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51. 实用新型

CN204570033U 基板载具失效
公开(公告)号：CN204570033U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201390000218.6
申请日：2013-01-18
申请人：应用材料公司
发明人：栗田真一 , B·M·约翰斯通
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/12 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/509 , C23C16/54
摘要：本实用新型涉及一种基板载具，包括：框体，被配置成容纳基板于其中并且支撑基板，其中所述框体包括多个夹具，用以固定所述基板于所述框体中；以及轨道，附接于所述框体，其中所述轨道包括可磁性化材料，所述框体的外表面以及所述轨道包括等离子体相容材料。根据本实用新型实施例的处理腔包括以相容于清洁用等离子体的材料封装、涂覆或制造的部件。根据本实用新型实施例的基板载具可以相容于清洁用等离子体的材料制成或涂覆。根据本实用新型实施例，等离子体清洁动作可在具有一个或多个基板载具的处理腔中执行，这些基板载具未承载任何基板，以清洁这一个或多个基板载具以及腔体部件。

52. 发明申请

WO2019201692A1 ALUMINUM PRECURSOR AND PROCESS FOR THE GENERATION OF METAL-CONTAINING FILMS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019201692A1
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：PCT/EP2019/059023
申请日：2019-04-10
申请人： BASF SE , WAYNE STATE UNIVERSITY
发明人： WINTER, Charles , BLAKENEY, Kyle , MAYR, Lukas , SCHWEINFURTH, David Dominique , WEIGUNY, Sabine , WALDMANN, Daniel
IPC分类号： C07F5/06 , C23C16/12 , C23C16/455
摘要： The present invention is in the field of processes for the generation of thin inorganic films on substrates, in particular atomic layer deposition processes. It relates to a process for preparing metal-containing films comprising (a) depositing a metal-containing compound from the gaseous state onto a solid substrate and (b) bringing the solid substrate with the deposited metal-containing compound in contact with a compound of general formula (I) wherein Z is a C 2 -C 4 alkylene group, and R is hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, or a silyl group.

53. 发明申请

WO03064718A3 METHOD FOR SELECTIVELY COATING A PORTION OF A SUBSTRATE WITH A GAS-CARRIED SUBSTANCE 审中-公开
标题翻译：用于选择性地涂覆具有气体载体的基板的方法
公开(公告)号：WO03064718A3
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/US0302662
申请日：2003-01-28
申请人： SULZER METCO US INC , MARIJNISSEN GIEL , VERGELDT E R I C , WALSWEER W , JACOBS B T F
发明人： MARIJNISSEN GIEL , VERGELDT E R I C , WALSWEER W , JACOBS B T F
IPC分类号： C23C10/04 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C16/12 , C23C16/20
CPC分类号： C23C16/455 , C23C10/04 , C23C16/04
摘要： A method for applying a diffusion coating of a substance to a portion of substrate comprising applying a deposition coating to a particular surface of an object by applying an active gas containing the coating substance in a form which will react with the surface to form a coating. Instead of masking portions of the object not to be coated, or applying an absorbent paste, a second neutralizing or "killer" gas is introduced in the regions where the coating gas may be present, but where no coating is desired. The neutralizing gas is of a type which will reduce the reactivity of the coating substance in the active gas. As a result, formation of a coating in undesired areas is substantially prevented.
摘要翻译：一种用于将物质的扩散涂层施加到基底的一部分的方法，包括通过以与表面反应形成涂层的形式施加含有涂层物质的活性气体，将沉积涂层施加到物体的特定表面上。代替掩盖不被涂覆的物体的一部分，或者施加吸收膏，在可能存在涂覆气体但不需要涂层的区域中引入第二中和或“杀手”气体。中和气体是降低活性气体中涂层物质的反应性的一种。结果，基本上防止了在不需要的区域中形成涂层。

