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71. 发明专利

TW201947713A 半導體封裝及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TW201947713A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW107130333
申请日：2018-08-30
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張簡上煜 , CHANG CHIEN, SHANG-YU , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48 , H01L21/60
摘要：一種半導體封裝包括超薄重佈線路結構、半導體晶粒、第一絕緣密封體、半導體晶片堆疊體以及第二絕緣密封體。半導體晶粒配置於超薄重佈線路結構上，且與之電耦合。第一絕緣密封體配置於超薄重佈線路結構上，且密封半導體晶粒。半導體晶片堆疊體配置於第一絕緣密封體上，且電耦合至超薄重佈線路結構。第二絕緣密封體配置於超薄重佈線路結構上，且密封半導體晶片堆疊體與第一絕緣密封體。另提供一種半導體封裝的製造方法。
简体摘要：一种半导体封装包括超薄重布线路结构、半导体晶粒、第一绝缘密封体、半导体芯片堆栈体以及第二绝缘密封体。半导体晶粒配置于超薄重布线路结构上，且与之电耦合。第一绝缘密封体配置于超薄重布线路结构上，且密封半导体晶粒。半导体芯片堆栈体配置于第一绝缘密封体上，且电耦合至超薄重布线路结构。第二绝缘密封体配置于超薄重布线路结构上，且密封半导体芯片堆栈体与第一绝缘密封体。另提供一种半导体封装的制造方法。

72. 发明专利

TWI677035B 半導體封裝及半導體封裝的製程方法有权
简体标题：半导体封装及半导体封装的制程方法
公开(公告)号：TWI677035B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106140641
申请日：2017-11-23
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN , 張簡上煜 , CHANG CHIEN, SHANG-YU
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/28 , H01L23/488

73. 发明专利

TW201903992A 封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201903992A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107109765
申请日：2018-03-22
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張簡上煜 , CHANG CHIEN, SHANG-YU , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/683
摘要：一種封裝結構，包括第一重佈線結構、晶片、絕緣密封體以及保護層。第一重佈線結構具有第一表面以及相對於第一表面的第二表面。晶片配置於第一重佈線結構的第一表面上，且具有主動面以及相對於主動面的背面。絕緣密封體密封晶片以及第一重佈線結構的第一表面。保護層直接地配置於晶片的背面上。另提供一種封裝結構的製造方法。
简体摘要：一种封装结构，包括第一重布线结构、芯片、绝缘密封体以及保护层。第一重布线结构具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。芯片配置于第一重布线结构的第一表面上，且具有主动面以及相对于主动面的背面。绝缘密封体密封芯片以及第一重布线结构的第一表面。保护层直接地配置于芯片的背面上。另提供一种封装结构的制造方法。

74. 发明专利

TWI635579B 封裝結構及其製造方法有权
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI635579B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106123444
申请日：2017-07-13
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/045

75. 发明专利

TW201826476A 封裝結構的製造方法审中-公开
简体标题：封装结构的制造方法
公开(公告)号：TW201826476A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106117813
申请日：2017-05-31
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/28
摘要：本發明提供一種封裝結構的製造方法。首先，提供載板。於載板上形成導電層。於導電層上形成導電邊框，導電邊框連接導電層。將晶片置於導電層上，導電邊框環繞晶片。形成絕緣封裝體以包覆晶片，絕緣封裝體露出晶片的主動表面。於晶片的主動表面上形成重新佈線層，重新佈線層從主動表面上往絕緣封裝體上延伸。
简体摘要：本发明提供一种封装结构的制造方法。首先，提供载板。于载板上形成导电层。于导电层上形成导电边框，导电边框连接导电层。将芯片置于导电层上，导电边框环绕芯片。形成绝缘封装体以包覆芯片，绝缘封装体露出芯片的主动表面。于芯片的主动表面上形成重新布线层，重新布线层从主动表面上往绝缘封装体上延伸。

76. 发明专利

TW201826473A 封裝結構及其製造方法审中-公开
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201826473A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106129895
申请日：2017-09-01
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/28
摘要：一種封裝結構的製造方法。本方法至少包括以下步驟。在線路層上形成多個導電連接件。線路層包括中央區以及電性連接至中央區的外圍區。在線路層的中央區配置晶片。晶片包括主動面以及位於主動面上的感測區，主動面與線路層之間具有距離。在線路層上形成密封體，以密封晶片以及導電連接件。在密封體上形成重佈線路層，以電性連接晶片以及導電連接件。重佈線路層部分覆蓋晶片，且重佈線路層包括對應於晶片的感測區的窗口。一種封裝結構亦被提出。
简体摘要：一种封装结构的制造方法。本方法至少包括以下步骤。在线路层上形成多个导电连接件。线路层包括中央区以及电性连接至中央区的外围区。在线路层的中央区配置芯片。芯片包括主动面以及位于主动面上的传感区，主动面与线路层之间具有距离。在线路层上形成密封体，以密封芯片以及导电连接件。在密封体上形成重布线路层，以电性连接芯片以及导电连接件。重布线路层部分覆盖芯片，且重布线路层包括对应于芯片的传感区的窗口。一种封装结构亦被提出。

77. 发明专利

TWI701750B 封裝製程的測試方法及封裝結構有权
简体标题：封装制程的测试方法及封装结构
公开(公告)号：TWI701750B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW108100443
申请日：2017-12-15
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：徐宏欣 , HSU,HUNG-HSIN , 張簡上煜 , CHANG CHIEN,SHANG-YU , 林南君 , LIN,NAN-CHUN
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/56 , H01L23/58

78. 发明专利

TWI692819B 半導體封裝及其製造方法有权
简体标题：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：TWI692819B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108103456
申请日：2019-01-30
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張簡上煜 , CHANG CHIEN, SHANG-YU , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/28 , H01L23/48

79. 发明专利

TWI683376B 封裝結構及其製造方法有权
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI683376B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107125569
申请日：2018-07-24
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：林南君 , LIN, NAN-CHUN , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN
IPC分类号： H01L21/54 , H01L21/56 , H01L23/16 , H01L23/28

80. 发明专利

TWI677066B 封裝結構及其製造方法有权
简体标题：封装结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI677066B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW107141430
申请日：2018-11-21
申请人：力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
发明人：張簡上煜 , CHANG CHIEN, SHANG-YU , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 林南君 , LIN, NAN-CHUN
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60

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