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1. 发明专利

TW202030836A 基板處理方法、及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法、及基板处理设备
公开(公告)号：TW202030836A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142885
申请日：2019-11-26
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：川渕洋介 , KAWABUCHI, YOSUKE
IPC分类号： H01L21/70 , H01L23/34
摘要： [課題] 提供能夠在覆蓋凹凸圖案的液膜的乾燥時抑制凹凸圖案的圖案坍塌的技術。 [解決機構] 一種基板處理方法，具有：對基板的形成凹凸圖案的上面供應乾燥液，形成包含前述乾燥液的液膜的工程；將前述基板的上面，從前述乾燥液的液膜露出的工程；前述露出的工程，包含：在前述乾燥液的液膜的水平方向相鄰的第1區域與第2區域之間，產生表面張力差的工程；藉由前述表面張力差，從前述第1區域向前述第2區域排出前述乾燥液的工程。
简体摘要： [课题] 提供能够在覆盖凹凸图案的液膜的干燥时抑制凹凸图案的图案坍塌的技术。 [解决机构] 一种基板处理方法，具有：对基板的形成凹凸图案的上面供应干燥液，形成包含前述干燥液的液膜的工程；将前述基板的上面，从前述干燥液的液膜露出的工程；前述露出的工程，包含：在前述干燥液的液膜的水平方向相邻的第1区域与第2区域之间，产生表面张力差的工程；借由前述表面张力差，从前述第1区域向前述第2区域排出前述干燥液的工程。

2. 发明专利

TWI700160B 基板搬送方法及基板處理系統有权
简体标题：基板搬送方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI700160B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW106110242
申请日：2017-03-28
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：近藤圭祐 , KONDOH, KEISUKE
IPC分类号： B25J15/02 , B25J18/04 , B25J9/06 , H01L21/68

3. 发明专利

TWI699848B 基板收納方法及基板處理裝置有权
简体标题：基板收纳方法及基板处理设备
公开(公告)号：TWI699848B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW105123372
申请日：2016-07-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：板倉章 , ITAKURA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/673

4. 发明专利

TW202027215A 基板載置台、基板處理裝置及基板載置台的製造方法审中-公开
简体标题：基板载置台、基板处理设备及基板载置台的制造方法
公开(公告)号：TW202027215A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108142089
申请日：2019-11-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：南雅人 , MINAMI, MASATO , 佐佐木芳彦 , SASAKI, YOSHIHIKO
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/3065 , H02N13/00 , C23C4/06
摘要： [課題] 提供在對FPD用之基板進行蝕刻處理等時，對抑制載置於基板載置台的基板之背面的傷痕之產生有利的基板載置台及其製造方法、以及基板處理裝置。 [解決手段] 係在處理容器內載置基板的基板載置台，該基板載置台具有：基材；及形成於前述基材之基材上面的靜電吸盤；在前述靜電吸盤之靜電吸盤上面形成有載置前述基板的披覆層，前述披覆層係由維氏硬度為150Hv至500Hv之範圍的氟化金屬、氧化金屬、或氟氧化物金屬形成，前述披覆層之中之載置前述基板的載置面之至少一部分之表面粗度Ra為2μm至10μm之範圍。
简体摘要： [课题] 提供在对FPD用之基板进行蚀刻处理等时，对抑制载置于基板载置台的基板之背面的伤痕之产生有利的基板载置台及其制造方法、以及基板处理设备。 [解决手段] 系在处理容器内载置基板的基板载置台，该基板载置台具有：基材；及形成于前述基材之基材上面的静电吸盘；在前述静电吸盘之静电吸盘上面形成有载置前述基板的披覆层，前述披覆层系由维氏硬度为150Hv至500Hv之范围的氟化金属、氧化金属、或氟氧化物金属形成，前述披覆层之中之载置前述基板的载置面之至少一部分之表面粗度Ra为2μm至10μm之范围。

