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51. 发明专利

JP6046209B2 複数の電極パッドを有する発光ダイオード有权
标题翻译：具有多个电极焊盘的发光二极管
公开(公告)号：JP6046209B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2015109013
申请日：2015-05-28
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：徐源哲 , ▲葛▼ 大成 , ▲丙▼ ▲景▼ 熙 , 金京完 , 尹餘鎭
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016

52. 发明专利

JP5947183B2 p型化合物半導体層の形成方法有权
标题翻译：形成p型化合物半导体层的方法
公开(公告)号：JP5947183B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2012223419
申请日：2012-10-05
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：ナム、キボム , キム、ファモク , スペック、ジェームズエス.
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262

53. 发明专利

JP2016074585A 基板分離成長のための空洞を有するエピタキシャル層ウエハ及びそれを用いて製造された半導体素子有权
标题翻译：具有用于分离生长基底的孔的外延层形成膜和使用其制造的半导体元件
公开(公告)号：JP2016074585A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2015196120
申请日：2015-10-01
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：ジャン、ジョンミン , リ、キュホ , ハン、チャンスク , キム、ファモク , ス、デウン , イン、チヒュン , チェ、ジョンヒョン
IPC分类号： H01L33/02 , C30B29/38 , C23C16/34 , C23C16/04 , C30B25/04
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/0657 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/0095
摘要：【課題】ケミカルリフトオフやストレスリフトオフ技法を適用できるように成長基板とエピタキシャル層との間に相対的に大きな空洞を有するエピタキシャルウエハの製造方法の提供。【解決手段】、基板21と、基板21上に位置し、マスキング領域25aと開口部領域と25bを有するマスクパターン25と、マスクパターン25を覆うエピタキシャル層28と、を含み、このエピタキシャル層28は、マスキング領域25a上に位置し、ケミカルリフトオフ又はストレスリフトオフ技法を適用してエピタキシャル層28を成長基板21から容易に分離するための空洞28a、28bを含むエピタキシャルウエハ。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造在生长衬底和外延层之间具有相对较大空腔的外延晶片的方法，以便施加化学剥离和应力剥离技术。解决方案：外延晶片包括：衬底21; 位于基板21上并具有掩模区域25a和开口区域25b的掩模图案25; 以及覆盖掩模图案25的外延层28.外延层28位于掩模区域25a上，并且包括空腔28a和28b，用于通过施加化学剥离或应力剥离技术容易地将外延层28与生长衬底21分离。图：图1

54. 发明专利

JP5869678B2 発光ダイオード及びそれを製造する方法有权
标题翻译：发光二极管及其制造的方法
公开(公告)号：JP5869678B2
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2014530591
申请日：2012-09-14
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：チェ, ジョンヒョン , チャン, ジョンミン , ノ, ウォンヨン , ソ, デウン , チョ, デソン , イ, ジュンソプ , イ, キュホ , イン, チヒュン
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0058 , H01L33/08

55. 发明专利

JP5844685B2 p型窒化ガリウムアルミニウム半導体の製造方法有权
标题翻译：制造p型氮化镓铝半导体的方法
公开(公告)号：JP5844685B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2012104734
申请日：2012-05-01
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：酒井士郎 , イヒソブ
IPC分类号： H01L33/32 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205

56. 发明专利

JP2016006896A 発光ダイオードの製造方法有权
标题翻译：制造发光二极管的方法
公开(公告)号：JP2016006896A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2015153856
申请日：2015-08-04
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：ソ,ウォンチョル , チョ,デソン , リ,チュンフン , ナム,キブム
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/42 , H01L33/20 , H01L21/308 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/382
摘要：【課題】窒化ガリウム成長基板を除去した垂直型構造の高効率発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】窒化ガリウム基板11上に第1の窒化ガリウム層13、窒化ガリウム層に比べて狭いバンドギャップを有する犠牲層15、及び第2の窒化ガリウム層17を形成し、第2の窒化ガリウム層及び犠牲層を貫通する溝19を形成し、第2の窒化ガリウム層上に窒化ガリウム系列の各半導体層を成長させることによって半導体積層構造体30を形成し、半導体積層構造体上に支持基板31を形成し、犠牲層をエッチングすることによって半導体積層構造体から窒化ガリウム基板を除去する。溝を用いて犠牲層をエッチングするので、支持基板にダメージを与えずに半導体積層構造体から分離することができる。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造高效氮化镓生长衬底的垂直型结构的发光二极管的方法，其中氮化镓生长衬底被去除。解决方案：一种制造发光二极管的方法包括：步骤：在氮化镓衬底11上形成第一氮化镓层13; 在带隙中形成比氮化镓层窄的牺牲层15; 形成第二氮化镓层17; 形成穿过第二氮化镓层和牺牲层的槽19; 在第二氮化镓层上生长氮化镓基半导体层，从而形成半导体叠层结构30; 在半导体层叠结构上形成支撑基板31; 并蚀刻牺牲层，从而从半导体层叠结构去除氮化镓衬底。该方法被布置成使得牺牲层用凹槽蚀刻。因此，可以在不损坏支撑基板的情况下进行与半导体层叠结构的分离。

