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51. 发明公开

CN106253889A 一种高灵敏度光MOS固体继电器无效
公开(公告)号：CN106253889A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610844448.0
申请日：2016-09-23
申请人：成都创慧科达科技有限公司
发明人：谢敏
IPC分类号： H03K17/785 , H03K17/16
CPC分类号： H03K17/785 , H03K17/165
摘要：本发明公开了一种高灵敏度光MOS固体继电器，其特征在于：包括输入电路、光隔离器、触发电路、开关电路和输出电路；所述输入电路包括正反馈回路，所述输出电路上设置电容泄放回路；所述输入电路包括电阻R1，R2,R3,稳压管D1，D2，开关管T1，T2；T1和T2构成正反馈回路；T1的发射极与R1连接，并连接输入端，T1的集电极与T2的基极连接，T1的基极连接T2的集电极，并连接稳压二极管D2；T2的发射极连接隔离电路；R1与R3并联，R3与R2串联。本发明能够解决光MOS固体继电器的抖动、误触发和易受辐射影响等问题，具有很高的灵敏度。

52. 发明授权

CN102983600B 给用在电动车辆电源系统中的电容器放电的设备和方法有权
公开(公告)号：CN102983600B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210287677.9
申请日：2012-08-13
申请人：马涅蒂-马瑞利公司
发明人：里卡尔多·维安西诺 , 法比奥·贝尔纳迪 , 乔瓦尼·朱弗雷
IPC分类号： H02J7/00 , H02J7/34 , B60L11/00
CPC分类号： H02J7/00 , B60L3/0046 , B60L3/04 , H02J7/0026 , H02J7/0029 , H02J2007/004 , H02M2001/322 , H02M2001/344 , H03K17/163 , H03K17/785
摘要：一种主动给主电容器（C滤波）放电的放电设备11）和方法；放电支路（13）并联连接到所述主电容器（C滤波）并且设置有放电晶体管（TD）；控制设备（14）连接到所述放电晶体管（TD）的栅极/基极接头，当需要给所述主电容器（C滤波）放电时通过将所述放电晶体管（TD）偏置到导通模式来控制所述放电晶体管（TD），并且具有安全电容器C安全），其安插在所述放电晶体管（TD）的栅极/基极接头与电源之间，该安全电容当所述放电晶体管（TD）偏置到导通模式时充电，从而保证在所述放电晶体管（TD）的栅极/基极接头处的电压/电流的逐渐下降，以在从所述放电晶体管（TD）导通立即开始起的时间间隔之后将所述晶体管（TD）偏置到隔离状态。

53. 发明公开

CN105453432A 固态继电器保护装置失效
公开(公告)号：CN105453432A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480043946.4
申请日：2014-07-31
申请人：泰科电子公司
发明人： M.S.阿梅德 , D.B.萨拉夫
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/785
CPC分类号： H02H3/02 , H02H3/06 , H02H3/08 , H02H5/04 , H03K17/0822 , H03K17/785 , H03K2017/0806
摘要：一种用于固态继电器16的保护的电路10，其包括连接在输入信号源和固态继电器输入端子之间的开关元件14。固态继电器包括用于连接到负载18的输出端子。感测元件20与固态继电器相关联，以感测与固态继电器相关联的操作参数。反馈元件42控制开关元件，以响应于操作参数超过参考参数28而转换操作状态。固态继电器响应于开关元件而改变状态，以在激励状态或去激励状态之间控制固态继电器的输出电流。

54. 发明公开

CN103905019A 一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路有权转让
公开(公告)号：CN103905019A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210589902.4
申请日：2012-12-31
申请人：比亚迪股份有限公司
发明人：蓝诚宇 , 杨钦耀 , 陈刚
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/14 , H03K17/168 , H03K17/785
摘要：本发明提出了一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路，包括IGBT模块、MCU、第一光耦和驱动模块，MCU与第一光耦之间连接有第一电阻，驱动模块与IGBT模块之间连接有门极驱动电阻，在第一光耦与驱动模块之间具有积分电路，积分电路包括积分电路等效电阻和第一电容，通过改变积分电路等效电阻的阻值，调节积分电路的时间常数，实现对门极驱动电阻的等效调节。本发明的IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路能够对门极驱动电阻的等效阻值进行调节，无需人工更改门极驱动电阻就能驱动不同功率的IGBT模块，优化了IGBT模块的工作状态。

