专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015173243A 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：JP2015173243A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014169719
申请日：2014-08-22
申请人：三菱化学株式会社
发明人：栗原香 , 長尾哲 , 下山謙司
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/32
摘要：【課題】電極形成が容易で、かつ、順方向電圧の低減し得る半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を実現する。【解決手段】m面GaN基板と、前記m面GaN基板のおもて面にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、前記発光構造の上面に形成された、金属(マグネシウムを除く)からなるp側コンタクト電極と、を備え、前記m面GaN基板、前記発光構造及び前記p側コンタクト電極に印加される順方向電流が20mAのときに、順方向電圧が4.7V以下であることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易形成电极并且能够降低正向电压的半导体发光元件以及制造半导体发光元件的方法。解决方案：半导体发光元件包括 m面GaN衬底，通过使用GaN基半导体在m面GaN衬底的前表面上形成的发光结构以及形成在发光结构的上表面上的p侧接触电极并由金属（不含镁）制成。当施加到m面GaN衬底，发光结构和p侧接触电极的正向电流为20mA时，正向电压为4.7V以下。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式