54. 发明申请

WO99027155A1 METHOD FOR DEPOSITING FINE-GRAINED ALUMINA COATINGS ON CUTTING TOOLS 审中-公开
标题翻译：在切割工具上沉积细粒度的氧化铝涂层的方法
公开(公告)号：WO99027155A1
公开(公告)日：1999-06-03
申请号：PCT/SE1998/002140
申请日：1998-11-26
IPC分类号： B23B27/14 , B23P15/28 , C23C16/12 , C23C16/40 , C23C16/503 , C23C16/513 , C23C16/515 , C23C16/50
CPC分类号： C23C16/515 , C23C16/403
摘要： The present invention relates to a method for depositing refractory alumina (Al2O3) thin layers on cutting tools made of cemented carbide, cermet, ceramics or high speed steel. The invented method is a Plasma Activated Chemical Vapor Deposition (PACVD) process in which the plasma is produced by applying a bipolar pulsed DC voltage across two electrodes to which the tool substrates to be coated are fixtured and electrically connected. In contrast to prior art methods, built-up electrical charge on non-conducting surfaces is suppressed and hence, no arcing occurs on said surfaces. This will permit stable, long-term processing. With the invented method, high-quality coatings consisting of either single phase gamma -Al2O3 or of a mixture of gamma - and alpha -Al2O3 phases can be deposited on cutting tools at deposition temperatures as low as 500 DEG C. When coated cemented carbide tools according to the invention are used in the machining of steel or cast iron, several important improvements to prior art produced Al2O3- coated tools have been observed.
摘要翻译：本发明涉及一种在由硬质合金，金属陶瓷，陶瓷或高速钢制成的切削工具上沉积难熔氧化铝（Al2O3）薄层的方法。本发明的方法是等离子体活化化学气相沉积（PACVD）工艺，其中通过在两个电极上施加双极性脉冲DC电压来产生等离子体，待涂覆的工具衬底固定到其上并电连接。与现有技术的方法相比，在非导电表面上的积聚电荷被抑制，因此在所述表面上不发生电弧。这将允许稳定的长期处理。采用本发明的方法，可以在低至500℃的沉积温度下将单相γ-Al2O3或γ-α-Al2O3相的混合物组成的高品质涂层沉积在切削工具上。当涂覆硬质合金刀具根据本发明用于钢或铸铁的加工中，已经观察到对现有技术生产的Al 2 O 3涂层工具的若干重要改进。

55. 发明专利

JP5801932B2 ターボ機械の金属部品およびドナーライナーの気相アルミ被覆プロセスならびにそのようなライナーを含むターボ機械翼有权
标题翻译：气相铝化的金属部件和施主衬涡轮机的过程和涡轮机叶片，包括这种衬垫
公开(公告)号：JP5801932B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2014127030
申请日：2014-06-20
申请人：スネクマ
发明人：ルシー・ランシオー , マキシム・カルラン
IPC分类号： C23C16/12 , F02C7/00 , F01D25/00 , F02C7/18 , C23C10/48 , F01D9/02
CPC分类号： C23C10/48 , C23C10/08 , C23C16/045 , C23C16/12 , C23C16/4488 , F01D5/189 , F01D5/288 , F01D9/065 , F05D2230/313 , F05D2230/314 , F05D2300/121 , Y02T50/67 , Y10T428/265 , Y10T428/31678

56. 发明专利

JP2014208997A ターボ機械の金属部品およびドナーライナーの気相アルミ被覆プロセスならびにそのようなライナーを含むターボ機械翼有权
标题翻译：金属组分和涡旋木质素配合物的蒸气相酸化过程和包括这种内衬的涡轮叶片
公开(公告)号：JP2014208997A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：JP2014127030
申请日：2014-06-20
申请人：スネクマ , Snecma
发明人： LANCIAUX LUCIE , CARLIN MAXIME
IPC分类号： F01D9/02 , C23C10/48 , C23C16/12 , F01D25/00 , F02C7/00 , F02C7/18
CPC分类号： C23C10/48 , C23C10/08 , C23C16/045 , C23C16/12 , C23C16/4488 , F01D5/189 , F01D5/288 , F01D9/065 , F05D2230/313 , F05D2230/314 , F05D2300/121 , Y02T50/67 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要：【課題】特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用され、表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にする。【解決手段】金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、前記部品1は空洞を含み、金属構成要素9が前記部品の開口部5から導入されて組み立てられる。このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて前記金属部品に接触し、金属構成要素9はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了获得在表面上具有足够厚度的内腔壁的涂层，特别应用于特别是结合有衬垫的喷嘴引导刀片。解决方案：在通过气相沉积进行镀铝的方法中保护金属涡轮机组件的高温氧化，组件1包括空腔，并且金属组分元件9从要组装的组件的开口部分5引入。根据该方法，通过卤素和包括铝在内的金属供体之间的反应形成卤化物，然后卤化物由载气携带以与金属组分接触，并且由于金属组分元素9首先作为铝供体在执行该过程之前，表面被铝富集。

57. 发明专利

JP5612255B2 ターボ機械の金属部品およびドナーライナーの気相アルミ被覆プロセスならびにそのようなライナーを含むターボ機械翼有权
标题翻译：气相铝化的金属部件和施主衬涡轮机的过程和涡轮机叶片，包括这种衬垫
公开(公告)号：JP5612255B2
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：JP2008256007
申请日：2008-10-01
申请人：スネクマ
发明人：ルシー・ランシオー , マキシム・カルラン
IPC分类号： C23C16/12 , C23C14/14 , C23C28/02 , F01D5/18 , F01D5/28 , F01D9/02 , F02C7/00 , F02C7/18
CPC分类号： C23C10/48 , C23C10/08 , C23C16/045 , C23C16/12 , C23C16/4488 , F01D5/189 , F01D5/288 , F01D9/065 , F05D2230/313 , F05D2230/314 , F05D2300/121 , Y02T50/67 , Y10T428/265 , Y10T428/31678

