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41. 发明专利

JP2013519231A High injection efficiency polar and non-polar iii nitride light emitting element 审中-公开
公开(公告)号：JP2013519231A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2012552064
申请日：2011-02-02
申请人：オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：キシン，ミハイル，ブイ , エル−ゴーロウリー，フセイン，エス
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
摘要：極性及び非極性の両方のＩＩＩ族窒化物発光構造において、注入効率は発光素子の多重ＱＷ（ＭＱＷ）活性領域における異なる量子井戸（ＱＷ）の不均一分布によって強力に低下する。不均一なＱＷ分布は、活性ＱＷが深い長波長発光素子の方が強くなる。極性及び非極性のいずれの構造でも、活性領域の光導波路層及び／又は障壁層へのインジウム及び／又はアルミニウム取り込みは、発光すべき所望の波長に応じて、ＱＷ分布の均一性を改善し、構造注入効率を向上する。

42. 发明申请

WO2011097325A2 HIGH INJECTION EFFICIENCY POLAR AND NON-POLAR III-NITRIDES LIGHT EMITTERS 审中-公开
标题翻译：高注射效率极性和非极性III型硝酸盐光发射体
公开(公告)号：WO2011097325A2
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/US2011/023514
申请日：2011-02-02
申请人： OSTENDO TECHNOLOGIES, INC. , KISIN, Mikhail, V. , EL-GHOROURY, Hussein, S.
发明人： KISIN, Mikhail, V. , EL-GHOROURY, Hussein, S.
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
摘要： Injection efficiency in both polar and non-polar Ill-nitride light-emitting structures is strongly deteriorated by inhomogeneous population of different quantum wells (QWs) in multiple QW (MQW) active region of the emitter. Inhomogeneous QW population becomes stronger in long-wavelength emitters with deeper active QWs. In both polar and non-polar structures, indium and/or aluminum incorporation into optical waveguide layers and/or barrier layers of the active region, depending on the desired wavelength of the light to be emitted, improves the uniformity of QW population and increases the structure injection efficiency.
摘要翻译：极性和非极性III族氮化物发光结构中的注入效率由于在发射极的多个QW（MQW）有源区中的不同量子阱（QW）的不均匀群体而强烈地恶化。具有较深活性质量分数的长波长发射体的不均匀QW群体变得更强。在极性和非极性结构中，根据所要发射的光的期望波长，铟和/或铝结合到有源区的光波导层和/或势垒层中，改善了QW群体的均匀性并增加了结构注射效率。

43. 发明申请

WO2006062880A3 NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING HETEROSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：基于氮化物的发光结构
公开(公告)号：WO2006062880A3
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/US2005043866
申请日：2005-12-05
申请人： SENSOR ELECTRONIC TECH INC , GASKA REMIGIJUS , ZHANG JIANPING , SHUR MICHAEL
发明人： GASKA REMIGIJUS , ZHANG JIANPING , SHUR MICHAEL
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/105 , H01S5/2009 , H01S5/3216 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/34333 , H01S5/34346
摘要： An improved nitride-based light emitting heterostructure is provided. The nitride-based light emitting heterostructure includes an electron supply layer and a hole supply layer with a light generating structure disposed there between. The light generating structure includes a set of barrier layers, each of which has a graded composition and a set of quantum wells, each of which adjoins at least one barrier layer. Additional features, such as a thickness of each quantum well, can be selected/incorporated into the heterostructure to improve one or more of its characteristics. Further, one or more additional layers that include a graded composition can be included in the heterostructure outside of the light generating structure. The graded composition layer(s) cause electrons to lose energy prior to entering a quantum well in the light generating structure, which enables the electrons to recombine with holes more efficiently in the quantum well.
摘要翻译：提供了一种改进的基于氮化物的发光异质结构。氮化物系发光异质结构包括电子供给层和在其间设置有发光结构的空穴供给层。光产生结构包括一组阻挡层，每个阻挡层具有梯度组成和一组量子阱，每个量子阱邻接至少一个势垒层。诸如每个量子阱的厚度的其它特征可以被选择/并入到异质结构中以改善其特征中的一个或多个。此外，包括渐变组合物的一个或多个附加层可以包含在发光结构外部的异质结构中。渐变组分层在光生成结构中进入量子阱之前导致电子失去能量，这使得电子能够在量子阱中更有效地与空穴重新结合。

