专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

91. 发明公开

CN111602259A 电子器件及其制备方法审中-实审
公开(公告)号：CN111602259A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201880082306.2
申请日：2018-12-21
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策
IPC分类号： H01L51/54
摘要：本发明涉及一种电子器件及其制备方法，所述电子器件含有包含硼酸盐络合物的半导体层，所述硼酸盐络合物包含选自Ca和Sr中的金属和至少一种硼酸根配体，其中所述硼酸根配体包含至少一个杂环基团。

92. 发明公开

CN110869353A 包含有机半导体层的有机电子器件有权
公开(公告)号：CN110869353A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880033909.3
申请日：2018-05-18
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：沃洛季米尔·森科维斯基 , 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 , 本杰明·舒尔策 , 卡斯滕·洛特
IPC分类号： C07D239/26 , C07D239/74 , C07D251/14 , C07D403/10 , C07D405/10 , C07D409/14 , C07D417/14 , C07F9/53
摘要：本发明涉及一种式1化合物和包含有机半导体层的有机电子器件，其中至少一个有机半导体层包含式(1)化合物，其中L1具有式(2)且L2具有式(3)，其中L1和L2在“*”处通过单键独立地键合至Ar1的同一个或不同的芳亚基或杂芳亚基；且其中X1、X2独立地选自O、S和Se；Ar1选自取代或未取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基，其中取代的C20至C52芳亚基或C14至C64杂芳亚基的取代基独立地选自C1至C12烷基、C1至C12烷氧基、CN、卤素、OH、C6至C25芳基和C2至C21杂芳基；R1、R2独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，其中取代的C1至C16烷基的取代基选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；R3、R4独立地选自取代或未取代的C1至C16烷基，取代或未取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基，其中取代的C1至C16烷基的取代基，取代的C6至C18芳亚基、C2至C20杂芳亚基的取代基独立地选自C6至C18芳亚基或C2至C12杂芳亚基；n选自1至5，其中n是整数。

93. 发明公开

CN110612614A 用于形成半导体的有机层的油墨组合物有权
公开(公告)号：CN110612614A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201880022797.1
申请日：2018-03-29
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：凯·莱德雷尔 , 斯特芬·伦格 , 杰罗姆·加尼尔 , 安克·泰希勒
IPC分类号： H01L51/54
摘要：本发明涉及一种用于形成有机半导体层的油墨组合物，其中所述油墨组合物包含：-至少一种包含吸电子基团的p-型掺杂剂；-至少一种第一辅助化合物，其中所述第一辅助化合物是芳香腈化合物，其中所述芳香腈化合物具有约≥1至约≤3个腈基团和约

94. 发明公开

CN110521014A 电子半导体器件和制备电子半导体器件的方法有权
公开(公告)号：CN110521014A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880012813.9
申请日：2018-02-20
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：乌尔里希·黑格曼 , 马库斯·赫默特 , 托马斯·罗泽诺 , 莫罗·富尔诺
IPC分类号： H01L51/54 , H01L51/46 , H01L51/50
摘要：本发明涉及一种电子器件和制备所述电子器件的方法，所述电子器件在第一电极与第二电极之间包含至少一个第一空穴传输层，其中所述第一空穴传输层包含：(i)至少一种由共价键合的原子构成的第一空穴传输基质化合物和(ii)至少一种p型电掺杂剂，所述p型电掺杂剂选自金属盐和选自电中性金属络合物，所述电中性金属络合物包含金属阳离子和由至少4个共价键合的原子构成的至少一种阴离子配体和/或至少一种阴离子，其中所述p型电掺杂剂的金属阳离子选自：碱金属；碱土金属、Pb、Me、Fe、Co、Ni、Zn、Cd；处于氧化态(II)或(III)的稀土金属；Al、Ga、In；以及选自处于氧化态(TV)或更低氧化态的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W；条件是排除：a)包含具有通式(Ia)或(Ib)的阴离子或阴离子配体的p型掺杂剂，其中A1、A2、A3和A4独立地选自CO、SO2或POR1；R1＝吸电子基团，其选自：卤素、腈、卤代或全卤代的C1～C20烷基、卤代或全卤代的C6～C20芳基、或具有5～20个成环原子的卤代或全卤代的杂芳基；B1、B2、B3和B4相同或独立地选自：取代或未取代的C1～C20烷基、取代或未取代的C1～C20杂烷基、取代或未取代的C6～C20芳基、取代或未取代的C5～C20杂芳基，或B1和B2形成环；以及b)由Li阳离子和选自高氯酸根和四氟硼酸根的阴离子构成的p型掺杂剂，并且所述第一空穴传输层包含子层，其中按重量和/或体积计以超过可以另外包含在所述子层中的其它组分的总量的量包含所述电掺杂剂。

95. 发明公开

CN108933197A 有机电致发光器件有权
公开(公告)号：CN108933197A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810495632.8
申请日：2018-05-22
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：莫罗·富尔诺 , 沃洛季米尔·森科维斯基
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/0094 , H01L51/005 , H01L51/0054 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/009 , H01L51/5016 , H01L51/5064 , H01L51/5076 , H01L51/508 , H01L51/5092 , H01L51/5296 , H01L2251/301 , H01L51/5072 , H01L51/0032
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包含第一电极、至少一个第二电极、至少一个发光层和至少一个电子传输区域，其中所述发光层和所述电子传输区域布置在所述至少一个第二电极和所述第一电极之间，并且所述电子传输区域布置在所述发光层和所述至少一个第二电极之间，其中所述至少一个电子传输区域包含：第一电子传输层，所述第一电子传输层优选不包含n型掺杂剂；和性能增强层，所述性能增强层在1200nm的波长处具有≤1.6的折射率；其中所述第一电子传输层布置在所述发光层和所述性能增强层之间；并且所述性能增强层布置在所述第一电子传输层和所述至少一个第二电极之间。

