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81. 发明专利

TW201534053A 隔離式高速開關审中-公开
简体标题：隔离式高速开关
公开(公告)号：TW201534053A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW104103233
申请日：2015-01-30
申请人：吉時利儀器公司 , KEITHLEY INSTRUMENTS, INC.
发明人：瑞克斯凱爾 , RAKES, KYLE K.
IPC分类号： H03K17/04 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/04123 , H03K17/04163 , H03K17/08104 , H03K17/6871 , H03K17/6877 , H03K17/689 , H03K17/785
摘要：一種電路結構以驅動隔離式高速金屬-氧化物-半導體場效電晶體(MOSFET)開關，包括組構以操作如開關之第一MOSFET及第二MOSFET、電容、與該電容並聯之充電構件、與該充電構件串聯之第一開關以及與該充電構件及該電容串聯之第二開關。當第二開關為開啟及第一開關為關閉時，該電容中之儲存電壓傳送至該第一MOSFET及該第二MOSFET的閘極。
简体摘要：一种电路结构以驱动隔离式高速金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)开关，包括组构以操作如开关之第一MOSFET及第二MOSFET、电容、与该电容并联之充电构件、与该充电构件串联之第一开关以及与该充电构件及该电容串联之第二开关。当第二开关为打开及第一开关为关闭时，该电容中之存储电压发送至该第一MOSFET及该第二MOSFET的闸极。

82. 发明专利

TW200826458A 半橋式驅動裝置 HALF BRIDGE DRIVER 失效
简体标题：半桥式驱动设备 HALF BRIDGE DRIVER
公开(公告)号：TW200826458A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW095144824
申请日：2006-12-01
申请人：聯昌電子企業股份有限公司
发明人：陳振剛 , 王政雄
IPC分类号： H02M , G09G
CPC分类号： H02M7/538 , H03K17/6871 , H03K17/785 , H05B41/2827
摘要：一種半橋式驅動裝置包括有:一推挽式控制晶片,係輸出占空比小於50%的第一控制訊號與第二控制訊號;一驅動電路耦接於該推挽式控制晶片與一直流電源,係接受該第一控制訊號與該第二控制訊號;及一由二個N通道場效電晶體組成之半橋式開關組件,該半橋式開關組件耦接於該直流電源、該驅動電路及一變壓器,該半橋式開關組件受控於該驅動電路,用以將該直流電源切換為該交流電源傳送至該變壓器之一次側。
简体摘要：一种半桥式驱动设备包括有:一推挽式控制芯片,系输出占空比小于50%的第一控制信号与第二控制信号;一驱动电路耦接于该推挽式控制芯片与一直流电源,系接受该第一控制信号与该第二控制信号;及一由二个N信道场效应管组成之半桥式开关组件,该半桥式开关组件耦接于该直流电源、该驱动电路及一变压器,该半桥式开关组件受控于该驱动电路,用以将该直流电源切换为该交流电源发送至该变压器之一次侧。

83. 发明申请

WO2019114165A1 一种抗干扰的光耦继电器审中-公开
公开(公告)号：WO2019114165A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/CN2018/083025
申请日：2018-04-13
申请人：无锡豪帮高科股份有限公司
发明人：袁野 , 袁瓅 , 张国珠 , 滕爱武
IPC分类号： H03K17/78
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/72 , H03K17/78 , H03K17/785
摘要：一种抗干扰的光耦继电器，涉及电子技术领域，包括耦合电路（100）、过零驱动电路（200）和开关电路（300）；所述过零驱动电路（200）用于延时触发；所述耦合电路（100）包括信号发送端（110）和信号接收端（120），所述信号发送端（110）与所述信号接收端（120）物理隔离；所述信号发送端（110）用于与所述光耦继电器外部的输入信号相连；所述开关电路（300）包括控制端（310）和开关端（320）；所述过零驱动电路（200）连接在所述信号接收端（120）与所述开关电路（300）的控制端（310）之间；所述开关电路（300）的开关端（320）用于与所述光耦继电器外部的负载电路相连。解决了传统的光耦继电器容易出现较大的噪声干扰的问题，达到了避免产生噪声干扰的效果。

