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31. 发明申请

US20140192449A1 SHORT-CIRCUIT PROTECTION CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：短路保护电路
公开(公告)号：US20140192449A1
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：US14126308
申请日：2012-07-10
申请人： Naoki Shimizu
发明人： Naoki Shimizu
IPC分类号： H03K17/081
CPC分类号： H03K17/08112 , H02M1/08 , H02M1/36 , H03K17/0828
摘要： Provided is a short-circuit protection circuit having a mask circuit which can reduce a turn-on loss of a voltage-driven type semiconductor device during turn-on operation of the voltage-driven type semiconductor device. A mask circuit (21) is provided to suspend operation of an NLU circuit (24) during turn-on operation of a voltage-driven semiconductor device (1). Accordingly, the voltage-driven type semiconductor device (1) can be driven sufficiently so that a turn-on loss can be reduced.
摘要翻译：提供一种具有掩模电路的短路保护电路，其可以在电压驱动型半导体器件的导通操作期间减小电压驱动型半导体器件的导通损耗。提供了一种掩模电路（21），用于在电压驱动的半导体器件（1）的导通操作期间暂停NLU电路（24）的操作。因此，可以充分驱动电压驱动型半导体器件（1），从而能够降低导通损耗。

32. 发明授权

US5153464A BiCMOS tri-state output buffer 失效
标题翻译： BICMOS三态输出缓冲器
公开(公告)号：US5153464A
公开(公告)日：1992-10-06
申请号：US627688
申请日：1990-12-14
申请人： Robert Joly
发明人： Robert Joly
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/081 , H03K19/003 , H03K19/0175 , H03K19/082 , H03K19/0944
CPC分类号： H03K19/0826 , H03K17/08112 , H03K19/00307 , H03K19/09448
摘要： An improved tri-state output buffer of the type that includes an output stage comprising a pair of bipolar transistors in a totem-pole configuration. A CMOS predriver arrangement includes a circuit configuration for selectively adjusting the resistance between the base and the emitter of the source-follower output transistor. The predriver protects the source-follower from harmful bias effects by selectively adjusting the resistance in the emitter-to-base path of the source-follower.

33. 发明授权

US5059831A Buffer circuit with an electrostatic protector 失效
标题翻译：缓冲电路与静电保护器
公开(公告)号：US5059831A
公开(公告)日：1991-10-22
申请号：US494315
申请日：1990-03-16
申请人： Masashi Itoh
发明人： Masashi Itoh
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L27/06 , H03K17/081 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/62
CPC分类号： H03K17/08112 , H03K17/16 , H03K17/603 , H03K17/6242 , H03K17/6271
摘要： A buffer circuit comprises an interface node, a bipolar transistor having a collector connected to a first power source, an emitter connected to a second power source, and a base, for transferring a signal supplied to and from the interface node, and a diode structure formed between the emitter and base of the bipolar transistor, the diode structure containing a PN junction reversely coupled across the emitter-base junction of the bipolar transistor.

34. 发明专利

JP5499792B2 Sensor output integrated circuit and sensor device 有权
公开(公告)号：JP5499792B2
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：JP2010056628
申请日：2010-03-12
申请人：オムロン株式会社
发明人：康允小西
IPC分类号： H03K17/08 , G01K7/00 , G01K7/01 , H03K17/14 , H03K17/687 , H03K17/94
CPC分类号： H03K17/08112 , H03K17/08126

35. 发明专利

JPWO2013008452A1 短絡保護回路有权
标题翻译：短路保护电路
公开(公告)号：JPWO2013008452A1
公开(公告)日：2015-02-23
申请号：JP2013523828
申请日：2012-07-10
申请人：富士電機株式会社
发明人：清水　直樹 , 直樹清水
IPC分类号： H02M1/00
CPC分类号： H03K17/08112 , H02M1/08 , H02M1/36 , H03K17/0828
摘要：電圧駆動型半導体素子のターンオン動作時において、電圧駆動型半導体素子のターンオン損失を小さくできるマスク回路を有する短絡保護回路を提供する。マスク回路(21)を設けることにより、電圧駆動型半導体素子(1)のターンオン動作時のNLU回路(24)の動作を停止させ、電圧駆動型半導体素子(1)を十分にドライブすることで、ターンオン損失の低下を図ることができる。
摘要翻译：过程中的电压驱动型半导体元件的导通操作，以提供具有一个屏蔽电路，可以降低导通电压驱动半导体元件的损失的短路保护电路。通过提供掩蔽电路（21），NLU电路的操作期间导通（1）（24）停止所述电压驱动型半导体元件的操作中，电压驱动型半导体元件（1）由足够驱动，它可以降低导通损耗。

36. 发明专利

JP2011193158A Sensor output ic and sensor device 有权
标题翻译：传感器输出IC和传感器设备
公开(公告)号：JP2011193158A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：JP2010056628
申请日：2010-03-12
申请人： Omron Corp , オムロン株式会社
发明人： KONISHI KOIN
IPC分类号： H03K17/14 , G01K7/00 , G01K7/01 , H03K17/00 , H03K17/08
CPC分类号： H03K17/08112 , H03K17/08126
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a load short-circuit protection function while reducing the circuit scale and production cost of a sensor device than ever before. SOLUTION: A sensor output IC 10 includes an output transistor 11 that turns on and off output terminals based on a detection signal from a sensor. The sensor output IC 10 includes a temperature-limiting circuit 13 and a voltage-limiting circuit 15. When a temperature at the sensor output IC 10 becomes a predetermined value or more, the temperature-limiting circuit 13 maintains the output transistor 11 in an off state, and the voltage-limiting circuit 15 limits a base potential V B at the output transistor 11 to a predetermined value or less. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供负载短路保护功能，同时降低传感器设备的电路规模和生产成本。解决方案：传感器输出IC10包括输出晶体管11，其根据来自传感器的检测信号接通和断开输出端子。传感器输出IC10包括温度限制电路13和限压电路15.当传感器输出IC 10的温度达到规定值以上时，限温电路13使输出晶体管11保持关闭状态，并且限压电路15将输出晶体管11的基极电位V SB B 限制在预定值以下。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

