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热词
    • 1. 发明专利
    • 電子部品の放熱構造
    • JP2019161063A
    • 2019-09-19
    • JP2018046999
    • 2018-03-14
    • オムロン株式会社
    • 野坂 紀元西川 武男岩井 聡
    • H01L23/36
    • 【課題】発熱体の熱を効率よく放熱体へ伝達して放熱効果を向上させることが可能な電子部品の放熱構造を提供する。 【解決手段】放熱構造20は、半導体デバイス10、基板11、ヒートスプレッダ13、銅インレイ14、絶縁層15、ヒートシンク16を備える。基板11は、半導体デバイス10が第1面11aに配置され、半導体デバイス10の熱が伝達される。ヒートスプレッダ13は、第1面11aにおいて半導体デバイス10に近接配置され、基板11に伝達された熱を拡散する。銅インレイ14は、基板11内に設けられ、第1面11a側において半導体デバイス10とヒートスプレッダ13とにまたがるように配置された銅インレイ14aと、ヒートスプレッダ13から熱が伝達される位置に配置された銅インレイ14bとを有する。ヒートシンク16は、基板11の第2面11bに配置され、銅インレイ14を介して伝達される熱を大気に放出する。 【選択図】図2
    • 4. 发明专利
    • インバータ回路及び電力変換装置
    • 逆变器电路和电源转换器
    • JP2017017842A
    • 2017-01-19
    • JP2015131464
    • 2015-06-30
    • オムロン株式会社
    • 西川 武男岡田 亘俵木 隆圭岩井 聡
    • H02M7/48
    • H02M7/48
    • 【課題】SJ−MOSFET等の寄生容量が大きいスイッチング素子を用いた場合であっても、サージ電圧を抑制することが可能なインバータ回路及び電力変換装置を提供する。 【解決手段】電力変換装置1が備えるインバータ回路10は、フルブリッジインバータ部11と、短絡部12とを備え、短絡部12は、スイッチング素子Q5,Q6と、スイッチング素子Q5,Q6に接続されたクランプ素子D3,D4を備える。そして、クランプ素子D3,D4により、スイッチング素子Q5,Q6にサージ電圧等の過大な電圧が印加されることを抑制する。 【選択図】図1
    • 甲即使当寄生电容如SJ-MOSFET使用大的开关元件,以提供逆变器电路和能够抑制浪涌电压的电力转换装置。 在电力变换装置1所具备的逆变器电路10被提供有一个全桥逆变器11,和一个短路部分12,短路部分12包括开关元件Q5,Q6,分别连接到开关元件Q5,Q6 包括夹紧元件D3,D4。 然后,由夹紧元件D3,D4,抑制过大的电压浪涌电压等开关元件Q5,Q6被应用。 点域1
    • 8. 发明专利
    • 電子部品の放熱構造
    • JP6551566B1
    • 2019-07-31
    • JP2018046999
    • 2018-03-14
    • オムロン株式会社
    • 野坂 紀元西川 武男岩井 聡
    • H01L23/36
    • 【課題】発熱体の熱を効率よく放熱体へ伝達して放熱効果を向上させることが可能な電子部品の放熱構造を提供する。 【解決手段】放熱構造20は、半導体デバイス10、基板11、ヒートスプレッダ13、銅インレイ14、絶縁層15、ヒートシンク16を備える。基板11は、半導体デバイス10が第1面11aに配置され、半導体デバイス10の熱が伝達される。ヒートスプレッダ13は、第1面11aにおいて半導体デバイス10に近接配置され、基板11に伝達された熱を拡散する。銅インレイ14は、基板11内に設けられ、第1面11a側において半導体デバイス10とヒートスプレッダ13とにまたがるように配置された銅インレイ14aと、ヒートスプレッダ13から熱が伝達される位置に配置された銅インレイ14bとを有する。ヒートシンク16は、基板11の第2面11bに配置され、銅インレイ14を介して伝達される熱を大気に放出する。 【選択図】図2