84. 发明申请

WO2016121114A1 デジタル出力回路、プリント配線基板および工業機器审中-公开
标题翻译：数字输出电路，印刷电路板和工业设备
公开(公告)号：WO2016121114A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：PCT/JP2015/052751
申请日：2015-01-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：塩野谷　浩生 , 石坂　哲 , 廣川　悠 , 射延　誠悟
IPC分类号： H03K17/687 , G05B19/05 , H03K17/78
CPC分类号： H03K17/795 , H03K17/785 , H03K2217/0081
摘要：　絶縁電源回路４が生成した電源電圧により駆動され、コントローラ５によって処理された信号に応答する絶縁回路７の受光素子９ａにより出力されるゲート信号により、負荷である出力機器に接続された外部電源をＯＮ／ＯＦＦ制御する出力トランジスタを備えて構成されるデジタル出力回路であって、受光素子９と出力トランジスタ１７のソースまたはエミッタとの間の配線接続の接続未接続を２箇所において切り替える第１の接続切り替え機構１４ａおよび第２の接続切り替え機構１４ｂを有する配線切り替え機能部１４と、出力トランジスタ１３のタイプに対応して受光素子９の出力論理の反転を調整する論理調整機能部２０と、を備えて、シンク電流タイプの回路構成とソース電流タイプの回路構成とを切り替える。
摘要翻译：数字输出电路包括输出晶体管，其根据由绝缘电路7产生的电源电压驱动的绝缘电路7的光接收元件9输出的栅极信号进行输出，并且响应于由控制器5处理的信号，对连接到作为负载的输出装置的外部电源进行ON / OFF控制。数字输出电路包括：布线切换功能单元14，包括第一连接切换机构14a和第二连接切换机构14b，其在两个位置处执行光接收元件9和源之间的布线的连接和断开的切换，或输出晶体管13的发射极; 以及逻辑调整功能单元20，其根据输出晶体管13的类型调整光接收元件9的输出逻辑的反相，并执行灌电流型电路配置和源电流型电路配置之间的切换。

85. 发明申请

WO2011151681A3 SEMICONDUCTOR DEVICE AND SOLID STATE RELAY USING SAME 审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151681A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/IB2011000350
申请日：2011-02-23
申请人： PANASONIC CORP , OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
发明人： OKADA HIROSHI , SUNADA TAKUYA , OOMORI TAKESHI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L31/12 , H03K17/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/167 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7811 , H01L2224/37011 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/6874 , H03K17/785 , H03K2217/0009 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要： A semiconductor device wherein at least one transistor cell is provided in a silicon carbide (SiC) substrate (1) of a first conductivity type. Each transistor cell is provided with: a well region (3) of a second conductivity type, which is formed in the first surface of the SiC substrate (1); a source region (4) configured from a region of the first conductivity type, which is formed within the well region (3); a gate electrode (7) formed thereupon with a gate-insulating film (6) interposed therebetween; a source electrode (5) formed so as to contact the source region (4); and a drain electrode (9) formed on the second surface side of the SiC substrate (1). The semiconductor device is further provided with a region (3p) of the second conductivity type, which is located to the outside of the outermost transistor cells, surrounds the well regions (3) at positions adjacent thereto, and is insulated from the gate electrode (7) and the source electrode (5). As a result of this configuration, it is possible to reduce the leakage current when applying a high voltage.
摘要翻译：一种半导体器件，其中至少一个晶体管单元设置在第一导电类型的碳化硅（SiC）衬底（1）中。每个晶体管单元设置有形成在SiC衬底（1）的第一表面中的第二导电类型的阱区（3）; 源区域（4），其由形成在所述阱区域（3）内的所述第一导电类型的区域构成; 在其间形成有栅极绝缘膜（6）的栅电极（7）; 形成为与源极区域（4）接触的源极（5）; 和形成在SiC衬底（1）的第二表面侧上的漏电极（9）。半导体器件还设置有位于最外晶体管单元的外侧的第二导电类型的区域（3p），在与其相邻的位置处围绕阱区域（3），并与栅电极（ 7）和源电极（5）。作为该结构的结果，可以在施加高电压时减小漏电流。

