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61. 发明申请

WO2014208460A1 炭化ケイ素粉体审中-公开
标题翻译：硅碳粉
公开(公告)号：WO2014208460A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/JP2014/066404
申请日：2014-06-20
申请人：株式会社ブリヂストン
发明人：長谷　和人
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/626
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01P2004/61 , C04B35/575 , C04B2235/5436 , C04B2235/5463 , C04B2235/77
摘要：　本願発明は、高強度の炭化ケイ素焼結体を製造するために適切な炭化ケイ素粉体であって、ケイ素源、炭素源及び触媒によって構成される混合物に含まれる炭素と混合物に含まれるケイ素との比率がモル比で２．５以上であり、平均粒径が１０μｍ以上２５μｍ以下である。
摘要翻译：本发明是一种适用于生产高强度碳化硅烧结体的碳化硅粉末，其中由硅源，碳源和催化剂组成的混合物中的碳与硅的摩尔比为2.5或更多; 平均粒径在10〜25μm的范围内。

62. 发明申请

WO2013100693A1 탄화규소 분말 제조 방법 审中-公开
标题翻译：硅碳粉生产方法
公开(公告)号：WO2013100693A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/011712
申请日：2012-12-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김병숙
IPC分类号： C01B31/36 , C01B31/04 , C01B33/113
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01P2004/62 , Y10T428/2982
摘要： 실시예에 따른 탄화규소 분말 제조 방법은, 규소원(Si source), 고체 탄소원 또는 유기 탄소 화합물을 포함하는 탄소원(C source) 및 이산화규소원(SiO 2 source)을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 및 상기 혼합물을 반응시키는 단계를 포함하고, 상기 이산화규소원에 포함된 이산화규소와, 상기 규소원에 포함된 규소 및 상기 탄소원에 포함된 탄소의 합의 몰비(mole ratio)는 0.01:1 내지 0.3:1이다.
摘要翻译：根据本发明的一个实施方案，碳化硅粉末制备方法包括以下步骤：通过混合硅源（Si源），包含固体碳源或气态碳源的碳源（C源）形成混合物，和二氧化硅源（SiO 2源）; 并使该混合物反应。二氧化硅源中包含的二氧化硅的摩尔比相对于硅源中包含的硅和碳源中包含的碳的总和的摩尔比为0.01:1至0.3:1。

63. 发明申请

WO2012177098A3 METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE POWDER 审中-公开
标题翻译：制造碳化硅粉的方法
公开(公告)号：WO2012177098A3
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/KR2012004992
申请日：2012-06-25
申请人： LG INNOTEK CO LTD , KIM BYUNG SOOK , HAN JUNG EUN
发明人： KIM BYUNG SOOK , HAN JUNG EUN
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C01B31/36 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B2235/3418 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5288 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586
摘要： A method of fabricating silicon carbide powder according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a carbon source comprising a solid carbon source or an organic carbon compound; reacting the mixture; and controlling the reacting of the mixture, wherein the step of controlling the reacting comprises a step of supplying process gas or reaction product gas.
摘要翻译：根据实施例的制造碳化硅粉末的方法包括以下步骤：通过将包含硅的硅源与包含固体碳源或有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 使混合物反应; 并控制混合物的反应，其中控制反应的步骤包括提供工艺气体或反应产物气体的步骤。

64. 发明申请

WO2013032146A1 METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE 审中-公开
标题翻译：制造碳化硅的方法
公开(公告)号：WO2013032146A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/KR2012/006301
申请日：2012-08-08
申请人： LG INNOTEK CO., LTD. , HAN, Jung Eun , KIM, Byung Sook , GIL, Gun Young
发明人： HAN, Jung Eun , KIM, Byung Sook , GIL, Gun Young
IPC分类号： C01B31/36 , C04B35/565
CPC分类号： C01B31/36 , B82Y30/00 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B35/626 , C04B35/6264 , C04B35/6267 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B35/63416 , C04B35/63456 , C04B35/63476 , C04B35/63488 , C04B2235/3418 , C04B2235/422 , C04B2235/424 , C04B2235/428 , C04B2235/48 , C04B2235/5288 , C04B2235/5454 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586
摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a silicon source comprising silicon with a solid carbon source or a carbon source comprising an organic carbon compound; supplying binder into the mixture to granulate the mixture; and reacting the granulated mixture.
摘要翻译：根据实施例的制造碳化硅的方法包括通过将包含硅的硅源与固体碳源或包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物的步骤; 向混合物中供应粘合剂以使混合物成粒; 并使造粒的混合物反应。

65. 发明申请

WO2013019068A2 METHOD OF FABRICATING SILICON CARBIDE 审中-公开
标题翻译：制造碳化硅的方法
公开(公告)号：WO2013019068A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2012/006123
申请日：2012-08-01
申请人： LG INNOTEK CO., LTD. , HAN, Jung Eun , KIM, Byung Sook
发明人： HAN, Jung Eun , KIM, Byung Sook
IPC分类号： C01B31/36 , B01F3/18 , B01J6/00
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B2235/3826
摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.
摘要翻译：根据该实施方式的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干燥硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并且使混合物反应，其中碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内

