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    • 61. 发明申请
    • DRUCKSENSOR, INSBESONDERE ZUR KAPAZITIVEN BESTIMMUNG DES ABSOLUTDRUCKS
    • 压力传感器,特别是对于绝对压力电容测定
    • WO2003081194A1
    • 2003-10-02
    • PCT/EP2003/002829
    • 2003-03-18
    • NORD-MICRO AG & CO. OHGSINGPIEL, Roland
    • SINGPIEL, Roland
    • G01L9/00
    • G01L9/0075G01L9/0048
    • Ein Drucksensor, insbesondere zur kapazitiven Bestimmung des Absolutdrucks, ist mit einem Grundkörper (10), der wenigstens eine Elektrode (11a, 11b; 12a, 12b) aufweist, und mit einer Membran (20) versehen. Die Membran (20) ist durch einen Abstandhalter (30) von dem Grundkörper (10) getrennt und weist zum Erzeugen eines elektrischen Felds zwischen Grundkörper (10) und Membran (20) wenigstens eine Gegenelektrode (21a, 21b; 22a, 22b) auf. Sowohl der Grundkörper als auch die Membran (20) sind aus einem keramischen Werkstoff gefertigt. Die Membran (20) ist an einem aus einem keramischen Werkstoff gefertigten Trägerkörper angeordnet und durch einen Stoffschluß, der frei von Zusatzwerkstoffen ist, mit dem Trägerkörper (40) verbunden ist. Der Drucksensor ist durch eine Meßzelle (50) gekennzeichnet, die aus dem Grundkörper (10), der Membran (20), dem Abstandhalter (30) und dem Trägerkörper (40) zusammengesetzt und in einem hermetischen Gehäuse (60) angeordnet ist, wobei an dem Grundkörper (10) eine kapazitive Änderungen der Meßzelle (50) erfassende Auswerteeinrichtung (70) angeordnet ist, die einen die Temperatur der Meßzelle (50) erfassenden Sensor aufweist.
    • 一种压力传感器,特别是用于电容确定的绝对压力的,具有基体(10),所述至少一个电极(11A,11B; 12A,12B),并设置有膜(20)。 (; 22A,22B 21A,21B)在所述膜(20)由所述基体具有用于产生所述基体(10)和隔膜(20)的至少一个反电极之间的电场(10)和一隔板(30)隔开。 两个基体和所述膜(20)由陶瓷材料制成的。 所述膜(20)被设置在一个由陶瓷材料制成的支撑体的,并通过粘合剂粘结,其不含填充材料的,被连接到承载体(40)。 的压力传感器的特征在于,从所述基体(10)构成的测量单元(50),所述膜(20),所述间隔件(30)和所述支撑主体(40)和在密封壳体(60),在所述 被布置在基体(10)在测量单元(50)感测的评估装置(70)具有一个感测所述测量池的温度(50)的传感器电容的变化。
    • 62. 发明公开
    • 압력 센서
    • 压力传感器
    • KR1020170102804A
    • 2017-09-12
    • KR1020170014326
    • 2017-02-01
    • 오므론 가부시키가이샤
    • 모리하라다이스케오쿠가와아키히로다이오미츠아키
    • G01L19/14G01L1/16H01L41/113
    • G01L9/0052G01L9/0048G01L19/147
    • 소형화및 고정밀화가가능한압력센서를제공한다. 압력센서가, 다이어프램과, 다이어프램에마련되어그 다이어프램의변형에응한전기신호를발생가능한센서부와, 센서부로부터의전기신호를외부에출력하는출력단자부를구비하고, 압력기준실, 다이어프램및 센서부를포함하는검출부와, 반도체기판내에서검출부이외의영역이홈에의해분리되고, 홈이다이어프램이구비된면의반대면에마련된개구부와연통한압력센서칩과, 압력센서칩의출력단자부로부터출력된전기신호에대해소정의연산처리를행하는회로부를구비하고, 다이어프램과출력단자부가동일면에형성되고, 압력센서칩의출력단자와회로부의입력단자부가직접적또는간접적으로접하도록고정되고, 회로부및 압력센서칩은, 개구부가외부에노출하도록밀봉재로덮여진다.
    • 提供了一种能够小型化且高精度的压力传感器。 包括压力传感器,隔膜和,设置在所述隔膜和可以生成依赖于隔膜的变形的电信号的传感器中,传感器单元,包括用于将电信号输出到外部的robuteoui输出端,并且所述腔室,隔膜和传感器单元的压力基准 检测部,并且在所述半导体衬底比检测部以外由凹槽分离的区域中,光阑开口在提供侧和输出来自压力传感器芯片的输出端的相对侧通过风筝提供电铸槽,压力传感器芯片 提供,并形成在同一平面上的隔膜和输出端部被固定,以便与所述输出端子的附加输入端与压力传感器芯片的电路部分,无论是直接或间接地接触,电路和压力传感器芯片,用于对信号进行规定的运算处理的电路 用密封材料覆盖,使开口暴露在外面。
    • 65. 发明公开
    • 압력 센서 모듈 및 압력 센서 모듈의 제조 방법
    • 压力传感器模块及其制造
    • KR1020160089282A
    • 2016-07-27
    • KR1020160005438
    • 2016-01-15
    • 가부시키가이샤 테지케
    • 카네코,야스아키오오타,마사키츠다,히토시
    • G01L19/06G01L9/00G01L7/08
    • G01L13/025G01L9/0048G01L9/0052G01L19/144G01L19/146
    • 용접을이용하지않고다이어프램을베이스체에고정할수 있는압력센서모듈을제공한다. 압력센서소자(12)가내부에장착되는제1요부(22A)와, 제1요부(22A)의개구에지에서외측으로연장되는제1수용면부(30A)를구비하는베이스체(14); 제1요부(22A)를입구측에서막도록제1수용면부(30A)와대향하여마련되고, 베이스체(14)에대해분리가능하게배치되는제1다이어프램(36A); 제1요부(22A)의개구에지보다외측에서제1다이어프램(36A)의한쪽면측에배치되는제1탄성체(42A); 및제1다이어프램(36A) 및제1탄성체(42A)를제1수용면부(30A)를향해가압한상태로, 베이스체(14)에장착되는제1장착부재(44A)를구비한다.