37. 发明专利

JP5729472B2 短絡保護回路有权
标题翻译：短路保护电路
公开(公告)号：JP5729472B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2013523828
申请日：2012-07-10
申请人：富士電機株式会社
发明人：清水直樹
IPC分类号： H02M1/00
CPC分类号： H03K17/08112 , H02M1/08 , H02M1/36 , H03K17/0828

38. 发明公开

EP2367288A1 Sensor output IC and sensor device 有权
标题翻译： Sensorausgabe-IC和Sensorvorrichtung
公开(公告)号：EP2367288A1
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：EP10189085.3
申请日：2010-10-27
申请人： Omron Corporation
发明人： Konishi, Yasuchika
IPC分类号： H03K17/081 , H03K17/0812
CPC分类号： H03K17/08112 , H03K17/08126
摘要： A load-short-circuit protection function is realized while a circuit scale and production cost of a sensor device are reduced than ever before. A sensor output IC (10) includes an output transistor (11) that turns on and off between output terminals based on a detection signal from a sensor (120). The sensor output IC (10) includes a temperature-limiting circuit (13) and a voltage-limiting circuit (15). When a temperature at the sensor output IC (10) becomes a predetermined value or more, the temperature-limiting circuit (13) maintains the output transistor (11) in an off state, and the voltage-limiting circuit (15) limits a base potential (V B ) at the output transistor (11) to a predetermined value or less.
摘要翻译：在传感器设备的电路规模和生产成本比以往任何时候都要降低的同时实现负载短路保护功能。传感器输出IC（10）包括基于来自传感器（120）的检测信号的输出端子之间的导通和截止的输出晶体管（11）。传感器输出IC（10）包括温度限制电路（13）和限压电路（15）。当传感器输出IC（10）的温度变为预定值以上时，限温电路（13）将输出晶体管（11）保持在断开状态，并且限压电路（15）限制基极电位（VB）在预定值以下。

39. 发明公开

EP0602496A1 Tristate-fähige Treiberschaltung 失效
标题翻译： Tristate-fähigeTreiberschaltung。
公开(公告)号：EP0602496A1
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：EP93119637.2
申请日：1993-12-06
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Berthold, Jörg, Dr. , Nebel, Gerhard , Schmitt-Landsiedel, Doris, Dr.
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/003 , H03K17/08
CPC分类号： H03K17/08112 , H03K19/00307 , H03K19/09429 , H03K19/09448
摘要： Die Erfindung betrifft eine Tristate-fähige Treiberschaltung (Totem-Pole-Schaltung) in BiCMOS-Technik, mit einer Auswahlschaltung (AS), einer ersten und zweiten Ansteuerschaltung (AN1, AN2) sowie einem ersten und zweiten Bipolartransistor (QN1, QN2), bei der mit Hilfe eines Kurzschluß-Mittels (TG) zwischen der Basis (B1) und dem Emitter (E1) des einen Bipolartransistors (QN1) eine für diesen Bipolartransistor zu hohe Sperrspannung dadurch vermieden wird, daß das Kurzschlußmittel, abhängig von einem Signal an einem Tristate-Aktivierungseingang (T) die betreffende Basis mit dem betreffenden Emitter zeitweise kurzschließt.
摘要翻译：本发明涉及BiCMOS技术中的三态驱动电路（图腾柱电路），具有选择电路（AS），第一和第二驱动电路（AN1，AN2）以及第一和第二双极晶体管（QN1，QN2）借助于双极晶体管的基极（B1）和发射极（E1）之间的短路装置（TG），借助于这种双极型晶体管的发射极（E1），避免了对于一个双极晶体管（QN1）太高的阻断电压短路意味着根据三态激活输入（T）上的信号暂时将相关基极短路到相关发射极。

40. 发明公开

EP0490243A1 BICMOS tri-state output buffer 失效
标题翻译： BICMOS，三态 - Ausgangstreiber。
公开(公告)号：EP0490243A1
公开(公告)日：1992-06-17
申请号：EP91120784.3
申请日：1991-12-03
申请人： Hewlett-Packard Company
发明人： Joly, Robert
IPC分类号： H03K19/003 , H03K19/082 , H03K17/08
CPC分类号： H03K19/0826 , H03K17/08112 , H03K19/00307 , H03K19/09448
摘要： A BiCMOS tri-state output buffer including logic for preventing reverse biasing of the output transistors. A pair of bipolar transistors (12, 14) are configured as a totem-pole output circuit. A transmission gate (38) provides a controllable-resistance current path between the base and emitter of the emitter-follower transistor (12). Logic circuitry (26, 54, 44, 46) causes the resistance of the path to go low when the circuit is in its disabled or high-impedance "off" state and when the output undergoes a high-to-low transition when the circuit is not disabled, thereby preventing reverse bias of the emitter-follower output transistor.
摘要翻译： BiCMOS三态输出缓冲器，包括用于防止输出晶体管的反向偏置的逻辑。一对双极晶体管（12,14）被配置为图腾柱输出电路。传输门（38）在射极跟随器晶体管（12）的基极和发射极之间提供可控电阻电流通路。逻辑电路（26,54,44,46）使得当电路处于其禁止或高阻抗“关”状态时路径的电阻变低，并且当电路在电路处于高电平到低电平时不被禁止，从而防止射极跟随器输出晶体管的反向偏置。

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