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1. 发明专利

JP2016143771A エピタキシャルウエハ、半導体発光素子、発光装置及びエピタキシャルウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：外延波长，半导体发光元件，发光器件和外延波形的制造方法
公开(公告)号：JP2016143771A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015018689
申请日：2015-02-02
申请人：三菱化学株式会社
发明人：栗原香
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/06 , H01L33/50 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要：【課題】貫通転位を意図的に発生させることなく、順方向電圧を低減させ得ると共に光出力を向上させ得るエピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハは、c面GaN基板と、前記c面GaN基板の一方側の主表面上に形成されたn型導電層と、前記n型導電層の一方側の主表面上に形成され、量子井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸層からなる発光層と、前記n型導電層と前記障壁層との間に形成された、GaN層からなる第1中間層と、を備え、前記量子井戸層の層数は3〜6層である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少正向电压并改善光输出而不有意产生穿透位错的外延晶片。解决方案：外延晶片包括：c面GaN衬底; 形成在所述c面GaN衬底的主表面的一侧上的n型导电层; 形成在n型导电层的主表面的一侧上的由交替层叠量子阱层和阻挡层形成的多量子阱构成的发光层; 以及形成在n型导电层和阻挡层之间并由GaN层构成的第一中间层。量子阱层的层数为3〜6。选择图：图2

2. 发明专利

JP2017139247A エピタキシャルウエハ、半導体発光素子、発光装置及びエピタキシャルウエハの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017139247A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2014169720
申请日：2014-08-22
申请人：三菱化学株式会社
发明人：栗原香 , 長尾哲
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/48 , H01L33/16
摘要：【課題】発光出力を大幅に向上させ得るエピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハは、m面に対して0°以上10°以下のオフ角を有する面を主表面とするGaN基板と、前記GaN基板の一方側の主表面上に形成されたn型導電層と、前記n型導電層の一方側の主表面上に形成された発光層と、を備え、前記発光層のPLピーク波長は、410nm以上460nm以下であり、前記発光層のPL半値幅は、条件式(1)を満たす。 Δl ≦ L×0.4 − 150 (1) L:PLピーク波長(単位:nm) Δl:PL半値幅(単位:nm) 【選択図】図17

3. 发明专利

JP2016164966A 窒化物半導体ウエハの製造方法、窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体チップ审中-公开
标题翻译：氮化物半导体波导制造方法，氮化物半导体波形和氮化物半导体芯片
公开(公告)号：JP2016164966A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2015190206
申请日：2015-09-28
申请人：三菱化学株式会社
发明人：藤原徹也 , 栗原香 , 長尾哲
IPC分类号： C30B29/38 , H01L33/32 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/205 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/50
摘要：【課題】GaN(30−3−1)基板やGaN(20−2−1)基板のような半極性GaN基板上に、InGaN量子井戸層を含む活性層を成長させることにより得られる窒化物半導体発光素子における、活性層品質を改善する技術を提供すること。【解決手段】M面に対する傾斜が[000−1]方向に6°以上20°以下かつ[000−1]方向と直交する方向に2°以下である窒化物半導体表面を有する基板を準備し、該基板の該窒化物半導体表面の上に、III族原料の供給レートR III (単位:mol/min)とV族原料の供給レートR V (単位:mol/min)との比R V /R III を2000以下にしてInGaN量子井戸層を成長させる。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过在诸如GaN（30-3-1）的半极性GaN衬底上生长包括InGaN量子阱层的有源层而获得的氮化物半导体发光元件中的有源层的质量提高的技术，衬底和GaN（20-2-1）衬底。解决方案：氮化物半导体晶片制造方法包括以下步骤：制备具有与M面倾斜的氮化物半导体表面的衬底不小于6°而不是在[000-1]方向上超过20°并且在与[000-1]方向正交的方向上等于或小于2°; 并且通过控制III族材料的供给速率R（单位：mol / min）和供给量R（单位：mol / min）的比率R / Rof，在衬底的氮化物半导体表面上生长InGaN量子阱层）的V组材料等于或小于2000.SELECTED图：图6

4. 发明专利

JP2016154237A 結晶成長方法および発光素子の製造方法有权
标题翻译：发光装置的晶体生长方法和制造方法
公开(公告)号：JP2016154237A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2016039325
申请日：2016-03-01
申请人：三菱化学株式会社
发明人：堀江秀善 , 栗原香
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/52 , H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02634 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/0075
摘要：【課題】表面モフォロジと光学特性に優れた高品質の窒化物半導体を得るための結晶成長技術を提供すること。【解決手段】GaN自立基板をエピタキシャル成長用反応炉内のサセプタ上に載置して、窒化物主面をアンモニアを含み水素ガスを含まない雰囲気に暴露した状態で550℃以下の温度から700℃以上で1350℃以下である所定の昇温到達温度T A まで昇温する。その後、GaN自立基板の窒化物主面をアンモニアを含む雰囲気に暴露した状態で窒化物主面上にシリコン(Si)原料を意図的に供給することなく第1の窒化物半導体層を700℃以上で1350℃以下である成長温度T g1 でエピタキシャル成長させる。続いて、第1の窒化物半導体層表面をアンモニアを含む雰囲気に暴露した状態で該第1の窒化物半導体層上にn型ドーパント原料を供給しながら第2の窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる。【選択図】図2(A)
摘要翻译：要解决的问题：提供一种晶体生长技术，用于获得具有优异光学特性的高质量的表面形态和氮化物半导体。解决方案：将GaN自支撑衬底安装在反应器中的基座上外延生长和氮化物主表面的温度在暴露于含有氨气体的状态下从550℃或更低直到预定的上升和可实现的温度Tof为700℃以上且1350℃以下没有氢气。此后，在氮化物自支撑基板的氮化物主面暴露于含有氨的气氛的状态下，在700℃以上1350℃以下的生长温度Tof的情况下外延生长第1氮化物半导体层，在氮化物主表面上提供硅（Si）原料。连续地，在第一氮化物半导体层表面暴露于含有氨的气氛的状态下，在将n型掺杂剂原料供应到第一氮化物半导体层上的同时外延生长第二氮化物半导体层。图2（一个）

