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51. 发明公开

CN102131950A 光感应图案有权转让
公开(公告)号：CN102131950A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133660.4
申请日：2009-06-18
申请人：实用光有限公司
发明人： M·马图索夫斯基 , A·诺伊 , M·菲纳罗夫 , G·迪肖恩
IPC分类号： C23C14/04 , C23C14/28
CPC分类号： B23K26/0738 , B23K26/0006 , B23K26/0821 , B23K26/352 , B23K2101/34 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , B41M5/38207 , B41M5/38221 , B41M2205/02 , C23C14/04 , C23C14/28 , H01L31/022425 , H05K3/0097 , H05K3/207 , H05K2201/0108 , H05K2203/107 , Y02E10/50 , Y10T428/24479 , Y10T428/2457
摘要：一种在接受基板上沉积材料的方法，该方法包括：提供具有背面和正面的源基板，该背面载有至少一块涂层材料；提供接受基板，该接受基板位于邻近该源基板并面向该涂层材料；以及朝着该源基板的正面发射光，以便从源基板移除至少一块涂层材料，并作为整体将所述移除的至少一块沉积到该接受基板之上。

52. 发明授权

CN1714459B 制造半导体器件的方法失效
公开(公告)号：CN1714459B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN03802916.2
申请日：2003-01-30
申请人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
发明人： M·费雷尔 , B·哈恩 , V·海勒 , S·凯泽 , F·奥特 , A·普勒斯尔
IPC分类号： H01L31/18 , H01L33/00 , H01L21/78 , B23K26/00 , H01L21/762 , H01L21/20 , C30B33/00
CPC分类号： B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/42 , C30B33/00 , H01L21/2007 , H01L21/76251 , H01L24/83 , H01L33/0079
摘要：本发明说明用于制造半导体器件尤其是薄层器件的方法，其中通过激光光束照射把半导体层从基片分离开，所述激光光束具有平台样的空间光束特性曲线。此外在分离前把半导体层设置在带有适配的热膨胀系数的载体上。本发明特别适用于含有氮化合物半导体的半导体层。

53. 发明授权

CN100571959C 激光薄膜多晶硅退火光学系统有权转让
公开(公告)号：CN100571959C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200480035030.0
申请日：2004-11-12
申请人： TCZ私营有限公司
发明人：威廉·N·帕特罗 , 帕拉什·P·达斯 , 拉塞尔·赫迪玛 , 迈克尔·托马斯
IPC分类号： B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0738 , B23K26/0732
摘要：公开了一种高能量、高重复率的工件表面加热方法和设备，所述工件表面加热方法和设备可以包括：脉冲XeF激光器，所述脉冲XeF激光器工作在4000Hz或高于4000Hz并在大约351nm的中心波长处产生激光输出光脉冲光束；光学系统，所述光学系统将所述激光输出光脉冲光束窄化为在所述激光输出光脉冲光束的短轴方向上小于20μm，并将所述激光输出光脉冲光束扩展，以在所述光束的长轴方向上形成覆盖所述长轴范围的工件；所述光学系统包括介于所述激光器和所述工件之间的场阑；所述工件包括要被加热的层；其中所述光学系统以足够维持如下的强度分布的放大率将所述激光输出光脉冲光束聚焦在场阑处，即所述强度分布具有足够陡的侧面，以允许场阑在工件上维持足够陡的光束分布而不会在太高的强度水平2上阻挡光束分布。所述设备还包括当所述激光输出光脉冲光束传输到所述工件时所述激光输出光脉冲光束中的高平均功率以及短轴光学组件中的线弓形校正机构。所述线弓形校正机构包括多个弱交叉柱体。所述系统可以包括折反射投影系统。由于激光衍射和发散，所述线宽小于几何限制。所述系统可以投影标称XeF光谱的相邻峰，以通过每个各自的相邻峰的分离的中心波长来提高总体焦深，所述相邻峰在所述工件上具有不同的焦平面。所述系统可以包括在场阑光学组件内和工件投影光学组件内的线弓形校正机构，所述场阑光学组件内的线弓形校正机构在所述场阑平面上校正线弓形，所述工件投影光学组件内的线弓形校正机构在所述工件平面上校正线弓形。

54. 发明公开

CN101517135A 用于优化非晶硅的结晶的系统和方法无效
公开(公告)号：CN101517135A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780029667.2
申请日：2007-07-23
申请人： TCZ私营有限公司
发明人： B·A·特克 , B·伯范德特 , D·S·诺尔斯
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B13/24 , B23K26/0622 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , C30B29/06 , G03F7/70383 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691
摘要：在被配置为使玻璃基底上的硅层退火的薄光束定向结晶系统中，使用特殊的激光光束分布，所述激光光束分布在一个边缘具有强度峰值。该系统完全熔融硅膜的一空间受控的部分，导致横向晶体生长。通过推进基底或者激光器某个步长并且使硅层经受来自激光器的连续逐次“照射”，使整个硅层结晶。横向晶体生长在熔融区域的中心造成凸起，该凸起必须被重新熔融。因此，所述步长必须允许在连续逐次照射之间即熔融区之间具有足够的重叠，以确保凸起被熔融。这要求步长小于光束宽度的一半。较小的步长减小吞吐率而增加成本。根据本文描述的系统和方法所使用的特殊的激光分布可以增加步长，并且由此增加吞吐率且降低成本。

