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1. 发明专利

JP2022002345A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022002345A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021169125
申请日：2021-10-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：小林勇介 , 武井学 , 原田信介
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/78
摘要：【課題】低オン抵抗化、順方向特性劣化の抑制および逆回復損失の低減を実現することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板10に複数の第1トレンチ7,31が設けられている。第1トレンチ7,31の底面は、第1p + 型領域6aで覆われている。第1トレンチ7の内部にMOSゲートが埋め込まれ、トレンチゲート型MOSFET21の1つの単位セルが構成されている。第2トレンチ31の内部に埋め込まれた導電層32とn型電流拡散領域3とで形成されるショットキー接合33でトレンチ型SBD22の1つの単位セルが構成される。トレンチ型SBD22を埋め込んだ第2トレンチ31間に、MOSゲートを埋め込んだ第1トレンチ7が少なくとも2つ以上配置される。第1p + 型領域6aは、第1トレンチ7と離して配置されている。【選択図】図7

2. 发明专利

JP2021197795A 無停電電源システムおよび無停電電源装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021197795A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020101884
申请日：2020-06-11
申请人：富士電機株式会社
发明人：大野達樹 , 梅沢一喜 , 竹内将雄
IPC分类号： H02M7/48 , H02M7/493 , H02J9/06
摘要：【課題】無停電電源装置に加えて、無停電電源装置の入力側の受電盤や出力側の母線盤を含めた試験を行うことが可能な無停電電源システムを提供する。【解決手段】この無停電電源システム600は、交流電源1からの交流電力が供給される受電盤2と負荷4が接続される母線盤3との間に互いに並列に接続される複数の無停電電源装置100〜500を備える。複数の無停電電源装置100〜500は、各々、受電盤2からの交流電力を直流電力に変換可能とする整流部11と、整流部11からの直流電力を交流電力に変換して、変換した交流電力を母線盤3に供給可能とするインバータ12とを含む。複数の無停電電源装置100〜500は、各々、通常動作させる通常動作モードと負荷を模擬する負荷模擬モードとを切り替え可能に構成されている。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2021197490A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021197490A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020104226
申请日：2020-06-17
申请人：富士電機株式会社
发明人：早川勉
IPC分类号： H01L25/04 , H01L25/18 , H01L21/60
摘要：【課題】絶縁回路基板及び半導体チップ等とプリント基板との間の接合力が高められ、接合性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁回路基板1と、絶縁回路基板1上に搭載された半導体チップ3a,3bと、半導体チップ3a,3bの上方に配置されたプリント基板6と、プリント基板6に挿入され、半導体チップ3a,3bと接合材4a〜4fを介して接合するピン端子5a〜5fと、絶縁回路基板1上に配置された支持部71a,72aと、半導体チップ3a,3b、支持部71a,72a及びプリント基板6を封止する封止部材8とを備え、絶縁回路基板1の上面から支持部71a,72aの上面までの高さが、絶縁回路基板1の上面から半導体チップ3a,3bの上面までの高さよりも高い。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2021197447A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021197447A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020102878
申请日：2020-06-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：堀元人 , 池田良成 , 平尾章
IPC分类号： H01L21/52
摘要：【課題】絶縁回路基板上に焼結材を介して半導体チップを接合する際に、工数の増大を抑制しつつ半導体チップを位置決めすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁回路基板1と、絶縁回路基板1上に焼結材5a,5bを介して配置された半導体チップ6a,6bと、絶縁回路基板1上に配置され、焼結材5a,5b及び半導体チップ6a,6bの周囲を囲む開口部10a,10bを有する枠材10と、焼結材5a,5b、半導体チップ6a,6b及び枠材10を封止する封止部材14とを備える。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2021197384A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021197384A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020100419
申请日：2020-06-09
申请人：富士電機株式会社
发明人：星保幸
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】オン抵抗を低減させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】メイン半導体素子11は、トレンチ37aの底面にかかる電界を緩和させる第1,2p + 型高濃度領域61a,62aを有する。第1p + 型高濃度領域61aは、p型ベース領域と離れて、深さ方向Zにトレンチ37aの底面に対向して設けられ、トレンチ37aが延在する方向と同じ第1方向Xに直線状に延在する。第2p + 型高濃度領域62aは、互いに隣り合うトレンチ37a間に、第1p + 型高濃度領域61aおよびトレンチ37aと離れて、かつp型ベース領域に接して設けられ、第1方向Xに点在する。第1方向Xに互いに隣り合う第2p + 型高濃度領域62a間に、当該第2p + 型高濃度領域62aに接して、n型電流拡散領域か、またはn型電流拡散領域よりも不純物濃度の高いn + 型高濃度領域63aが設けられている。【選択図】図5A