    • 提供一种能够在没有焊接的情况下将隔膜固定到基体上的压力传感器模块。 压力传感器模块包括:基体(14),包括第一凹部单元(22A),压力传感器元件(12)安装在其上,第一容纳面单元(30A)从第一凹部 第一凹部单元(22A)到外部; 面对所述第一容纳面单元(30A)的第一隔膜(36A),以在所述入口侧阻挡所述第一凹部单元(22A),并安装成与所述基体(14)分离; 第一弹性体(42A),其安装在所述第一隔膜(36A)的与所述第一凹部单元(22A)的开口边缘的外侧的一侧上; 以及第一安装构件(44A),其在将所述第一隔膜(36A)和所述第一弹性体(42A)朝所述第一容纳面单元(30A)按压的同时,安装在所述基体(14)上。
    • 67. 发明公开
    • 압력 센서
    • 压力传感器
    • KR1020010051288A
    • 2001-06-25
    • KR1020000063486
    • 2000-10-27
    • 테에르베 오토모티브 일렉트로닉스 운트 콤포넌츠 게엠베하
    • 알트만마르쿠스스코플자네크로베르트뮐러클레멘스
    • G01L9/02
    • G01L9/0051G01L9/0048
    • PURPOSE: A pressure sensor is provided, which generates variables measured by a pressure ratio equation and also controls a switching operation according to a function of a pressure, and thus is appropriate for automotive engineering appliances. CONSTITUTION: The pressure sensor includes a sensor diaphragm(12) which comprises the first surface revealed to a fluid by a pressure and the second surface supported on a rigid supporting block(14) and is fabricated with a nonconductive elastic polymer material. Micro particles of a conductive material are buried and distributed uniformly in the elastic polymer material so that an electric resistivity of the sensor diaphragm varies to be able to be measured by the compression of the sensor diaphragm induced by a pressing fluid. The sensor diaphragm contacts with a pair of contact points(16) at more than two regions separated each other. And the sensor diaphragm comprises an external brim, and one of the above contact points is formed by a contact ring contacting with the edge.
    • 目的:提供压力传感器,其产生通过压力比方程测量的变量,并且还根据压力的函数来控制切换操作,因此适用于汽车工程设备。 构成:压力传感器包括传感器隔膜(12),其包括通过压力而暴露于流体的第一表面和支撑在刚性支撑块(14)上的第二表面,并且用非导电弹性聚合物材料制造。 导电材料的微粒被均匀地埋入并分散在弹性聚合物材料中,使得传感器隔膜的电阻率变化,以便能够通过由压制流体引起的传感器隔膜的压缩来测量。 传感器隔膜与彼此分开的两个以上区域的一对接触点(16)接触。 并且传感器隔膜包括外部边缘,并且上述接触点之一由与边缘接触的接触环形成。
    • 69. 发明公开
    • MEMS PRESSURE SENSOR WITH MODIFIED CAVITY TO IMPROVE BURST PRESSURE
    • 带改性腔的MEMS压力传感器改善爆破压力
    • EP3196617A1
    • 2017-07-26
    • EP17150950.8
    • 2017-01-11
    • Rosemount Aerospace Inc.
    • ZHANG, WeibinPOTASEK, David P.
    • G01L9/00G01L19/06
    • B81B3/0021B81B2203/0127B81C1/00158B81C2201/0132B81C2201/0133G01L9/0048G01L19/0618
    • A method for producing a silicon based MEMS pressure sensor includes forming a cavity in a first (100) surface of a silicon wafer with first and second parallel (100) surfaces wherein the angle between the walls of the first cavity and the first (100) surface where they intersect the first (100) surface are greater than 90 degrees and the remaining material between the bottom of the cavity and the second parallel (100) surface comprises a flexible diaphragm. The method also includes forming a backing wafer, having a through hole, and bonding the silicon wafer to the backing wafer such that the hole in the backing wafer matches up with the cavity in the second side of the (100) silicon wafer. A dielectric layer is formed on the second side of the (100) silicon wafer and a sensing element is formed on the dielectric layer to detect pressure induced deflection of the silicon diaphragm.
    • 一种用于制造硅基MEMS压力传感器的方法包括:在具有第一和第二平行(100)表面的硅晶片的第一(100)表面中形成空腔,其中第一空腔的壁和第一(100) 它们与第一(100)表面相交的表面大于90度,并且腔体的底部和第二平行(100)表面之间的剩余材料包括柔性隔膜。 该方法还包括形成具有通孔的背衬晶片,并且将硅晶片结合到背衬晶片,使得背衬晶片中的孔与(100)硅晶片的第二侧中的空腔匹配。 在(100)硅晶片的第二侧上形成介电层,并且在介电层上形成感测元件以检测硅膜的压力引起的偏转。