305936943S
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202030020128.0
申请日：2020-01-13
申请人：日东电工株式会社
设计人：阿部悠一 , 绀谷友广 , 井上健郎 , 平井文太
摘要： 1.本外观设计产品的名称：保护贴。
2.本外观设计产品的用途：本产品粘贴在基板的通孔位置，用于防止灰尘、水等进入，以保护通孔内的半导体元件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1后视图。
5.本产品“设计1仰视图”与“设计1俯视图”对称；“设计3仰视图”与“设计3俯视图”对称，省略“设计1仰视图”,“设计3仰视图”。
6.指定设计1为基本设计。
7.如“设计1示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计2示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计3示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部。

39. 外观设计

CN305939600S 保护贴有权
公开(公告)号：CN305939600S
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202030012115.9
申请日：2020-01-08
申请人：日东电工株式会社
设计人：阿部悠一 , 绀谷友广 , 井上健郎 , 平井文太
摘要： 1.本外观设计产品的名称：保护贴。
2.本外观设计产品的用途：本产品粘贴在基板的通孔位置，用于防止灰尘、水等进入，以保护通孔内的半导体元件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1后视图。
5.本产品“设计1仰视图”与“设计1俯视图”对称，“设计2仰视图”与“设计2俯视图”对称，省略“设计1仰视图”、“设计2仰视图”。
6.指定设计1为基本设计。
7.如“设计1示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态剖面参考图”、“设计2示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部。

40. 外观设计

CN305936944S 保护贴有权
公开(公告)号：CN305936944S
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202030020338.X
申请日：2020-01-13
申请人：日东电工株式会社
设计人：阿部悠一 , 绀谷友广 , 井上健郎 , 平井文太
摘要： 1.本外观设计产品的名称：保护贴。
2.本外观设计产品的用途：本产品粘贴在基板的通孔位置，用于防止灰尘、水等进入，以保护通孔内的半导体元件。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1后视图。
5.本产品“设计1仰视图”与“设计1俯视图”对称；“设计2左视图”与“设计2右视图”对称；“设计3左视图”与“设计3右视图”对称；“设计4仰视图”与 “设计4俯视图”对称，省略“设计1仰视图”，“设计2左视图”，“设计3左视图”，“设计4仰视图”。
6.指定设计1为基本设计。
7.如“设计1示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态参考图”、“设计1示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部；如“设计2示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态参考图”、“设计2示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，C部为粘着层，D部为多孔质膜，E部为基材，F部为本产品，G部为基板，H部为掀起部，I部为半导体元件；如“设计3示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态参考图”、“设计3示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，C部为粘着层，D部为多孔质膜，E部为基材，F部为本产品，G部为基板，H部为掀起部，I部为半导体元件；如“设计4示意各部名称的A‑A剖面放大参考图”、“设计4示意使用方法的使用状态参考图”、“设计4示意使用方法的使用状态剖面参考图”所示，B部为多孔质膜，C部为粘着层，D部为基材，E部为本产品，F部为基板，G部为半导体元件，H部为掀起部。

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