55. 发明授权

CN100530524C 激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法失效
公开(公告)号：CN100530524C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510081724.4
申请日：2005-04-28
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：田中幸一郎 , 山本良明
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/04 , B23K26/0738 , H01L21/02532 , H01L21/02689 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1285
摘要：本发明提供一种激光辐射方法，用于即使被辐射物的厚度不均匀也能够对被辐射物进行均匀的激光辐射。在对具有不均匀厚度的被辐射物进行辐射的情况下，通过使用自动聚焦机构，可以在执行激光辐射的同时使被辐射物和透镜之间的距离保持不变，其中该透镜用于使激光束在被辐射物的表面上聚光。特别是，在用激光束对被辐射物进行辐射时，通过沿被辐射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于激光束移动该被辐射物，在被辐射物沿第一和第二方向移动被辐射物之前，由自动聚焦机构控制被辐射物和透镜之间的距离。

56. 发明授权

CN100468125C 光束均化器和激光辐照装置以及半导体器件制造方法失效
公开(公告)号：CN100468125C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN03158655.4
申请日：2003-09-19
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：田中幸一郎
IPC分类号： G02B27/09 , G02B6/00 , G02B3/06 , H01L21/324 , H01S3/00
CPC分类号： G02B27/0927 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , G02B27/09 , G02B27/0994 , Y10T117/1008
摘要：辐照表面上束斑处的不均匀能量分布是由形成光学系统的柱面透镜阵列的结构问题以及加工精度引起的。根据本发明，在形成矩形束斑的光学系统中，用光导来代替用来均化辐照表面上矩形激光束斑短边方向的能量分布的光学系统。此光导是一种能够将发射的光束限制在一定区域内并平行于其光路轴引导和传输其能量流的通路。

57. 发明授权

CN100440538C 半导体装置和半导体装置制造系统失效
公开(公告)号：CN100440538C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02160521.1
申请日：2002-12-27
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：矶部敦生 , 大力浩二 , 柴田宽 , 小久保千穗 , 荒尾达也 , 早川昌彦 , 宫入秀和 , 下村明久 , 田中幸一郎 , 山崎舜平 , 秋叶麻衣
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02683 , B23K26/032 , B23K26/0608 , B23K26/067 , B23K26/0738 , B23K26/0853 , B23K26/10 , B23K26/702 , B23K2101/40 , H01L21/2026 , H01L27/1281 , H01L29/78603
摘要：具有沉陷和突起的绝缘膜形成于衬底上。半导体膜形成于绝缘膜上。这样，为了用激光晶化，应变集中的部分选择地形成于半导体膜中。更具体地，条形或矩形沉陷和突起提供在半导体膜中。然后，连续波激光沿着形成于半导体膜中的条形沉陷和突起或在矩形长轴或短轴的方向照射。

58. 发明授权

CN100437906C 半导体薄膜的改性方法有权转让许可
公开(公告)号：CN100437906C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410059047.1
申请日：2004-07-29
申请人：株式会社日立显示器
发明人：武田一男 , 佐藤健史 , 斋藤雅和 , 后藤顺
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/66 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/066 , B23K26/0738 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要：提供一种半导体薄膜及其改性方法、评价方法和应用。在用激光退火法形成多晶态半导体的方法中，降低多晶态半导体膜的表面粗糙度。在激光退火装置的光学系统中设置透射率分布滤光器，将形成了非晶态硅半导体薄膜的基板上的扫描方向的照射光强度分布，控制成有高能量光强度侧的微晶阈值以上的能量区和只熔化表层的能量区的分布，通过应用于利用通常的线光束的受激准分子激光退火法、或相位移动条纹掩模法、或SLS法中，能降低用各种方法获得的多晶的表面突起的高度。

59. 发明公开

CN101136429A 半导体薄膜、薄膜晶体管、其制造方法以及半导体薄膜的制造装置失效
公开(公告)号：CN101136429A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148148.X
申请日：2007-08-28
申请人：三菱电机株式会社
发明人：竹口彻 , 由良信介
IPC分类号： H01L29/04 , H01L29/786 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/02675 , B23K26/064 , B23K26/066 , B23K26/0738 , B23K26/082 , B23K26/083 , B23K26/40 , B23K2101/42 , B23K2103/50 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要：本发明的目的是获得具有排列成格子状、间隔大致相等、并且结晶粒径小的晶粒的半导体薄膜、薄膜晶体管、半导体薄膜和薄膜晶体管的制造方法及半导体薄膜的制造装置。本发明的半导体薄膜是通过在非晶半导体薄膜上照射激光(12)多晶化而成。此外，本发明的半导体薄膜中，晶粒(6)排列成格子状。另外，晶粒(6)的大小为激光(12)的振荡波长的大致一半。

60. 发明授权

CN100369149C 薄板的成形方法、薄板以及悬梁的校正装置及其校正方法失效
公开(公告)号：CN100369149C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN03154918.7
申请日：2003-08-25
申请人：日本发条株式会社
发明人：井上胜 , 田中裕规 , 川俣大
IPC分类号： G11B21/21 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0738 , B21D11/20 , Y10T29/49041
摘要：一种薄板的成形方法、薄板以及悬梁的校正装置及其校正方法，可以高精度使悬梁的载荷弯曲部以及角度调整部折曲。在悬梁的载荷弯曲部(202)以及角度调整部上在折曲方向上设定激光照射区域(211)，对该激光照射区域(211)照射给定长度以及形状的激光。这样，由于载荷弯曲部(202)以及角度调整部按照激光照射弯曲，通过控制该激光照射可以高精度进行弯曲，可以获得适当的载荷以及角度。

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