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51. 发明授权

CN101273255B 半导体压力传感器及其制造方法失效
公开(公告)号：CN101273255B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680035358.1
申请日：2006-08-30
申请人：三菱电机株式会社
发明人：出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
摘要：一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。

52. 发明公开

CN101273255A 半导体压力传感器及其制造方法失效
公开(公告)号：CN101273255A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200680035358.1
申请日：2006-08-30
申请人：三菱电机株式会社
发明人：出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
摘要：一种半导体压力传感器，包括：硅支撑衬底(1)、在硅支撑衬底(1)上形成的绝缘层(2)和在绝缘层(2)上形成的硅薄板(3)。在硅支撑衬底(1)中形成沿硅支撑衬底(1)的厚度方向延伸的通孔(1a)。位于通孔(1a)的延长线上的硅薄板(3)用作通过外部压力变形的膜片(23)。绝缘层(2)残留在膜片(23)的整个下表面上。绝缘层(2)的厚度从膜片(23)的外缘部分向中心部分减小。这提供能够同时减小偏移电压和由温度变化导致的输出电压的变化量的半导体压力传感器及其制造方法。

53. 发明公开

CN101233400A 静电电容式压力计的膜片安装结构失效
公开(公告)号：CN101233400A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200680027430.6
申请日：2006-08-02
申请人：堀场斯泰克株式会社
发明人：池田亨
IPC分类号： G01L9/12
CPC分类号： G01L9/0072 , G01L9/0048
摘要：本发明提供一种静电电容式压力计的膜片安装结构，使得因制作容易而能够抑制成本上升，同时能够抑制产生焊接不良和热变形来提高测量精度。本发明是在筒状壳体的一端开口侧张设有承受流体压力用的膜片，并且在与该膜片的受压面相反一侧的筒状壳体内设有将该膜片的挠曲变位作为电容变化而取出的固定侧电极，在该静电电容式压力计中，上述膜片的外周缘部分形成为与中央部分相比壁厚度较厚，将该厚壁外周缘部分热熔融并焊接固定于上述筒状壳体的一端开口周围的端面部上。

54. 发明授权

CN1140781C 压力传感器失效
公开(公告)号：CN1140781C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN00135509.0
申请日：2000-10-27
申请人： TRW车辆电气与零件有限两合公司
发明人：马库斯·阿尔特曼 , 罗伯特·什科夫利亚内茨 , 克莱门斯·米勒
IPC分类号： G01L9/02
CPC分类号： G01L9/0051 , G01L9/0048
摘要：一种压力传感器，包括一传感膜(12)，要探测的液体压力作用在该传感膜的其中一个表面上。传感膜(12)的另一个相对表面被刚性地支承。传感膜是由一种非导电的弹性材料制成，在这种非导电的弹性材料中均匀埋入导电材料的微粒，并以这样的密度分布，即，液体压力对传感膜(12)的压缩能导致传感膜电阻率产生一可测量的变化。

55. 发明申请

WO2019063404A1 DRUCKSENSORCHIP UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2019063404A1
公开(公告)日：2019-04-04
申请号：PCT/EP2018/075444
申请日：2018-09-20
申请人： CIS FORSCHUNGSINSTITUT FÜR MIKROSENSORIK GMBH
发明人： POBERING, Sebastian , TÄSCHNER, Robert , KLEIN, Thomas , LULEICH, Matthias
IPC分类号： G01L9/00 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01L19/06
CPC分类号： G01L9/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/036 , G01L19/0618
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Drucksensorchips (11). Es erfolgt zuerst das Bereitstellen eines ersten Wafers als Sensorplatte(01), in welcher eine Druckkammer (15) des Drucksensorchips ausgebildet werden soll. Es wird eine gewünschte Dicke einer Membran (07) festgelegt, die auf einer Membranseite (02) der Sensorplatte (01) über der Druckkammer (15) erzeugt werden soll. Sodann werden mindestens die folgenden Strukturierungsschritte von einer der Membranseite gegenüberliegenden Öffnungsseite (03) aus ausgeführt, zur Ausbildung der Druckkammer (15): ein erster Strukturierungsschritt, durch welchen im ersten Wafer Strukturen mit Seitenwänden mit einem Flankenwinkel im Bereich 90° ±20° erzeugbar sind, anisotropes nasschemisches Ätzen, sowie nachfolgen isotropes Ätzen. Schließlich wird ein zweiter Wafer als Verstärkungsplatte (12) bereitgestellt und eine Durchgangsöffnung (14) in diese eingebracht. Abschließend wird die Sensorplatte (01) auf der Öffnungsseite (03) mit der Verstärkungsplatte (12) verbunden, wobei die Durchgangsöffnung (14) in die Druckkammer (15) mündet. Die Erfindung betrifft außerdem einen Drucksensorchip (11).