6. 发明专利

JP2021196341A パワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021196341A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2021069032
申请日：2021-04-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：山田亨
IPC分类号： G01R31/26
摘要：【課題】パワーオン時に発生する内部応力の発生部位を自在に制御できるパワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法を提供する。【解決手段】熱ストレスを付与することで、パワー半導体装置1のパワーサイクル試験を行うパワーサイクル試験装置50である。パワー半導体装置1を発熱させる発熱用電源2と、発熱用電源2がパワー半導体装置1に電流を流しているパワーオン期間中に、パワー半導体装置1を冷却するための冷却液が流れる第1冷却液循環経路21と、発熱用電源2がパワー半導体装置1に電流を流していないパワーオフ期間中に、冷却液が流れる、パワー半導体装置1を経由して冷却液が流れる箇所が前記第1冷却液循環経路21とは異なる、第2冷却液循環経路20と、を備える。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021196118A 凍結輸送装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021196118A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103344
申请日：2020-06-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：松本伸 , 溝口義則
IPC分类号： F25B49/02 , F25B9/00 , F25D23/00 , F25D11/00
摘要：【課題】被冷却物に対する可変の凍結温度制御を実現し、被冷却物の緩慢凍結、長期保管、および輸送を1つの装置で実現する。【解決手段】凍結輸送装置は、冷却能力を制御可能な電子式の冷却源と、冷却源と熱的に接続された熱伝導部材を備え、被冷却物を冷却する冷却空間を画定する断熱部材と、冷却源に外部電力を供給する外部電力入力部と、冷却源に蓄電池からの電力を供給する内部電力入力部と、冷却源の冷却能力を制御する制御部と、を備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JPWO2021049434A1 電流生成回路、駆動回路及び電流調整方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2021049434A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020033616
申请日：2020-09-04
申请人：富士電機株式会社
发明人：森貴浩
IPC分类号： H03K17/567 , H02M1/08
摘要：電流生成回路は、電源ラインまたは接地ラインの何れか一方のラインと、ソース端子と、が接続されたMOSトランジスタと、前記一方のラインと、前記ソース端子と、の間の配線の抵抗値に応じた第1電圧を生成する電圧生成回路と、前記第1電圧に基づいて、前記MOSトランジスタに所定電流を生成させる制御回路と、を備える。

9. 发明专利

JPWO2021029150A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2021029150A1
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2020025468
申请日：2020-06-29
申请人：富士電機株式会社
发明人：猪口久仁
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L25/07
摘要：短絡の発生を抑制することができる。配線ユニット(70)は、導電パターン(23b3)に電気的に接続され、セラミック回路基板(20b)の主面に平行に配線される第1配線部(71a)を備える第1リードフレーム(71)と、導電パターン(23a3)に電気的に接続され、第1配線部(71a)のおもて面に対して間隙を設けて重畳して第1配線部(71a)の配線方向に沿って配線される第2配線部(72a)を備える第2リードフレーム(72)と、第1,第2リードフレーム(71,72)を包含する配線保持部(73)とを有する。配線保持部(73)は、第1,第2配線部(71a,72a)が重畳する重畳領域の間隙を充填する配線間隙部分と第2配線部(72a)のおもて面を覆う配線表面部分とを含んでいる。

10. 实用新型

JP3235473U 試験装置有权
公开(公告)号：JP3235473U
公开(公告)日：2021-12-23
申请号：JP2021003970
申请日：2021-10-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：境保明
IPC分类号： G01R31/26
摘要：【課題】逆回復試験の試験効率が向上する試験装置を提供する。【解決手段】試験装置は、カソード共通のダイオードD1の逆回復試験時において、スイッチSW1、SW3、SW7、SW9、SW11はオンし、スイッチSW2、SW4、SW5、SW6、SW8、SW10、SW12、SW13はオフする。NMOSトランジスタQ1をオンすると、電源V1から、スイッチSW1、NMOSトランジスタQ1、インダクタL1、スイッチSW9、スイッチSW7のルートで電流が流れる。その後、NMOSトランジスタQ1をオフすると、インダクタL1に蓄積されていたエネルギによって、スイッチSW9、ダイオードD1、インダクタL1に回生電流が流れる。回生電流が流れている間にNMOSトランジスタQ1を再度オンして電流の流れを該ルートにすることで、ダイオードD1に流れていた電流が途切れてダイオードD1に逆回復を発生させる。【選択図】図2

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