44. 发明申请

WO2006104392A2 NEW OPTICAL DEVICES USING A PENTERNARY III-V MATERIAL SYSTEM 审中-公开
标题翻译：使用三维III-V材料系统的新型光学器件
公开(公告)号：WO2006104392A2
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/NO2006/000118
申请日：2006-03-30
申请人： INTOPTO A/S , BUGGE, Renato
发明人： BUGGE, Renato
IPC分类号： H01S5/323 , H01S5/343 , H01S5/10 , G02B6/125
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , G02B6/125 , G02B2006/1215 , G02B2006/12176 , H01S5/10 , H01S5/1003 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S5/34346
摘要： The invention relates to the design and processing of a semiconductor optical device. The device is formed of at least four layers of III-V compounds in which one consists of the penternary AlGaInAsSb material. The structure is wet etched in order to form optical ridge waveguides (1). One such device has incorporated two waveguides which are connected through a new junction design (3)(5) which can be made by wet etching (2). In one design the junction and waveguides consists of wet etched Al 0 . 90 Ga 0 . 10 AsSb cladding around a core of Al 0.28 Ga 0 . 72 AsSb (6) in which an active layer composed of Al 0 . 22 In 0.22 Ga 0 . 55 AsSb/ In 0.29 Ga 0 . 71 AsSb quantum wells is embedded (4). The resulting device is a ridge junction laser (10) which has single mode emission and emits a narrow line width. We made and tested a device in the 2.34µm to 2.375µm wavelength area and found it to have an emission line width of around 0.5nm (18).
摘要翻译：本发明涉及半导体光学器件的设计和处理。该装置由至少四层III-V族化合物形成，其中一层由五元AlGaInAsSb材料组成。为了形成光脊波导（1），将结构湿式蚀刻。一个这样的器件已经结合了两个波导，其通过新的接合设计（3）（5）连接，其可以通过湿式蚀刻（2）制成。在一种设计中，结和波导由湿式蚀刻的Al O 3组成。其中由Al 2 O 3构成的活性层为Al 2 O 3的核心。在嵌入式（4）AsSb量子阱。所得到的器件是具有单模发射并且发射窄线宽度的脊结激光器（10）。我们制造并测试了2.34μm至2.375μm波长区域的器件，发现其发射线宽度约为0.5nm（18）。

45. 发明申请

WO2006052068A1 NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006052068A1
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：PCT/KR2005/003702
申请日：2005-11-04
申请人： LG INNOTEK CO., LTD , YANG, Seung, Huyn
发明人： YANG, Seung, Huyn
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/30
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02436 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S5/34346 , H01S5/34386 , H01S2301/04
摘要： A nitride semiconductor light emitting device including: a first nitride semiconductor layer; an active layer formed on the first nitride semiconductor layer and including at least one barrier layer grown under hydrogen atmosphere of a high temperature; and a second nitride semi conductor layer formed on the active layer, and a method of fabricating the same are provided. According to the light emitting device and method of fabricating the same, the light power of the light emitting device is increased and the operation reliability is enhanced.
摘要翻译：一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层; 形成在所述第一氮化物半导体层上并且包括在高温氢气氛下生长的至少一个势垒层的有源层; 以及形成在有源层上的第二氮化物半导体层及其制造方法。根据发光装置及其制造方法，发光装置的光功率增加，操作可靠性提高。