96. 发明授权

CN106414394B 多色发光器件及其通用空穴传输基质有权
公开(公告)号：CN106414394B
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201580016573.6
申请日：2015-03-23
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：迈克·策尔纳 , 马丁·伯克哈特
IPC分类号： C07C211/54 , C09K11/06 , H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0059 , C07C211/54 , C09B57/008 , C09K11/06 , C09K2211/185 , H01L27/3206 , H01L51/5024 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L51/5096
摘要：本发明涉及有机发光二极管(OLED)，其包含至少一个实质上有机层，所述实质上有机层包含1，N，N，N’，N’‑五(1，1’‑联苯‑4‑基)‑亚苯基‑3，5‑二胺基质化合物；并且本发明涉及新的1，N，N，N’，N’‑五(1，1’‑联苯‑4‑基)‑亚苯基‑3，5‑二胺化合物，其具体地可用作OLED中的空穴传输和/或电子阻挡层基质。

97. 发明授权

CN106062986B 包含膦氧化物基质和金属掺杂剂的n-掺杂的半导体材料有权
公开(公告)号：CN106062986B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201480070560.2
申请日：2014-12-23
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：欧姆莱恩·法德尔 , 卡斯滕·罗特 , 扬·比尔恩施托克 , 安斯加尔·维尔纳 , 凯·吉尔格 , 延斯·安格曼 , 迈克·策尔纳 , 弗朗西斯科·布卢姆 , 托马斯·罗泽诺 , 托比亚斯·坎茨勒 , 托马斯·卡里兹 , 乌尔里希·登克尔
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/00
摘要：本发明涉及包含作为n‑掺杂剂的至少一种金属元素和至少一种包含至少一个膦氧化物基团的电子传输基质化合物的电掺杂的半导体材料、所述电掺杂的半导体材料的制备方法和包含所述电掺杂的半导体材料的电子器件。

98. 发明公开

CN108463897A 包含两种金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料有权
公开(公告)号：CN108463897A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201680065531.6
申请日：2016-11-09
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：托马斯·卡里兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 乌韦·戈尔弗特 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·洛特 , 本杰明·舒尔策 , 斯特芬·维尔曼
IPC分类号： H01L51/54 , H01L51/00
摘要：本发明涉及一种半导体材料、包含这样的材料的电子器件及其制备方法，所述半导体材料包含(i)由至少一种基本上共价基质化合物组成的基本上共价基质材料，(ii)至少一种选自Li、Na、K、Rb和Cs的第一金属，和(iii)至少一种选自Zn、Hg、Cd和Te的第二金属。

99. 发明公开

CN108431980A 包含氧化膦化合物的有机半导体层有权
公开(公告)号：CN108431980A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680068444.6
申请日：2016-11-23
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：沃洛季米尔·森科维斯基
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/50 , C07F9/50 , C07F9/53
CPC分类号： H01L51/5072 , C07F9/5325 , C07F9/5765 , C07F9/65068 , C07F9/65517 , C07F9/65522 , C07F9/65586 , C07F9/6561 , H01L51/0052 , H01L51/0073 , H01L51/5076
摘要：本发明涉及一种有机半导体层、有机半导体层中所包含的氧化膦化合物，并且涉及包含这些层和化合物的有机电致发光器件，所述有机半导体层是电子传输层和/或电子注入层和/或n型电荷产生层，所述有机半导体层包含至少一种式(1)的化合物其中R1和R2各自独立地选自C1至C16烷基；Ar1选自C6至C14亚芳基或C3至C12亚杂芳基；Ar2独立地选自C14至C40亚芳基或C8至C40亚杂芳基；R3独立地选自H、C1至C12烷基或C10至C20芳基；其中Ar1、Ar2和R3中的每一个可各自独立地是未取代的或被至少一个C1至C12烷基基团取代的；n是0或1；并且在n＝0的情况下，m是1；并且在n＝1的情况下，m是1或2。

100. 发明公开

CN108292706A 包含碱金属和第二金属的金属层有权
公开(公告)号：CN108292706A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680065408.4
申请日：2016-11-09
申请人：诺瓦尔德股份有限公司
发明人：托马斯·卡里兹 , 弗朗索瓦·卡尔迪纳利 , 杰罗姆·加尼耶 , 乌韦·戈尔弗特 , 维金塔斯·扬库什 , 卡斯滕·罗特 , 本杰明·舒尔策 , 斯特芬·维尔曼
IPC分类号： H01L51/00 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/0021 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C28/00 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/441 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , Y02E10/549
摘要：本发明涉及一种与包含基本上共价基质材料的半导体层相邻的金属层，包含所述材料的电子器件及其制备方法，所述金属层包含至少一种第一金属和至少一种第二金属，其中a)所述第一金属选自Li、Na、K、Rb、Cs；并且b)所述第二金属选自Zn、Hg、Cd、Te。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式