5. 发明专利

JP2016136594A エピタキシャルウエハ、半導体発光素子、発光装置及びエピタキシャルウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：外延波长，半导体发光元件，发光器件和外延波形的制造方法
公开(公告)号：JP2016136594A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2015011518
申请日：2015-01-23
申请人：三菱化学株式会社
发明人：大内洋一郎 , 栗原香
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/50 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要：【課題】貫通転位を意図的に発生させることなく、順方向電圧を低減させ得ると共に光出力を向上させ得るエピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルウエハは、c面GaN基板と、前記c面GaN基板の一方側の主表面上に形成されたn型導電層と、前記n型導電層の主表面上に形成され、量子井戸層と障壁層とが交互に積層された多重量子井戸層を含む発光層と、を備え、前記量子井戸層は、第1InGaN層からなり、前記障壁層は、前記第1InGaN層に比してIn組成の少ない第2InGaN層を含む。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过有意地产生不穿透位错来减小正向电压来提高光输出的外延晶片。解决方案：外延晶片包括：c面GaN衬底; 形成在c面GaN衬底一侧的主表面上的n型导电层; 以及形成在n型导电层的主表面上的发光层，并且包括交替层叠的包括量子阱层和阻挡层的多量子阱层。量子阱层由第一InGaN层构成，势垒层包括含有比第一InGaN层小的In组成的第二InGaN层。图3

6. 发明专利

JP2016029726A 窒化物半導体审中-公开
标题翻译：氮化物半导体
公开(公告)号：JP2016029726A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：JP2015187468
申请日：2015-09-24
申请人：三菱化学株式会社
发明人：堀江秀善 , 栗原香
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/16
摘要：【課題】表面モルフォロジと光学特性がともに良好で、しかも発光素子とした場合の発光効率が高い、高品質の窒化物半導体を提供すること。【解決手段】m面のような非極性面の窒化物基体上に窒化物半導体を結晶成長させるに際し、窒化物半導体層を成長させる前の比較的高温領域での昇温過程におけるメインフローを構成するガス(基体の窒化物主面が暴露される雰囲気)、第1および第2の窒化物半導体層成長完了までのメインフローを構成するガス(基体の窒化物主面が暴露される雰囲気)を、窒化物に対してエッチング効果のないものを主とした。このため、エピタキシャル基体の窒化物表面近傍からの窒素原子の脱離が生じず、エピタキシャル膜への欠陥導入が抑制される。また、平坦性に優れた表面モルフォロジを有するエピタキシャル成長が可能となる。【選択図】図2(A)
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有良好的表面形貌和光学特性的高质量的氮化物半导体，并且当制造为发光元件时还具有高的发光效率。解决方案：当氮化物半导体在氮化物衬底，其具有诸如m面的非极性表面，在较高温度区域内的升温过程中构成主流的气体（暴露于衬底的氮化物主表面的气氛）生长氮化物半导体层和构成主流的气体（其中暴露基板的氮化物主表面的气氛）直到第一和第二氮化物半导体层的生长完成为主要参与不具有蚀刻效果的气体在氮化物上。因此，不会发生从外延衬底的氮化物表面附近的氮原子的脱附，并且抑制外延膜中的缺陷产生。此外，具有平坦度优异的表面形貌的外延生长得以实现。图2（A）

7. 发明专利

JP5812166B2 窒化物半導体の結晶成長方法有权
标题翻译：的氮化物半导体的晶体生长方法
公开(公告)号：JP5812166B2
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：JP2014157070
申请日：2014-07-31
申请人：三菱化学株式会社
发明人：堀江秀善 , 栗原香
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/16 , H01S5/343 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/16

8. 发明专利

JP2015173243A 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及制造半导体发光元件的方法
公开(公告)号：JP2015173243A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2014169719
申请日：2014-08-22
申请人：三菱化学株式会社
发明人：栗原香 , 長尾哲 , 下山謙司
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/32
摘要：【課題】電極形成が容易で、かつ、順方向電圧の低減し得る半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を実現する。【解決手段】m面GaN基板と、前記m面GaN基板のおもて面にGaN系半導体を用いて形成された発光構造と、前記発光構造の上面に形成された、金属(マグネシウムを除く)からなるp側コンタクト電極と、を備え、前記m面GaN基板、前記発光構造及び前記p側コンタクト電極に印加される順方向電流が20mAのときに、順方向電圧が4.7V以下であることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种容易形成电极并且能够降低正向电压的半导体发光元件以及制造半导体发光元件的方法。解决方案：半导体发光元件包括 m面GaN衬底，通过使用GaN基半导体在m面GaN衬底的前表面上形成的发光结构以及形成在发光结构的上表面上的p侧接触电极并由金属（不含镁）制成。当施加到m面GaN衬底，发光结构和p侧接触电极的正向电流为20mA时，正向电压为4.7V以下。

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