86. 发明申请

WO2011151682A2 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151682A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/IB2011/000361
申请日：2011-02-23
申请人：パナソニック電工株式会社 , 岡田洋 , 砂田卓也 , 大森猛司
发明人：岡田　洋 , 砂田　卓也 , 大森　猛司
IPC分类号： H03K17/78
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L23/62 , H01L25/167 , H01L27/0255 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/7802 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L31/173 , H01L2924/0002 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/785 , H01L2924/00
摘要：半導体装置は、ユニポーラ型の化合物半導体素子と、前記化合物半導体素子に並列的に外部接続されたバイパス用半導体素子とを具備する。前記バイパス用半導体素子の通電開始電圧が前記化合物半導体素子のソースからトレイン方向の通電開始電圧よりも小さい。
摘要翻译：半导体器件设置有与化合物半导体元件并联外部连接的单极化合物半导体元件和旁路半导体元件。旁路半导体元件的击穿电压低于化合物半导体元件在从源极到漏极方向的击穿电压。

87. 发明申请

WO2011151681A2 半導体装置およびこれを用いた半導体リレー审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用相同的固态继电器
公开(公告)号：WO2011151681A2
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/IB2011/000350
申请日：2011-02-23
申请人：パナソニック電工株式会社 , 岡田洋 , 砂田卓也 , 大森猛司
发明人：岡田　洋 , 砂田　卓也 , 大森　猛司
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66068 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/167 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/7811 , H01L2224/37011 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H03K17/6874 , H03K17/785 , H03K2217/0009 , H01L2924/00 , H01L2224/37099 , H01L2224/84
摘要：第１導電型の炭化珪素（ＳｉＣ）基板１内に、少なくとも一つのトランジスタセルを備える。それぞれのトランジスタセルは、上記ＳｉＣ基板の第１面に形成された第２導電型のウェル領域と、上記ウェル領域内に形成された第１導電型の領域からなるソース領域と、上記ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ソース領域にコンタクトするように形成されたソース電極と、上記ＳｉＣ基板１の第２の面側に形成されたドレイン電極とを具備しており、上記半導体装置は、上記トランジスタセルのうちの最外セルの外側に、隣接して上記ウェル領域を囲み、上記ゲート電極および上記ソース電極のいずれに対しても絶縁された第２導電型領域を具備している。
摘要翻译：一种半导体器件，其中至少一个晶体管单元设置在第一导电类型的碳化硅（SiC）衬底（1）中。每个晶体管单元设置有形成在SiC衬底的第一表面中的第二导电类型的阱区; 源区域，其由形成在所述阱区域内的所述第一导电类型的区域构成; 在其间形成有栅极绝缘膜的栅电极; 形成为与源极区域接触的源电极; 和形成在SiC衬底（1）的第二表面侧上的漏电极。半导体器件还具有第二导电类型的区域，该区域位于最外面的晶体管单元的外部，以便围绕相邻位置处的阱区域并与栅电极和源电极绝缘。