46. 发明申请

WO2006014308A1 METHOD FOR INCREASING MAXIMUM MODULATION SPEED OF A LIGHT EMITTING DEVICE, AND LIGHT EMITTING DEVICE WITH INCREASED MAXIMUM MODULATION SPEED AND QUANTUM WELL STRUCTURE THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于增加发光装置的最大调制速度的方法和具有增加的最大调制速度和量子阱结构的发光装置
公开(公告)号：WO2006014308A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/US2005/023292
申请日：2005-06-29
申请人： AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
发明人： TANDON, Ashish , TAN, Michael, R., T. , CHANG, Ying-Lan
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18358 , H01S5/2009 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S5/34353 , H01S5/34386
摘要： The method comprises forming barrier layers (610 and 650) of Al x Ga l - x As, forming a quantum well layer (630) of InGaAs between the barrier layers, and forming an interfacial layer (620) between the quantum well layer and each of the barrier layers.
摘要翻译：该方法包括形成Al的阻挡层（610和650）

47. 发明申请

WO2002078144A1 半導体装置及び結晶成長方法审中-公开
标题翻译：半导体器件和晶体生长方法
公开(公告)号：WO2002078144A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2002/002739
申请日：2002-03-22
申请人：シャープ株式会社 , 高橋幸司
发明人：高橋幸司
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02458 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/182 , H01S5/1003 , H01S5/2231 , H01S5/32366 , H01S5/343 , H01S5/34306 , H01S5/34346 , H01S2304/00
摘要： A semiconductor laser device (100), characterized in that it has, as its well layer, a III-V compound semiconductor layer (106) comprising nitrogen, antimony and one or more V Group elements except nitrogen and antimony as the V Group components thereof; and a method for crystal growth for forming the III-V compound semiconductor layer, characterized in that it comprises a step comprising supplying a plurality of materials including indium simultaneously and a step comprising supplying a plurality of materials including antimony and excluding indium simultaneously, and the two steps are repeatedly carried out.
摘要翻译：一种半导体激光装置（100），其特征在于，作为其阱层，具有除了氮和锑之外的包含氮，锑和一种或多种V族元素的III-V族化合物半导体层（106）作为其V族组分 ; 以及用于形成III-V族化合物半导体层的晶体生长方法，其特征在于，其包括同时提供多种包括铟的材料的步骤，以及包括同时供给多种包括锑和不含铟的材料的步骤，以及反复进行两个步骤。

48. 发明申请

WO2014018599A1 TERAHERTZ QUANTUM CASCADE LASER WITH DIFFERENCE-FREQUENCY GENERATION 审中-公开
标题翻译：具有差分频率产生的TERAHERTZ量子速度激光器
公开(公告)号：WO2014018599A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/US2013/051780
申请日：2013-07-24
申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
发明人： BELKIN, Mikhail , ADAMS, Robert , AMANN, Markus, Christian , VIZBARAS, Augustinas
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/30 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/2031 , B82Y20/00 , H01S5/0208 , H01S5/0421 , H01S5/0604 , H01S5/1085 , H01S5/18 , H01S5/3401 , H01S5/3402 , H01S5/34313 , H01S5/34346 , H01S2301/145 , H01S2302/02
摘要： A terahertz source implementing a Čerenkov difference-frequency generation scheme in a quantum cascade laser. The laser includes an undoped or semi-insulating InP substrate with an exit facet that is polished at an angle between 10° to 40°. The laser further includes a first waveguide cladding layer(s) in contact with an active layer (arranged as a multiple quantum well structure) and a current extraction layer on top of the substrate. Furthermore, the laser includes a second waveguide cladding layer(s) on top of the active layer, where the first and second waveguide cladding layers are disposed to form a waveguide structure by which terahertz radiation generated in the active layer is guided inside the laser. The terahertz radiation is emitted into the substrate at a Čerenkov angle relative to a direction of the nonlinear polarization wave in the active layer, and once in the substrate, propagates towards the exit facet.
摘要翻译：在量子级联激光器中实现Cerenkov差分频率产生方案的太赫兹源。激光器包括具有出口小面的未掺杂或半绝缘的InP衬底，其以10°至40°的角度抛光。激光器还包括与有源层（排列为多量子阱结构）接触的第一波导包层和在衬底的顶部上的电流提取层。此外，激光器包括在有源层顶部上的第二波导覆层，其中第一和第二波导覆层被设置成形成波导结构，通过该波导结构在激光器内部引导有源层中产生的太赫兹辐射。相对于有源层中的非线性偏振波的方向，太赫兹辐射以Cerenkov角发射到衬底中，并且一旦在衬底中向着出射面传播。