59. 发明专利

JP2009091658A Method of aluminization in vapor phase on hollow metal part of turbomachine 有权
标题翻译：蒸汽相中的氧化方法在涡轮机的中空金属部分
公开(公告)号：JP2009091658A
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：JP2008256003
申请日：2008-10-01
申请人： Snecma , スネクマ
发明人： CARLIN MAXIME , LANCIAUX LUCIE , LE HENANFF PHILIPPE
IPC分类号： C23C16/12 , C23C30/00 , F01D5/28 , F01D25/00 , F02C7/00
CPC分类号： C23C16/4488 , C23C10/06 , C23C10/08 , C23C16/045 , C23C16/12 , F01D5/18 , F01D5/288 , F01D9/041 , F01D9/065 , F05D2230/90 , F05D2300/121 , Y02T50/676
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a coating of an internal cavity wall with a sufficient thickness over an entire surface. SOLUTION: Disclosed is a method of aluminization by deposit in the vapor phase for protection against oxidation at high temperature of a metal part of a turbomachine. The part includes a cavity with an opening that can be accessed from the outside. A halide is formed by reaction between a halogen and a metal donor containing aluminum, then the halide is transported by a carrier gas to come into contact with the metal part, the metal donor being placed at least partly in the cavity. The metal donor is in the form of a pellet obtained by hot sintering under pressure of a mixture of metal powder. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在整个表面上获得具有足够厚度的内腔壁的涂层。解决方案：公开了一种通过在气相中沉积来防止在涡轮机的金属部分的高温下的氧化的铝化的方法。该部分包括具有可以从外部访问的开口的空腔。通过卤素和含有铝的金属供体之间的反应形成卤化物，然后卤化物通过载气输送以与金属部分接触，金属供体至少部分地放置在空腔中。金属供体是通过在金属粉末的混合物的压力下热烧结获得的颗粒的形式。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

60. 发明专利

JP2008174842A Thin film forming method using atomic layer deposition method 有权
标题翻译：薄膜形成方法使用原子层沉积法
公开(公告)号：JP2008174842A
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：JP2008068427
申请日：2008-03-17
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIN EIKAN , PARK YOUNG-WOOK , LIM JAE-SOON , CHOI SUNG-JE , LEE SANG-IN
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/316
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film forming method capable of producing a stoichiometrically excellent film by inhibiting formation of undesirable impurities in an atomic layer deposition method.
SOLUTION: The thin film forming method using the atomic layer deposition method includes the steps of: injecting a first reactant containing a metallic element and a ligand in a reaction chamber and chemisorbing the first reactant on a substrate; purging the reaction chamber by an inert gas to remove the physisorbed first reactant; injecting a second reactant not containing a hydroxyl group in the reaction chamber so that oxygen of the second reactant and the metallic element are bound together by a chemical reaction of the first and second reactants, and the chemisorbed first reactant becomes a metal-oxygen atomic layer by separating the ligand from the first reactant; purging the reaction chamber by the inert gas to remove the physisorbed second reactant; and injecting a third reactant in the reaction chamber so that oxygen which is a constituting element of the third reactant and the metallic element are bound together by a chemical reaction of the remainder of the chemisorbed first reactant and the third reactant, and consequently forming a metal-oxide film in an atomic layer by making the remainder of the chemisorbed first reactant a metal-oxygen atomic layer by separating the ligand from the first reactant, with the generation of hydroxyl group held in an suppressed state.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：待解决的问题：提供能够通过在原子层沉积法中抑制不期望的杂质的形成而产生化学计量优异的薄膜的薄膜形成方法。解决方案：使用原子层沉积方法的薄膜形成方法包括以下步骤：在反应室中注入含有金属元素和配体的第一反应物，并在基底上化学吸收第一反应物; 通过惰性气体吹扫反应室以除去物理吸附的第一反应物; 在反应室中注入不含羟基的第二反应物，使得第二反应物和金属元素的氧通过第一和第二反应物的化学反应而结合在一起，并且化学吸附的第一反应物变成金属 - 氧原子层通过将配体与第一反应物分离; 通过惰性气体吹扫反应室以除去物理吸附的第二反应物; 以及在反应室中注入第三反应物，使得作为第三反应物的构成元素的氧和金属元素通过化学吸附的第一反应物和第三反应物的其余部分的化学反应而结合在一起，并因此形成金属通过将配体与第一反应物分离，使化学吸附的第一反应物的其余部分成为金属 - 氧原子层，产生羟基保持在抑制状态，从而在原子层中形成氧化物膜。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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