88. 发明申请

WO2007037212A1 受光回路およびディジタルシステム审中-公开
标题翻译：光接收电路和数字系统
公开(公告)号：WO2007037212A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319006
申请日：2006-09-26
申请人：日本電気株式会社 , 水野正之 , 大橋啓之 , 野瀬浩一 , 西研一
发明人：水野正之 , 大橋啓之 , 野瀬浩一 , 西研一
IPC分类号： H04B10/04 , H03K17/687 , H03K19/0944 , H04B10/06 , H04B10/14 , H04B10/26 , H04B10/28
CPC分类号： H04B10/69 , H03K17/785
摘要：　受光回路（114）に、光伝送路（101）から出力される１系統の光信号を電気信号に変換し且つ該電気信号の電位を光信号の検出ごとに反転させる光入力回路（113）と、光入力回路により変換された電気信号を増幅して出力するバッファ回路（110）とを備える。かかる構成によれば、受光回路に１系統の光信号を入力すればよいことから、システムの回路構成が複雑になることを回避できる。　
摘要翻译：光接收电路（114）设置有光输入电路（113），该光输入电路将从光传输路径（101）输出的一个系统的光信号转换成电信号，并且每次光学信号转换电信号的电位信号被检测，以及缓冲电路（110），放大由光输入电路转换的电信号，并输出放大的信号。因此，由于仅需要将一个系统的光信号输入到光接收电路，所以可以防止系统的电路结构复杂化。

89. 发明申请

WO2003050957A1 EFFICIENT SOLID STATE SWITCHING AND CONTROL SYSTEM FOR RETRACTABLE AIRCRAFT LANDING LIGHTS 审中-公开
标题翻译：有效的固态开关和可控制的飞机照明灯控制系统
公开(公告)号：WO2003050957A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/US2002/037840
申请日：2002-11-25
申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人： MELVIN, Duane, F. , MUBASLAT, Saed, M.
IPC分类号： H03K17/687
CPC分类号： B64D47/04 , H03K17/163 , H03K17/6874 , H03K17/785
摘要： A solid state control switching and control system (200) for retractable landing lights. A control unit (208) uses an absolute position sensor (214) to monitor the position of the lighthead (210) of the retractable landing light, and actuates a motor (216), brake (217), and lamp (212) in response to command signals (220, 221, 223) from the flight crew. Actuation of the motor (216), brake (217), and lamp (212) with solid state switches (100) is gradual and synchronized to minimize electromagnetic interference and extend component life.
摘要翻译：一种用于可伸缩落地灯的固态控制切换和控制系统（200）。控制单元（208）使用绝对位置传感器（214）来监视可伸缩的着陆灯的光头（210）的位置，并响应于启动电动机（216），制动器（217）和灯（212）从飞行机组指挥信号（220,221,223）。具有固态开关（100）的电动机（216），制动器（217）和灯（212）的驱动是渐进和同步的，以最小化电磁干扰并延长部件寿命。

90. 发明申请

WO02029949A2 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PROTECTIVE FUNCTIONS 审中-公开
标题翻译：具有保护功能的半导体器件
公开(公告)号：WO02029949A2
公开(公告)日：2002-04-11
申请号：PCT/JP2001/008419
申请日：2001-09-27
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/78 , H03K17/00 , H03K17/08 , H03K17/082 , H03K17/785 , H02H
CPC分类号： H03K17/785 , H01L27/0251 , H01L27/0266 , H01L2924/0002 , H03K17/0822 , H03K2017/0806 , H01L2924/00
摘要： ABSTRACTThe semiconductor device is inserted between a power source and a load. A current flowing between an external drain terminal D and an external source terminal S is controlled in accordance with a control voltage applied between an external gate terminal G and the external source terminal S. In addition, the semiconductor device has a main MOSFET 1 and a detecting MOSFET 2 each of which is inserted between the external drain terminal D and the external source terminal S, a protective circuit 3 which protects the main MOSFET 1 by a protective transistor 5 when the abnormality is detected thereby, and an impedance element 4 inserted between the protective MOSFET 5, and a junction connecting the external gate terminal G to a gate electrode of the detecting MOSFET 2.
摘要翻译：摘要：将半导体器件插入电源和负载之间。根据施加在外部栅极端子G和外部源极端子S之间的控制电压来控制在外部漏极端子D和外部源极端子S之间流动的电流。另外，半导体器件具有主MOSFET 1和检测MOSFET 2，其插入在外部漏极端子D和外部源极端子S之间;保护电路3，其在检测到异常时由保护晶体管5保护主MOSFET 1;以及阻抗元件4，其插入在保护MOSFET5以及将外部栅极端子G连接到检测用MOSFET2的栅电极的结。

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