49. 发明申请

WO2009100943A1 INFRAROT-HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：红外半导体激光
公开(公告)号：WO2009100943A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/EP2009/001066
申请日：2009-02-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , RÖSENER, Benno
发明人： SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , RÖSENER, Benno
IPC分类号： H01S5/04 , H01S5/343 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S5/3407 , H01S5/34306 , H01S5/34346
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit zumindest einem Quantenfilm, in welchem Elektron-Loch-Paare rekombinierbar sind, mit zumindest zwei Barrierenschichten zwischen denen jeweils einer der zumindest einen Quantenfilme, an diese flächig direkt oder über je einen Zwischenfilm angrenzend, angeordnet ist, sowie mit einer Pumpvorrichtung, wobei die Barriereschichten Al z Ga 1-z As y Sb 1-y , mit y grösser oder gleich Null oder kleiner oder gleich Eins und z kleiner oder gleich Eins und grösser als 0.4, aufweisen und daraus bestehen, und/oder Al z Ga u In v As y Sb 1-y mit z + u + v = 1 und z grösser als 0.25 aufweisen und daraus bestehen, wobei mit der Pumpvorrichtung die Elektron-Loch- Paare unmittelbar im Quantenfilm erzeugbar sind. Die Barriereschichten weisen einen möglichst geringen Ga-Anteil und einen möglichst hohen A1-Anteil auf.
摘要翻译：本发明涉及具有至少一个量子膜的半导体激光器，其中的电子 - 空穴对复合，与在它们之间的至少一个量子膜中的每一个，这是直接或通过相应的中间膜设置在相邻的表面上的至少两个阻挡层，和泵装置，其特征在于，Alz的GA1-zAsySb1-y，其中y是大于或等于零，或者小于或等于1且z小于或等于1且大于0.4，并且还通过由其的势垒层和/或AlzGauInvAsySb1-γùZ + + v = 1和z是大于0.25，和包括，电子 - 空穴对直接与泵装置在量子膜中产生。所述势垒层具有非常低的Ga含量和最高可能的A1份额。

50. 发明申请

WO2006062880A2 NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING HETEROSTRUCTURE 审中-公开
标题翻译：基于氮化物的发光结构
公开(公告)号：WO2006062880A2
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/US2005/043866
申请日：2005-12-05
申请人： SENSOR ELECTRONIC TECHNOLOGY, INC. , GASKA, Remigijus , ZHANG, Jianping , SHUR, Michael
发明人： GASKA, Remigijus , ZHANG, Jianping , SHUR, Michael
IPC分类号： H01L31/109
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/105 , H01S5/2009 , H01S5/3216 , H01S5/3407 , H01S5/3415 , H01S5/34333 , H01S5/34346
摘要： An improved nitride-based light emitting heterostructure is provided. The nitride-based light emitting heterostructure includes an electron supply layer and a hole supply layer with a light generating structure disposed there between. The light generating structure includes a set of barrier layers, each of which has a graded composition and a set of quantum wells, each of which adjoins at least one barrier layer. Additional features, such as a thickness of each quantum well, can be selected/incorporated into the heterostructure to improve one or more of its characteristics. Further, one or more additional layers that include a graded composition can be included in the heterostructure outside of the light generating structure. The graded composition layer(s) cause electrons to lose energy prior to entering a quantum well in the light generating structure, which enables the electrons to recombine with holes more efficiently in the quantum well.
摘要翻译：提供了一种改进的基于氮化物的发光异质结构。氮化物系发光异质结构包括电子供给层和在其间设置有发光结构的空穴供给层。光产生结构包括一组阻挡层，每个阻挡层具有梯度组成和一组量子阱，每个量子阱邻接至少一个势垒层。诸如每个量子阱的厚度的其它特征可以被选择/并入到异质结构中以改善其一个或多个特性。此外，包括渐变组合物的一个或多个附加层可以包含在发光结构外部的异质结构中。渐变组分层在光生成结构中进入量子阱之前导致电子失去能量，这使得电子能够在量子阱中更有效地与空穴重新结合。

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