56. 发明申请

WO2018069068A1 MIKROMECHANISCHE DRUCKSENSORVORRICHTUNG UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MIKROMECHANISCHEN DRUCKSENSORVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译： MICRO机械压力传感器器件和用于生产的微观力学压力传感器件对应的方法
公开(公告)号：WO2018069068A1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：PCT/EP2017/074831
申请日：2017-09-29
申请人： ROBERT BOSCH GMBH
发明人： KUGLER, Andreas , LUX, Alexander
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0023 , B81B2201/0264 , B81C2203/0154 , G01L9/0048 , G01L19/147 , H01L23/31
摘要： Die Erfindung schafft eine mikromechanische Drucksensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die mikromechanische Drucksensorvorrichtung umfasst hierbei einen Schaltungsträger und ein mikromechanisches Bauteil, wobei dasmikromechanische Bauteil auf einer Montagefläche des Schaltungsträgers angeordnet ist und an dem mikromechanischen Bauteil mindestens eine drucksensitive Biegestruktur oder Membran ausgebildet ist. Des Weiteren sind das mikroelektronische Bauteil und/oder der Schaltungsträger zumindest bereichsweise mit mindestens einer ausgehärteten Spritzmasse derart umgeben, dass zumindest die mindestens eine drucksensitive Biegestruktur zumindest bereichsweise freiliegt, wobei der Schaltungsträger flexibel ausgebildet ist.
摘要翻译：本发明提供了一种微机械压力传感器装置及相应的制造方法。在这种情况下，微机械压力传感器装置包括一个Schaltungstr＆AUML; GER和微机械部件，其中，在一个Montagefl＆AUML dasmikromechanische组分; Schaltungstr＆AUML的枝;热尔布置，并在微机械部件的至少一个压力敏感的弯曲结构或膜形成。此外，微电子元件和/或Schaltungstr＆AUML; GER至少AUML区域，具有至少一个传出＆; rteten以这样的方式喷雾质谱包围至少部分暴露的至少一个压敏弯曲结构至少，其中所述Schaltungstr熊GER形成的柔性

57. 发明申请

WO2017147234A1 FLIP CHIP PRESSURE SENSOR ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译：翻转芯片压力传感器组件
公开(公告)号：WO2017147234A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/US2017/019024
申请日：2017-02-23
申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人： WADE, Richard
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0048
摘要： A flip chip pressure sensor assembly. The flip chip pressure sensor assembly comprises a substrate; a pressure sensor die comprising a sensing diaphragm, the die having a top side and a bottom side that is reverse to the top side, where the top side of the die is electrically connected to the substrate by flip chip mounting technology; a cover defining an aperture disposed over the pressure sensor die, where the aperture defined by the cover aligns with the sensing diaphragm to provide a path for pressure to be transmitted through the aperture to the bottom side of the sensing diaphragm; and a gel disk disposed within the aperture in intimate contact with a bottom side of the sensing diaphragm, where the gel disk is domed above an outer shoulder of a rim defined by the cover.
摘要翻译：
一种倒装芯片压力传感器组件。该倒装芯片压力传感器组件包括衬底; 包括感测膜片的压力传感器裸片，所述裸片具有与顶侧相反的顶侧和底侧，其中裸片的顶侧通过倒装芯片安装技术电连接到衬底; 盖，其限定布置在压力传感器管芯上方的孔，其中由盖限定的孔与传感膜对齐以提供压力通过孔传递至传感膜的底侧的路径; 以及布置在孔中的凝胶盘，其与感测隔膜的底侧紧密接触，其中凝胶盘在由盖限定的边缘的外肩部上方形成圆顶。

58. 发明申请

WO2015128111A1 DIFFERENZDRUCKMESSAUFNEHMER 审中-公开
公开(公告)号：WO2015128111A1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：PCT/EP2015/050787
申请日：2015-01-16
申请人： ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG
发明人： HÜGEL, Michael , UEHLIN, Thomas , HAHN, Christian
IPC分类号： G01L19/06 , G01L9/02 , G01L19/00
CPC分类号： G01L13/026 , G01L9/0048 , G01L9/025 , G01L19/003 , G01L19/0046 , G01L19/0672
摘要： Ein Differenzdruckmessaufnehmer (1) umfasst einen Messaufnehmerkörper (10); und einen Differenzdrucksensor (40), der in dem Messaufnehmerkörper (10) angeordnet ist, wobei der Messaufnehmerkörper eine Prozessanschlussfläche (11) mit einer ersten Druckeingangsöffnung und einer zweiten Druckeingangsöffnung aufweist, wobei der Differenzdrucksensor (40) durch die erste Druckeingangsöffnung mit einem ersten Druck und durch die zweite Druckeingangsöffnung mit einem zweiten Druck beaufschlagbar ist, wobei die erste Druckeingangsöffnung mit einer ersten Trennmembran (16) verschlossen ist, wobei die zweite Druckeingangsöffnung mit einer zweiten Trennmembran (16) verschlossen ist, wobei die erste Trennmemban mit einer ersten Dichtung (50) gegenüber der Umgebung abgedichtet ist, und wobei die zweite Trennmembran mit einer zweiten Dichtung (50) gegenüber der Umgebung abgedichtet ist, wobei der Differenzdruckmessaufnehmer im Messbetrieb mit seiner Prozessanschlussfläche gegen einen Prozessanschlussflansch gespannt ist, wobei zwischen dem Prozessanschlussflansch und der Prozessanschlussfläche mindestens ein plattenförmiger Abstandhalter (30) mit planparallelen Oberflächen eingespannt ist, welcher den Abstand zwischen der Prozessanschlussfläche und dem Prozessanschlussflansch definiert und eine Einspannung der Dichtungen (50) zwischen der Prozessanschlussfläche und dem Prozessanschlussflansch begrenzt.
摘要翻译：甲Differenzdruckmessaufnehmer（1）包括一个Messaufnehmerkörper（10）; 并且其被布置在所述Messaufnehmerkörper（10），其中，所述Messaufnehmerkörper具有第一压输入口和第二压力入口开口，所述差压压力传感器（40），通过所述第一压力输入端口与第一压力和过程连接面（11）的压差传感器（40）是通过与可被作用的第二压力，与第一分离膜第一压力输入口，第二压力输入端口（16）被关闭，其中所述第二压力入口开口由第二分离隔膜（16），封闭，其中，所述具有第一密封第一分离膜（50）从环境密封，并且其中，与第二密封件的第二分离隔膜（50）相对于周围环境，其中所述Differenzdruckmessaufnehmer在测量操作拉伸其抵靠的过程连接面的过程中连接，密封，其中该方法连接之间和至少一个板状的间隔件（30）的过程连接面夹持与平面平行的表面，其定义了处理衬垫和过程连接之间的距离，并且限定在过程连接面和过程连接之间的垫圈（50）的夹紧。