66. 发明申请

WO2013005741A1 シリカとカーボンからなる粒子、及び、シリカとカーボンの混合物の製造方法审中-公开
标题翻译：生成二氧化硅和碳的混合物的二氧化硅和碳的混合物的制备方法
公开(公告)号：WO2013005741A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/JP2012/066990
申请日：2012-07-03
申请人：太平洋セメント株式会社 , 一坪幸輝 , 増田賢太 , 鈴木将和 , 河野恒平 , 熊坂惇
发明人：一坪　幸輝 , 増田　賢太 , 鈴木　将和 , 河野　恒平 , 熊坂　惇
IPC分类号： C01B33/12 , C01B31/36 , C01B33/18
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C01B33/193 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/80
摘要：　シリカとカーボンからなり、不純物の含有率が小さく、かつ、反応性に優れた粒子を提供する。　粒子内にシリカとカーボンの各々が全体的に分布しており、かつ、Ｂ及びＰの各々の含有率が１ｐｐｍ以下であるシリカとカーボンからなる粒子。　シリカとカーボンからなる粒子の集合体であるシリカとカーボンの混合物の製造方法であって、（Ｂ）液分中のＳｉ濃度が１０質量％以上のケイ酸アルカリ水溶液とカーボンを混合して、カーボン含有ケイ酸アルカリ水溶液を得るカーボン混合工程と、（Ｃ）工程（Ｂ）で得られたカーボン含有ケイ酸アルカリ水溶液と鉱酸を混合して、液分中のＣ及びＳｉをシリカとカーボンからなる粒子として析出させ、粒子含有液状物を得た後、該液状物を固液分離して、シリカとカーボンからなる粒子の集合体であるシリカとカーボンの混合物を含む固形分と、不純物を含む液分を得るシリカ回収工程と、を含むシリカとカーボンの混合物の製造方法。
摘要翻译：提供由二氧化硅和碳形成且具有低杂质含量和优异的反应性的颗粒。由二氧化硅和碳形成的含有B和P的量分别为1ppm或更少的颗粒。二氧化硅和碳分布均匀分布在每个颗粒的内部。一种生产二氧化硅和碳的混合物的方法，所述混合物是由二氧化硅和碳形成的颗粒组合。这种二氧化硅和碳的混合物的制造方法包括：（B）碳混合工序，其中通过将碳和硅含量为10的Si浓度的碱式硅酸钠水溶液混合而获得含碳酸碱水溶液质量％以上; 和（C）二氧化硅回收步骤，其中通过将无机酸与步骤（B）中获得的含碳酸碱金属硅酸盐溶液混合得到含有颗粒的液体材料，使得液体含量中的C和Si为作为由二氧化硅和碳形成的颗粒沉淀，将液体材料进行固液分离，从而获得含有二氧化硅和碳的混合物的固体含量，所述混合物是由二氧化硅和碳形成的颗粒的组合，以及含有杂质的液体成分。

67. 发明申请

WO2012015258A3 METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINTERED MATERIAL USING BALL 审中-公开
标题翻译：用球体制造碳化硅烧结材料的方法
公开(公告)号：WO2012015258A3
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/KR2011005576
申请日：2011-07-28
申请人： LG INNOTEK CO LTD , KIM YOUNG NAM , KIM MIN SUNG , KIM MYEONG JEONG
发明人： KIM YOUNG NAM , KIM MIN SUNG , KIM MYEONG JEONG
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/584
CPC分类号： C01B31/36 , C01B32/956 , C04B35/573 , C04B2235/3217 , C04B2235/3244 , C04B2235/3826 , C04B2235/3873 , C04B2235/528
摘要： A method for manufacturing a silicon carbide (SiC) sintered material according to the embodiment includes the steps of forming a mixture by mixing SiC powder with a resin and a ball; drying the mixture; and loading the dried mixture in a mold to sinter the dried mixture. The ball includes at least one of a Teflon ball, an SiC ball, a silicon nitride ball, an alumina ball, and a zirconia ball.
摘要翻译：根据该实施例的用于制造碳化硅（SiC）烧结材料的方法包括以下步骤：通过将SiC粉末与树脂和球混合来形成混合物; 干燥混合物; 并将干燥的混合物装入模具中以烧结干燥的混合物。球包括特氟龙球，SiC球，氮化硅球，氧化铝球和氧化锆球中的至少一种。

69. 发明专利

JP2017531100A ファイバ構造を製造するための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017531100A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017513758
申请日：2015-09-10
申请人：サフラン・セラミックス
发明人：ロワゾン，シルビー , エブラール，エルベ , モントードン，マルク
IPC分类号： D03D15/12 , D03D1/00
CPC分类号： D02J1/02 , C01B31/36 , C04B35/80 , C04B2235/5244 , C04B2235/5264 , D01F9/08 , D04H1/4209 , D04H1/46 , D04H3/07 , D04H18/02
摘要：本発明は、a)セラミックファイバの前駆体である少なくとも1つのファイバに、900℃から1200℃の間の範囲の温度で熱処理を施すことにより、少なくとも1つの基本的にアモルファスのセラミックファイバを形成するステップと、b)前記少なくとも1つの基本的にアモルファスのセラミックファイバを含むファイバ構造を形成するために、ステップa)を実施することによって形成された少なくとも1つの基本的にアモルファスのセラミックファイバを使用して、1つまたは複数の編み込み作業を実施するステップと、を含む、ファイバ構造を形成する方法に関する。

70. 发明专利

JPWO2015129876A1 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015129876A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015525339
申请日：2015-02-27
申请人：京セラ株式会社
发明人：堂本　千秋 , 千秋堂本 , 克明正木 , 克明正木 , 和也柴田 , 和也柴田 , 恵彦山口 , 恵彦山口 , 大輔上山 , 大輔上山
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： H01L29/1608 , C01B31/36 , C01B32/956 , C30B7/005 , C30B15/04 , C30B29/36
摘要：本発明の一実施形態に係る炭化珪素の結晶のインゴット1は、それぞれドナーまたはアクセプタを含んでおり、かつ交互に配置された複数の第1結晶層3および複数の第2結晶層4を備え、第2結晶層4におけるドナーまたはアクセプタの濃度は、上または下に接している第1結晶層3におけるドナーまたはアクセプタの濃度よりも高い。

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