57. 发明专利

JP2015152601A 皮膚状態診断装置およびこれを用いた皮膚状態診断方法审中-公开
标题翻译：皮肤状况诊断装置及使用其的皮肤状况诊断方法
公开(公告)号：JP2015152601A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2015025784
申请日：2015-02-12
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：パク,ステラ , ス,デウォン
IPC分类号： A61B5/107 , G01N21/64 , G01N21/33
CPC分类号： A61B5/443 , A61B5/0071 , A61B5/4875
摘要：【課題】非破壊方法によって皮膚状態を容易に診断する装置および方法を提供する。特に、光分析方法によって皮膚の表皮に集中している特定成分を分析し、光情報から分析された特定成分が光情報に及ぼす影響を除去することにより、皮膚の内部情報を正確に把握することのできる装置および方法を提供する。【解決手段】皮膚状態診断方法において、少なくとも1つの発光ダイオードを含む光源を用意する。光源を用いて皮膚に光を照射する。光検出器を用いて、皮膚を経て放出される光を受信する。他の側面による皮膚状態診断装置は、少なくとも1つの発光ダイオードを含み、発光ダイオードから放出される光を皮膚に照射する光源と、皮膚を経て放出される光を受信する光検出器と、受信された光を利用して皮膚の構成成分を算出する演算装置とを含み、演算装置は、受信された光情報から、表皮の特定成分が及ぼす情報を除去する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过非破坏性方法容易地诊断皮肤状况的装置和方法，更具体地，提供一种通过光学分析来分析集中在皮肤表皮中的特定成分的装置和方法方法，消除由于从光学信息分析的特定成分对光学信息的影响，从而使得能够正确地掌握皮肤上的内部信息。解决方案：在皮肤状态诊断方法中，制备光源，其包括至少一个光发光二极管，光源用于照射皮肤。光检测器用于接收通过皮肤发出的光。根据另一方面的包括至少一个发光二极管的皮肤状态诊断装置包括：从所述发光二极管发射的光照射所述皮肤的光源; 光学检测器，其接收通过皮肤发出的光; 以及使用所接收的光来计算皮肤的构成成分的计算装置。计算装置被配置为从接收的光学信息中消除受表皮的特定部件影响的信息。

58. 发明专利

JP5755885B2 複数の電極パッドを有する発光ダイオード有权
标题翻译：具有多个电极焊盘的发光二极管
公开(公告)号：JP5755885B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2011000833
申请日：2011-01-05
申请人：ソウルバイオシスカンパニーリミテッド , SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
发明人：徐源哲 , ▲葛▼ 大成 , ▲丙▼ ▲景▼ 熙 , 金京完 , 尹餘鎭
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016

59. 发明专利

JP2014110431A Nitride semiconductor layer growth method and nitride semiconductor element manufacturing method 有权
标题翻译：氮化物半导体层生长法和氮化物半导体元素制造方法
公开(公告)号：JP2014110431A
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：JP2013248530
申请日：2013-11-29
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： KWAK WOO CHUL , CHOI SEUNG KYU , SONG JAE HOON , KIM CHAE HON , JUNG JUNG WHAN
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/0254 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To disclose a nitride semiconductor layer growth method and a nitride semiconductor element manufacturing method.SOLUTION: A nitride semiconductor layer growth method comprises: preparing a gallium nitride substrate including a non-defect region and a defect region; growing a gallium nitride-based defect dispersion suppression layer on the gallium nitride substrate; and growing a gallium nitride-based semiconductor layer on the defect dispersion suppression layer. As a result, dispersion of the defect region on the gallium nitride substrate in the gallium nitride-based semiconductor layer can be inhibited.
摘要翻译：要解决的问题：公开氮化物半导体层生长方法和氮化物半导体元件制造方法。解决方案：氮化物半导体层生长方法包括：制备包括非缺陷区域和缺陷区域的氮化镓衬底; 在氮化镓衬底上生长氮化镓基缺陷色散抑制层; 以及在所述缺陷色散抑制层上生长氮化镓基半导体层。结果，可以抑制氮化镓系半导体层中的氮化镓衬底上的缺陷区域的分散。

60. 发明专利

JP2014078750A Light-emitting element and manufacturing method of the same 审中-公开
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014078750A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：JP2013268681
申请日：2013-12-26
申请人： Seoul Viosys Co Ltd , ソウルバイオシスカンパニーリミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
发明人： SEO WON CHEOL , LEE SUM GEUN
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/46
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting element and a manufacturing method of the same, which improve luminous efficiency.SOLUTION: A light-emitting element comprises: a substrate 151; a first light-emitting cell S1 and a second light-emitting cell S2 each including a first conductivity type upper semiconductor layer 125, an active layer 127, a second conductivity type lower semiconductor layer 129 and a hole 130a which pierces the second conductivity type lower semiconductor layer 129 and the active layer 127 to expose the first conductivity type upper semiconductor layer 129; and a connector 135 arranged between the first light-emitting cell S1 and the substrate 151 and between the second light-emitting cell S2 and the substrate 151, for electrically connecting the first light-emitting cell S1 and the second light-emitting cell S2. The hole 130a of the first light-emitting cell S1 and the hole 130a of the second light-emitting cell S2 are located in respective central regions of the light-emitting cells. The connector 135 electrically connects the second conductivity type lower semiconductor layer 129 of the first light-emitting cell S1 and the first conductivity type upper semiconductor layer 125 of the second light-emitting cell S2, which is exposed in the hole 130a.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高发光效率的发光元件及其制造方法。解决方案：发光元件包括：基板151; 每个包括第一导电类型上半导体层125，有源层127，第二导电类型下半导体层129和第二导电类型下半导体层129的孔130a的第一发光单元S1和第二发光单元S2 半导体层129和有源层127，以暴露第一导电类型上半导体层129; 以及布置在第一发光单元S1和基板151之间以及第二发光单元S2和基板151之间的用于电连接第一发光单元S1和第二发光单元S2的连接器135。第一发光单元S1的孔130a和第二发光单元S2的孔130a位于发光单元的各自的中心区域。连接器135电连接第一发光单元S1的第二导电类型下半导体层129和暴露在孔130a中的第二发光单元S2的第一导电类型上半导体层125。

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