55. 发明公开

CN102884626A 半导体装置和使用该半导体装置的半导体继电器失效转让
公开(公告)号：CN102884626A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180022055.7
申请日：2011-02-23
申请人：松下电器产业株式会社
发明人：冈田洋 , 砂田卓也 , 大森猛司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L31/12 , H03K17/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/167 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7811 , H01L2224/37011 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/6874 , H03K17/785 , H03K2217/0009 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要：在第一导电型碳化硅(SiC)基板(1)内至少具备一个晶体管单元。各个晶体管单元具备：第二导电型的阱区域，其形成在上述SiC基板的第一面上；源区，其形成在上述阱区域内，由第一导电型区域构成；栅电极，其隔着上述栅极绝缘膜而形成；源电极，其形成为与上述源区相接触；以及漏电极，其形成在上述SiC基板(1)的第二面侧，其中，上述半导体装置具备第二导电型区域，该第二导电型区域位于与上述晶体管单元中的最外侧单元的外侧相邻的位置，该第二导电型区域围绕上述阱区域、并且相对于上述栅电极和上述源电极中的任一个都绝缘。

56. 发明公开

CN102823121A 用于限制电力传输或分配线的电流和/或使其断路的装置中的开关模块有权转让
公开(公告)号：CN102823121A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080063090.9
申请日：2010-02-03
申请人： ABB技术有限公司
发明人： J·赫夫纳 , P·伦德贝格 , R·西尔耶斯特伦 , U·施拉普巴赫 , B·比尔彦加
IPC分类号： H02M1/092 , H03K17/10 , H03K17/12 , H03K17/18 , H02M1/34
CPC分类号： H02M1/092 , H03K17/08148 , H03K17/107 , H03K17/127 , H03K17/689 , H03K17/785 , H03K2217/0081 , Y10T307/747
摘要：一种开关模块(38)，打算用于中或者高压直流断路器或者直流电流限制器中，包括至少一个功率半导体开关元件(1，2)，被设置成根据开关控制信号分别接通和关断该至少一个功率半导体开关元件的栅极单元(31)，和被设置成向栅极单元的电源输入端(29)提供电力的储能电容器(25)。该开关模块还包括功率转换部件(20)，其被设置成接收光功率信号，将该光功率信号转换为电功率信号，并将该电功率信号提供给所述储能电容器(25)。

57. 发明申请

WO2015031069A1 POWER CONTROLLER 审中-公开
标题翻译：电源控制器
公开(公告)号：WO2015031069A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/US2014/051159
申请日：2014-08-14
申请人： MICROPAC INDUSTRIES, INC.
发明人： BALDRIDGE, Wayne
IPC分类号： H02H3/08 , G01R19/165
CPC分类号： G01R21/06 , H02H3/08 , H03K17/0822 , H03K17/18 , H03K17/61 , H03K17/691 , H03K17/785 , H03K17/7955 , H03K2217/0027 , H03K2217/0081
摘要： A power controller includes an input power terminal, an output power terminal, a power switching circuit connected between the input power terminal and the output power terminal, a detection circuit connected to the power switching circuit, one or more data interfaces, and a control device connected to the detection circuit and the one or more data interfaces. The detection circuit measures a load current and a current squared time (I 2 t) value between the input power terminal and the output power terminal. The control device automatically turns the power switching circuit "OFF" whenever the load current exceeds a first value or the current squared time value exceeds a second value or an "OFF" signal is received from the one or more data interfaces, and automatically turns the power switching circuit "ON" whenever an "ON" signal is received from the one or more data interfaces.
摘要翻译：电源控制器包括输入电源端子，输出电源端子，连接在输入电源端子和输出电源端子之间的电源切换电路，连接到电源开关电路的检测电路，一个或多个数据接口以及控制装置连接到检测电路和一个或多个数据接口。检测电路测量输入电源端子和输出电源端子之间的负载电流和电流平方时间（I2t）。每当负载电流超过第一值或电流平方时间值超过第二值或从一个或多个数据接口接收到“OFF”信号时，控制装置自动将电源切换电路“OFF”，并自动转换每当从一个或多个数据接口接收到“ON”信号时，电源开关电路“ON”。

