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    • 56. 发明专利
    • 聚合物、正型光阻劑組成物及光阻劑圖案形成方法
    • 聚合物、正型光阻剂组成物及光阻剂图案形成方法
    • TW201831541A
    • 2018-09-01
    • TW106144550
    • 2017-12-19
    • 日商日本瑞翁股份有限公司ZEON CORPORATION
    • 星野學HOSHINO, MANABU
    • C08F220/22C08F212/08C08F212/14G03F7/039H01L21/027
    • 本案以提供一種聚合物為目的,當所述聚合物作為主鏈切斷型之正型光阻劑使用時,可充分抑制光阻劑圖案倒塌的發生,可良好形成清晰的光阻劑圖案,更可提升靈敏度。本發明之聚合物為具有下述一般式(I)所表示之單體單元(A)及下述一般式(II)所表示之單體單元(B)之聚合物。式(I)中,R1為氟原子數為5以上且7以下之有機基。式(II)中,R2為氫原子、氟原子、非取代之烷基或以氟原子取代之烷基,R3為氫原子、非取代之烷基或以氟原子取代之烷基,p及q為0以上且5以下之整數,p+q=5。
    • 本案以提供一种聚合物为目的,当所述聚合物作为主链切断型之正型光阻剂使用时,可充分抑制光阻剂图案倒塌的发生,可良好形成清晰的光阻剂图案,更可提升灵敏度。本发明之聚合物为具有下述一般式(I)所表示之单体单元(A)及下述一般式(II)所表示之单体单元(B)之聚合物。式(I)中,R1为氟原子数为5以上且7以下之有机基。式(II)中,R2为氢原子、氟原子、非取代之烷基或以氟原子取代之烷基,R3为氢原子、非取代之烷基或以氟原子取代之烷基,p及q为0以上且5以下之整数,p+q=5。