5. 发明专利

TW202027129A 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW202027129A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108125223
申请日：2019-07-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：古閑法久 , KOGA, NORIHISA , 小西儀紀 , KONISHI, YOSHITAKA , 飯田成昭 , IIDA, NARUAKI , 大石雄三 , OHISHI, YUZO , 竹下和宏 , TAKESHITA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： [課題] 提供一種「在將處理用的光照射至基板之表面的基板處理中，對提高基板之表面內的光之照射量的均勻性有效」之基板處理裝置。 [解決手段] 基板處理裝置(1)，係具備有：光照射部(30)，將處理用的光照射至比晶圓(W)之表面(Wa)的處理對象區域(TA)更小的照射區域(A1)內；驅動部(15)，在沿著晶圓(W)之表面(Wa)的平面內，使照射區域(A1)沿彼此交叉的二方向移動；及控制器(100)，以根據被設定成將光照射至處理對象區域(TA)之整個區域的移動圖案，使照射位置沿二方向移動的方式，控制驅動部(15)。
简体摘要： [课题] 提供一种“在将处理用的光照射至基板之表面的基板处理中，对提高基板之表面内的光之照射量的均匀性有效”之基板处理设备。 [解决手段] 基板处理设备(1)，系具备有：光照射部(30)，将处理用的光照射至比晶圆(W)之表面(Wa)的处理对象区域(TA)更小的照射区域(A1)内；驱动部(15)，在沿着晶圆(W)之表面(Wa)的平面内，使照射区域(A1)沿彼此交叉的二方向移动；及控制器(100)，以根据被设置成将光照射至处理对象区域(TA)之整个区域的移动图案，使照射位置沿二方向移动的方式，控制驱动部(15)。

6. 发明专利

TWI698707B 化學增幅型抗蝕劑材料有权
简体标题：化学增幅型抗蚀剂材料
公开(公告)号：TWI698707B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105126480
申请日：2016-08-19
申请人：國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY , 日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：中川恭志 , NAKAGAWA, HISASHI , 成岡岳彦 , NARUOKA, TAKEHIKO , 永井智樹 , NAGAI, TOMOKI , 田川精一 , TAGAWA, SEIICHI , 大島明博 , OSHIMA, AKIHIRO , 永原誠司 , NAGAHARA, SEIJI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027

7. 发明专利

TWI697955B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI697955B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW106130920
申请日：2017-09-11
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：福島講平 , FUKUSHIMA, KOHEI , 似鳥弘彌 , NITADORI, HIROMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/455

8. 发明专利

TWI697945B 基板處理方法及基板處理系統有权
简体标题：基板处理方法及基板处理系统
公开(公告)号：TWI697945B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105141621
申请日：2016-12-15
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸本洋 , MARUMOTO, HIROSHI , 河野央 , KAWANO, HISASHI , 清瀬浩巳 , KIYOSE, HIROMI , 中森光則 , NAKAMORI, MITSUNORI , 光岡一行 , MITSUOKA, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/67

10. 发明专利

TW202022917A 電子束介導電漿蝕刻及沉積製程之設備及方法审中-公开
简体标题：电子束介导等离子蚀刻及沉积制程之设备及方法
公开(公告)号：TW202022917A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131486
申请日：2019-09-02
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：凡特薩克彼得 , VENTZEK, PETER , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01J37/147 , H01L21/3065 , H01L21/20
摘要：所揭示之實施例將電子束施加至微電子工件之基板以改善電漿蝕刻及沉積製程。使電子束產生並利用DC(直流)偏壓、RF(射頻)電漿源、及/或其他電子束產生及控制技術以將電子束導向基板表面。對於某些實施例而言，受DC偏壓的RF電漿源(例如DC疊加(DCS)或混合式DC-RF源)係用以在與受DC偏壓之電極相對的表面上提供可控的電子束。對於某些進一步的實施例而言，受DC偏壓之電極為脈衝的。此外，電子束亦可經由從外部及/或非雙極性源提取電子束而產生。所揭示之技術亦可與額外的電子束源及/或額外的蝕刻或沉積製程一起使用。
简体摘要：所揭示之实施例将电子束施加至微电子工件之基板以改善等离子蚀刻及沉积制程。使电子束产生并利用DC(直流)偏压、RF(射频)等离子源、及/或其他电子束产生及控制技术以将电子束导向基板表面。对于某些实施例而言，受DC偏压的RF等离子源(例如DC叠加(DCS)或混合式DC-RF源)系用以在与受DC偏压之电极相对的表面上提供可控的电子束。对于某些进一步的实施例而言，受DC偏压之电极为脉冲的。此外，电子束亦可经由从外部及/或非双极性源提取电子束而产生。所揭示之技术亦可与额外的电子束源及/或额外的蚀刻或沉积制程一起使用。

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