58. 发明申请

WO2014101878A1 DRIVING CIRCUIT FOR IGBT MODULE 审中-公开
标题翻译： IGBT模块驱动电路
公开(公告)号：WO2014101878A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/CN2013/091041
申请日：2013-12-31
申请人： SHENZHEN BYD AUTO R&D COMPANY LIMITED , BYD COMPANY LIMITED
发明人： LAN, Chengyu , YANG, Qinyao , CHEN, Gang
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/14 , H03K17/168 , H03K17/785
摘要： A driving circuit for an IGBT module (U4) is provided. The driving circuit includes: a gate driving resistor (R5) connected with the IGBT module (U4); a driving module connected with the gate driving resistor (R5); an integrating circuit connected with the driving module, in which the integrating circuit comprises an equivalent resistor and a first capacitor (C1) connected in series with the equivalent resistor, and a time constant of the integrating circuit is adjusted by changing a resistance of the equivalent resistor; a first optical coupler (U2) connected with the integrating circuit; and a micro control unit (U1), connected with the first optical coupler (U2).
摘要翻译：提供了IGBT模块（U4）的驱动电路。驱动电路包括：与IGBT模块（U4）连接的栅极驱动电阻（R5）; 与所述栅极驱动电阻器（R5）连接的驱动模块; 与驱动模块连接的积分电路，其中积分电路包括等效电阻器和与等效电阻器串联连接的第一电容器（C1），并且通过改变等效电阻器的电阻来调整积分电路的时间常数电阻器; 与所述积分电路连接的第一光耦合器（U2）; 以及与第一光耦合器（U2）连接的微控制单元（U1）。

59. 发明申请

WO2013137747A1 A BILATERAL SWITCH 审中-公开
标题翻译：双边开关
公开(公告)号：WO2013137747A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/NZ2012/000037
申请日：2012-03-14
申请人： ADVANCED ENVIRONMENTAL TECHNOLOGIES LIMITED , CHIDA, Kamran , SIRAJUDDIN, Mohamed
发明人： CHIDA, Kamran , SIRAJUDDIN, Mohamed
IPC分类号： H03K17/785 , H03K17/60
CPC分类号： H03K17/6874 , H03K17/605 , H03K17/6871 , H03K17/689 , H03K17/691 , H03K17/785 , H03K2217/0009
摘要： A bilateral switch derives internal power for the operation of the switch control circuitry from a converter powered by the input signal, whether the input is AC or DC, and also operates the internal voltage isolated circuits powered by this from the input signal. The internal circuitry operates a pair of similar FET switches switching power on and off between their drain connections, relying on a reverse protection diode across the FETs to allow passage of either AC current or DC current in either direction.
摘要翻译：双向开关由输入信号供电的转换器（无论输入为交流还是直流）为开关控制电路的运行提供内部电源，并且还可以通过输入信号来操作由此供电的内部电压隔离电路。内部电路操作一对类似的FET开关，它们在漏极连接之间切换电源，依赖于跨FET的反向保护二极管，以允许任一方向上交流电流或直流电流通过。

60. 发明申请

WO2011151682A3 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SOLID STATE RELAY USING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151682A3
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/IB2011000361
申请日：2011-02-23
申请人： PANASONIC ELEC WORKS CO LTD , OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
发明人： OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
IPC分类号： H03K17/78 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/173 , H01L2924/0002 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/785 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device is provided with a unipolar compound semiconductor element and a bypass semiconductor element that is externally connected in parallel to the compound semiconductor element. The breakdown voltage of the bypass semiconductor element is lower than the breakdown voltage of the compound semiconductor element in the direction from the source to the drain.
摘要翻译：半导体器件设置有与化合物半导体元件并联外部连接的单极化合物半导体元件和旁路半导体元件。旁路半导体元件的击穿电压低于化合物半导体元件在源极至漏极方向的击穿电压。

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