59. 发明申请

WO2011076620A1 PIEZORESISTIVE PRESSURE AND PROCESS FOR PRODUCING A PIEZORESISTIVE PRESSURE SENSOR 审中-公开
标题翻译： PIEZORESISTIVE压力和制造压力传感器的方法
公开(公告)号：WO2011076620A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/EP2010/069645
申请日：2010-12-14
申请人： EPCOS AG , NOWAK, Birgit , OSTRICK, Bernhard , PESCHKA, Andreas
发明人： NOWAK, Birgit , OSTRICK, Bernhard , PESCHKA, Andreas
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0048 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , G01L19/0627
摘要： A pressure sensor (1) is provided which has a piezoresistive membrane (2) which can be deformed by the action of the pressure of a medium. The membrane (2) is arranged on a carrier substrate (3) and extends over an opening (32) in the carrier substrate (3). The pressure sensor (1) has a protective layer (4) to protect the membrane (2) from direct contact with a medium. The protective layer (4) covers the membrane (2) both in a first region (28) inside the opening (32) and in a second region (29) outside the opening (32). Furthermore, a process for producing a pressure sensor (1) is provided in which the protective layer (4) forms an etch stop for an etching process.
摘要翻译：提供压力传感器（1），其具有能够通过介质压力的作用而变形的压阻膜（2）。膜（2）布置在载体基板（3）上并且在载体基板（3）中的开口（32）上延伸。压力传感器（1）具有用于保护膜（2）不与介质直接接触的保护层（4）。保护层（4）在开口（32）内部的第一区域（28）和开口（32）外部的第二区域（29）中都覆盖膜（2）。此外，提供了一种制造压力传感器（1）的方法，其中保护层（4）形成用于蚀刻工艺的蚀刻停止。

60. 发明申请

WO2007058010A1 半導体圧力センサおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2007058010A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/JP2006/317053
申请日：2006-08-30
申请人：三菱電機株式会社 , 出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
发明人：出尾晋一 , 田口元久 , 山下彰 , 吉田幸久
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84
CPC分类号： G01L9/0047 , G01L9/0048 , G01L9/0054 , G01L19/04
摘要：　半導体圧力センサは、シリコン支持基板（１）と、シリコン支持基板（１）上に形成された絶縁層（２）と、絶縁層（２）上に形成されたシリコン薄板（３）とを備えている。シリコン支持基板（１）にはその厚さ方向に延びる貫通孔（１ａ）が形成されている。貫通孔（１ａ）の延長線上に位置するシリコン薄板（３）は、外部からの圧力によって変形するダイヤフラム（２３）として機能する。絶縁層（２）は、ダイヤフラム（２３）の下面の全体にわたって残存している。絶縁層（２）の厚さは、ダイヤフラム（２３）の周縁部から中央部に向かって小さくなっている。これによれば、オフセット電圧および温度変化に起因した出力電圧の変動量の双方を低減し得る半導体圧力センサおよびその製造方法が得られる。
摘要翻译：半导体压力传感器包括硅支撑基板（1），形成在硅支撑基板（1）上的绝缘层（2）和形成在绝缘层（2）上的硅薄板（3）。在硅支撑基板（1）上形成在硅支撑基板（1）的厚度方向上延伸的通孔（1a）。位于通孔（1a）的延伸部上的硅薄板（3）用作通过外部压力变形的隔膜（23）。绝缘层（2）保持在隔膜（23）的整个下表面上。绝缘层（2）的厚度从隔膜（23）的周边部分向中心部分减小。这提供了半导体压力传感器能够降低偏移电压和由温度变化引起的输出电压的变化及其制造方法。

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